学科分类
/ 25
500 个结果
  • 简介:【摘要】随着新课改的推行,以单元为整体进行教学设计,成为教学研究者和实践者的基本共识。 学生对主题意义的探究是学习语言的核心内容,小学《英语》教材以话题-功能进行版块的编排,各单元虽有特定的话题和主题,但在主题意义的探究时有一定局限性,“X”素材的融合可以丰富单元主题意义。本文以6A Unit4 Then and now 为例,探究如何在主题意义的引领下融合多模态素材进行单元整体设计。

  • 标签: 单元整体 主题 主题意义 1+X
  • 简介:3,5,6,8-Tetrahydro-4H-thiopyrano[4′,3′:4,5]thieno[2,3-d]pyrimidin-4-ones(7)weresynthesizedviathebasecatalyticreactionsofaminesorphenolswithcarbodiimides(5),whichwereobtainedfromtheaza-Wittigreactionsofiminophosphoranes(4)witharomaticisocyanates.

  • 标签: 反应合成 膦亚胺 四氢 噻吩 嘧啶 碳二亚胺
  • 简介:完形填空题是一种考查考生综合运用英语能力的题型,在大学英语四、六级考试中占有一定的比重。文章通过对2009年6月大学英语四、六级完形填空题在文本选择和考点层次两方面所进行的效度分析,旨在探讨该题型的命题特点和命题质量,并为以《大学英语课程教学要求》为依据的大学英语四、六级考试命题和题型改革提供参考。

  • 标签: 完形填空题 大学英语 效度分析
  • 简介:【词语解析】1.hesitatev.犹豫。踌躇(=topausebeforeyoudoorsaysth.oftenbecauseyouareuncertainornervousaboutit)

  • 标签: BEFORE BECAUSE 练习 讲解 单词 选修
  • 简介:1.根据下列各句旬意及所给单词的首字母或汉语提示。写出该单词的正确形式。1.Senseofh-isneededtounderstandtheworksofMarkTwain.

  • 标签: 重点词语 MARK 单词 of 汉语
  • 简介:恐龙很久之前就灭绝了。这种风俗很多年前就没有了。

  • 标签: 重点短语 练习 讲解
  • 简介:【词汇精讲】1.relevantadj.有关的n.relevance有关,切题berelevantto=havesomethingtodowith=beconcernedwith……有关;

  • 标签: SOMETHING 练习 讲解 单词 选修 with
  • 简介:根据首字母和汉语提示。完成下列句子。1.Everyonelaughedathisstory,asitwasfullofh_

  • 标签: 基础知识 训练题 HIS 字母
  • 简介:【短语精讲】1.concentrateon集中;全神贯注于【经典例句】Doctorsareaimingtoconcentratemoreonpreventionthancure.医生们正努力将注意力更多地放在预防而不是治疗疾病上。

  • 标签: 重点短语 练习 讲解 全神贯注 经典例句 MORE
  • 简介:【单词解析】1.delightedadj.快乐的。欣喜的【经典例句】Iamdelightedbytheresult.我对此结果感到很满意。

  • 标签: 单词 练习 讲解 经典例句 the 解析
  • 简介:(2)include意为“包括”,包含物体的一部分,特别是能明确界定的几个部分。including为介词,放在被包含的事物之前;included为形容词,放在被修饰的名词之后。

  • 标签: 精讲精练 单词 形容词 介词
  • 简介:听力部分(15分)第一节听下面五段对话。每段对话后有一个小题,从题中所给的A、B、C三个选项中选出最佳选项。(5分)1.Whathappenedtothewoman?A.Oneofthewindowswasbroken.B.Athiefgotintoherhouse.C.Athiefbrokeinthegarden.

  • 标签: 同步检测题 windows the 听力部分 WHAT ONE
  • 简介:UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.

  • 标签: 硅化锗 半导体材料 化学气相沉积