简介:以氧化锡(SnO2)、五氧化二铌(Nb2O5)和三氧化二锑(Sb2O3)粉末为原料,通过无压固相烧结技术制备了SnO2基导电陶瓷,研究了Nb2O5单掺杂及Nb2O5—Sb2O3双掺杂SnO2基陶瓷的电导率和热膨胀性。采用X射线衍射仪对试样物相结构进行了袁征。研究发现,当Nb205掺杂量为14%(摩尔分数,下同)时,SnO2基陶瓷800℃的电导率达10.51S/cm;在此基础上,当Sb2O3添加量为2%时,500℃的电导率达1.61S/cm。SnO2-Nb2O5基陶瓷的热膨胀系数随Nb2U掺杂量的增加而降低,Sb2O3的添加使SnO2基陶瓷的热膨胀系数增大。X射线衍射仪分析结果表明,Nb2O5能均匀分布在SnO2粉末中,形成稳定的固溶体;Sb2O3的添加不利于Nb2O5形成稳定的固溶体。
简介:采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点,物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm,Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm,即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移,AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点都表现出了较长的荧光寿命,分别为169ns和162ns,结合生物组织光学窗口范围限制,相对Ag—Z—In—S,AgInS2量子点更适用于生物标记。