摘要
以氧化锡（SnO2）、五氧化二铌（Nb2O5）和三氧化二锑（Sb2O3）粉末为原料，通过无压固相烧结技术制备了SnO2基导电陶瓷，研究了Nb2O5单掺杂及Nb2O5—Sb2O3双掺杂SnO2基陶瓷的电导率和热膨胀性。采用X射线衍射仪对试样物相结构进行了袁征。研究发现，当Nb205掺杂量为14％（摩尔分数，下同）时，SnO2基陶瓷800℃的电导率达10．51S／cm;在此基础上，当Sb2O3添加量为2％时，500℃的电导率达1．61S／cm。SnO2-Nb2O5基陶瓷的热膨胀系数随Nb2U掺杂量的增加而降低，Sb2O3的添加使SnO2基陶瓷的热膨胀系数增大。X射线衍射仪分析结果表明，Nb2O5能均匀分布在SnO2粉末中，形成稳定的固溶体；Sb2O3的添加不利于Nb2O5形成稳定的固溶体。
出版日期
2010年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
