简介：摘要：本文深入研究了单晶硅棒拉制工艺参数对晶体质量的影响，并提出了相应的改进措施。通过对拉晶温度、拉速、晶转和埚转等关键工艺参数的分析，探讨了它们与晶体生长过程中的缺陷形成、晶体结构完整性以及电学性能之间的关系。实验结果表明，优化工艺参数可以显著提高单晶硅棒的晶体质量，为单晶硅产业的发展提供了重要的理论依据和实践指导。

简介：【 摘 要 】 如今对于半导体材料硅的研究已经日渐成熟，硅已经是最广泛应用的一类半导体，在微电子和集成电路行业中硅占据着主导地位，通常通过掺杂杂质来改变硅的导电性 能，硅的掺杂技术已经被普遍应用并且越来越成熟，并制成各种器件。然而在应力和本征缺陷对硅的电学性质的作用却很少提及。在对半导体材料的研究和学习中可知，缺陷的电学特性对半导体也有着一定的影响，参杂原子可以提供载流子提高其导电特性，而空位等缺陷在禁带中产生深能级，因此缺陷影响着半导体的禁带宽度和载流子数目。因此缺陷对硅的导电特性起着至关重要的作用。当对硅晶体某一晶向上施加一个拉伸或压缩的应力时会对硅结构造成一定的影响，导致禁带宽度会发生变化，使其导电性能也发生变化。本文所进行的工作就是研究应力和本征缺陷双重因素作用下影响硅电学性质机理 的第一性原理的研究。利用 Materials Studio 6.0 软件来计算分别对硅的 和 晶向施加拉伸和压缩的应力其电学性质变化并绘制应力随应变曲线，并且绘制出能带图、态密度图、分波态密度图，进一步解释其应力和本征缺陷对硅导电性质机理的影响。从而寻找不依赖掺杂而只利用本征缺陷和应力来调控硅的电学性质的方法。利用应力和 本征缺陷调节硅的禁带宽度改变半导体的性能并通过能带图、分波态密度图、态密度图进行理论分析其机理。 并解释应力和本征缺陷作用下硅晶体宏观现象的微观本原，并为硅工业发展提供理论支持。

简介：摘要：第三代半导体设备技术，是半导体发展历程中的重要技术，也是当前技术发展的支撑。本文通过浅析第三代半导体材料，对其晶体生长方式进行分析，探究SiC晶体设备构成。结合国内外进展情况，为国内SiC晶体设备技术发展提供更科学的技术，意在国内也能研制出更加成熟的生长设备。保证第三代半导体在更多领域得到科学应用，提升半导体材料的商业价值。

简介：摘要：锂电池生产企业发展至今，为寻求新的发展突破，就需要从材料层面着手，深入落实相关研究工作。鉴于此，本文主要探讨纳米材料有序介孔复合Si/SiOx/C之下锂电池内部所需负极材料的科学制备及电化学基本性能，旨在为业内相关人士提供参考。

简介：摘 要：偏光片是薄膜晶体管液晶显示器中重要的关键零组件。本文介绍了偏光片的工作原理和原材料特性,并对薄膜晶体管液晶显示器用偏光片的关键技术进行分析与探讨。期许能给相关人士带来参考。

简介：摘要：氨基甲酸酯类农药是一类从氨基甲酸衍生出来的商业化农药，由于使用范围广，使用量巨大，在水中溶解性较强，毒性大，不容易降解，对水生生态系统和人类的健康造成了很大的危害。本文通过合成一种具有锐钛矿晶体结构的介孔材料Ce-MTiO2光催化降解几种商业化的氨基甲酸酯类农药来研究该催化剂在这类农药污染废水治理方面的作用并讨论了光照时间、农药浓度、催化剂用量和溶液体系pH值对光催化降解效率的影响。研究结果表明，该催化剂在紫外光照射下具有很好的催化活性，能将西维因、残杀威、灭多威和克百威这四种氨基甲酸酯农药快速降解，且在碱性条件下，这几种农药的降解率都是最高的，当溶液体系