简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

简介：SiC微粉是光伏行业晶体硅切割不可或缺的切割材料,但其在冶炼和破碎过程中不可避免地会引入铁杂质,除铁成为SiC微粉的生产中一道必备工序。传统除铁工艺是酸洗,不仅需消耗大量的酸,也浪费水资源。采用物理方法——磁选,代替化学方法除去晶硅线切割SiC微粉中铁杂质,使Fe2O3含量小于0.15%,低于行业标准,对提高产品竞争力及增强产业附加值具有巨大促进作用。

简介：量监禁效果在nanoelectronics和光电子应用是重要的；然而，在量监禁的理论之间有差异，它显示拓宽的乐队差距仅仅在在大直径的nanowires(NW)拓宽的乐队差距的小尺寸，和试验性的观察发生。这份报纸在紫外可见的吸收系列报导吸收边的明显的蓝移动原文如此有50-300nm的直径的NW。根据量监禁，理论和高分辨率的传播电子显微镜学想象原文如此NW，拓宽在的乐队差距原文如此，有多达几百纳米的直径的NW充分被解释；结果能帮助解释与大直径在另外的NW拓宽的类似的乐队差距。

简介：微管道（MP）一直是SiC晶体中的主要缺陷。其它的结构缺陷有：位错，堆垛层错和本征点缺陷及其与杂质所形成的复合体。除高质量晶体外，具有平滑的、无缺陷表面的衬底对于生长出器件级高质量外延层也很关键。晶片加工过程中可能在衬底表面上感生出缺陷（例如划痕或亚表面损伤），它们对随后所生长的外延层及所制器件都有很不利的影响。

简介：

简介：SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。

简介：以葡萄糖和硅溶胶混合溶液为前驱体,采用碳热还原法在多孔SiC陶瓷表面生长SiC纳米线膜层,制备纳米复合陶瓷膜.使用X射线衍射、光学显微镜、扫描电镜、孔径分析仪等对样品的物相、形貌和孔径特征进行了分析.结果表明,在1 450 ℃反应6 h,微米孔径SiC的表面生长出了分布比较均匀的SiC纳米线膜层,纳米复合陶瓷膜具有窄分布的亚微米孔径.

简介：LowcostsiliconcarbonnanometerpowderwassynthesizedbycarbothermalreductionmethodwithnanometerSiO2andcarbonasrawmaterial.Itssynthesisthermodynamicswerediscussed.TheinfluenceofLaonTG-DSCcurvewasalsoanalyzed.ItindicatedthatthesynthesisprocessofSiCpowderhadtwosteps.InthefirststeptwomedialproductionsofSiOgandCOgformed,andinthesecondstep,β-SiCwasfinallysynthesized.After0.3%Laadded,atthefirststep,theinitiatoryformingtemperatureofproducingSiO(g)andCO(g)declinedfrom1351.4to1250.9℃,andthethermalactivationenergydecreasedfrom223.6to34.7J·g-1;atthesecondsteptheinitiatoryformingtemperatureofsynthesizingβ-SiCpowderdeclinedfrom1526.5to1357.8℃,andthethermalactivationenergydecreasedfrom693.7to295.7J·g-1.WithoutLaadded,thebestsynthesistechnologyforβ-SiCpowderwas1550℃for120min,averagepowderdiameterwasbiggerabout150nm.WithLaadded,thebestsynthesistechnologywas1500℃for120min,averagepowderdiameterwasabout100nm.

简介：

简介：ＦｒａｃｔｕｒｅＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＣ（ｐ）／ＡｌＣｏｍｐｏｓｉｔｅｓＧｕＨｏｎｇｗｅｉ；ＣａｏＬｉ；ＹｕａｎＧｕａｎｓｅｎ；ＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ；ＷｕＺｉｑｉｎａｎｄＣｈｅｎＬａｎｆｅｎｇ（古宏伟），（曹利），（袁冠森），（刘安生...

简介：1983年生于啥尔滨，师从卢禹舜、纪连彬。中国美术家协会会员、啥尔滨画院中国画创作研究室主任、黑龙江省美术家协会理事、黑龙江省当代艺术研究院国画院副院长、黑龙江省中国画学会理事、黑龙江省美术家协会国画艺术委员会委员。自2007年以来，7次荣获中国美术家协会主办的全国中国画作品展优秀奖。2013年以优异的成绩荣获全国综合性艺术家评选“以画说话，美术新青年”全国十强称号。2014年《晴空》系列作品荣获第十二届全国美展，黑龙江展区银奖。并且入选第十二届全国美展。

简介：利用CVI法,在两种不同类型的国产SiC纤维束中引入(PyC/SiC)4或(PyC/SiC)8多层界面,并进一步致密化,制备含不同纤维种类和界面类型的SiCf/SiCMini复合材料。研究纤维种类和界面类型对SiCf/SiCMini复合材料力学性能和断裂机制的影响。结果表明:致密化的SiCf/SiCMini复合材料已形成一个整体,在纤维和基体连接处可观察到明显的界面层,且界面厚度均匀;A/(PyC/SiC)4/SiC、B/(PyC/SiC)4/SiC、A/(PyC/SiC)8/SiC三种SiCf/SiCMini复合材料的最大拉伸强度分别达到466,350和330MPa,最终拉伸应变分别达到0.519%,0.219%和0.330%;拉伸断口均有纤维拔出,且随纤维种类或界面类型不同,纤维拔出长度和断口形貌有所差异。其中A/(PyC/SiC)4/SiC以ModelⅡ断裂机制发生断裂,B/(PyC/SiC)4/SiC和A/(PyC/SiC)8/SiC以ModelⅠ断裂机制发生断裂。

简介：结合应用实例，重点介绍了不同应用场合选用非晶与超微晶材料的种类及其特点，并与其它磁性材料作了对比。

简介：近年于陶瓷行业兴起的微晶玻璃复合板材，以其优秀的物理性能而成为高档装饰材料的新宠。但色泽品种长期以纯白、黑白麻点为主，色彩方面尤其显得单调沉闷，制约了微晶玻璃空间应用的丰富效果。

简介：

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：SiCwhiskerswith'rosarybead'morphologyweresynthesizedusingsuitablesiliconsourceandcarbonsourcethroughsolidreactionatthetemperatureabove1537K.ThediameterandlengthoftheSiCwhiskerswereabout0.1-1.0μmand20-100μm,respectively.Thelargestdiameteroftheirenlargedendsofthewhiskerswasabout0.2-1.0μm,anditgraduallyandsmoothlydecreasedtothesizeoftheplainpartofthewhiskers.TheresultsofX-raydiffractionanalysisshowthatthecrystallinestructureoftheobtainedSiCwhiskersisβ-SiC.ItisconsideredthattheSiCwhiskersgrowviaavapor-solidmechanism.

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简介：TheCW-CO2laserdrivengasreactionwasappliedtopreparenano-sizedSiCpowder,SiH4andC2H4ofhighpurties,asstartingmaterials,weremixedtacertainrationandintroducedintotheresactioncell.Thegasesflewacrossthelaserbeamorthogonallyandthuswereheatedbylaserbeam.Thenano-sizedSiCultrafinepowderwswereformedthroughthermicgasreation.Thefinalproductivityofthisprocesswas97%,Theobtainedpowderswerecharacterizedandanalyzed.ChemicalanalysisrevealedthattheSiCcontentwas95.38wt%,Oxygen,theprimaryimpurity,weighted1.32%whiletraceimpurities,suchascalcium,magnesiumandothermetals,wereonly0.03%,XRD,XPSandTEMindicatedthatthpowderparticleswerenearlysphericalandnotagglomerated.Theparticlesizerangedfrom10nmto25nmwithanaverageof15nm,Theparticlestredtobenoncrystalline.