简介：美国国民半导体公司最近宣布该公司正在研制一种集十几种芯片功能于一体的功能一体化的新型芯片。这表明芯片的电脑可能因此产生一次变革。

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简介：提出了基于K-means聚类和SPIHT编码的红外图像压缩算法。通过采用小波域系数的SPIHT编码压缩，克服了JPEG标准压缩算法在低比特率下严重的方块效应；通过K-means聚类算法，克服了嵌入式零树编码算法（EZW）没有充分考虑到图像小波系数同一子带中相邻元素之间相关性的缺陷。实验结果表明，此算法对红外图像具有很好的边缘和纹理保持性能。

简介：传统的分子材料具有均一性高、溶解性好以及易于加工与复台等优良特性，但由于其构成分子的尺寸太小，很难表现出纳米粒子所具有的特异的光学、电学和磁学等性质。由于制备方法的限制，目前纳米材料的研究局限在具有一定粒径或分子量分布的纳米粒子所构成的混合物体系，因而阻碍了对介观现象及其本质的深入认识，限制了材料性能的进一步提高。

简介：体全息对小粒子记录及再现的影响关系到体全息材料在粒子场检测领域的应用前景,提出结合角谱传播理论与多光栅耦合波理论进行体全息图衍射分析的方法,并数值模拟了微米量级小粒子衍射光场的体全息记录与再现。数值分析结果表明体全息理论并不能像薄全息理论那样精确的再现出原始物光。其再现光场的角谱分布相对于原始光场存在高阶衰减,这使得再现光场成像后的图像边缘模糊,而且模糊程度还会随着粒子尺寸的下降逐渐上升。虽然这一现象为粒子边缘判读带来困难,但是再现图像的径向强度分布可为提高判断精度提供有益的参考。

简介：用3维粒子模拟程序研究了相对论强激光和高密度等离子体相互作用引起的电磁不稳定。数值模拟表明，在线偏振强激光作用下，等离子体表面出现了电磁不稳定性。形成的不稳定结构随时间发展和激光功率密度的增加进一步深入到等离子体内部，最终使等离子体表面处激发饱和自生磁场。这种由电子速度各向异性而产生的自生磁场对激光有质动力推开电子时所形成的电子热流产生抑制作用，并将直接影响电子加速效率。

简介：通过把脉宽为lOns、波长为1064nm的激光脉冲聚焦通过K9玻璃的方法，研究了玻璃的损伤形貌特点与高强度纳秒激光脉冲的关系。当激光脉？中聚焦在样品中心时，产生的破坏点的特点为前端大，后端小，并且纵向出现裂纹，使用高强度激光与物质相互作用时产生的激光支持的爆轰波特点解释了这些破坏特点。当激光脉冲聚焦在样品表面时，产生的破坏特点是串状的，即带有点状破坏的丝状破坏，这是由于内部缺陷或颗粒和动态自聚焦作用的结果。

简介：ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料。制备出了直径为2.9nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点。从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410meV。这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关。研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的（Huang-Rhys）因子及平均声子能量。结果表明在50~373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的。

简介：考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布，给出A1GaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15～45℃温度范围，其模式增益具有低的偏振相关性（2%以内）；当注入载流子浓度从2×10^24m^-3。增大到3×10^24m^-3时，模式增益逐渐增大，且能在一定温度下保持低的偏振相关（3％以内）。

简介：针对液晶可调滤光器所处的空间热环境设计了热真空及高低温循环试验方案,旨在通过试验验证液晶可调滤光器在空间热环境下的器件光学性能。热环境试验的结果表明,液晶可调滤光器的光谱曲线较试验前仅漂移不超时0.1倍带宽,透过率降低不超过2%。为确保器件在空间温度环境下的性能更加可靠,又设计了液晶可调滤光器的热控改进方案,将工作温度控制在35±0.5℃。仿真结果表明LCTF器件经过合理的温控设计完全可以适应空间热环境。