简介：综述ZnS薄膜制备技术的特点.ZnS薄膜材料具有工艺容易控制、成本低等特点,极具市场发展潜力,尤其作为高阻层在CIGS太阳能电池的应用,有望替代传统使用的CdS膜.

简介：用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅样品，然后用脉冲激光沉积法以PS为衬底生长一层ZnS薄膜．用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别表征了ZnS薄膜的结构、形貌和ZnS／PS复合膜的光致发光性质．XRD结果表明，制备的ZnS薄膜沿G—ZnS（111）方向择优生长，结晶质量良好，但衍射峰的半峰全宽较大；SEM图像显示，ZnS薄膜表面出现一些凹坑，这是衬底PS的表面粗糙所致．室温下的光致发光谱表明，沉积ZnS薄膜后，PS的发光峰蓝移．把ZnS的蓝绿光与PS的橙红光叠加，在可见光区450～700nm形成了一个较宽的光致发光谱带，ZnS／PS复合膜呈现较强的白光发射．

简介：ZnS是直接带隙半导体材料,和具有良好的光电能力,广泛用于光电子学,如紫外检测器、太阳能电池,以其完美的光电转换效率和纯净度,洁净效率等效于CdS薄膜。关键词ZnS制备；ZnS紫外探测器；ZnS紫外探测器应用1.ZnS的结构介绍硫化锌是带隙半导体材料的其中之一。一般来说，白色粉状固体有两种变体高、低温变体，细胞参数a0=0.384nm,c0=0.5180nm,z=2。ZnS的晶体结构可以被认为是精密的六边形堆积。ZnS俗称闪锌矿，还具有面心立方的晶体原子结构，细胞参数a=0.5406nm,z=4。在两种晶体结构中，每四个硫离子形成一个四面体，四面体中含有一个锌离子，构成硫化锌四面体。导致了不同的光电子学性能。比较结构化的研究了材料的发光原理。带隙分别为3.67-3.75eV和3.91-3.94eV。本征发光为蓝光带，但对ZNS纳米材料的制备及不同尺寸、掺杂和形貌的ZNS的发光性能尚未深入研究6。2.ZnS的基本性质硫化锌是一种直接宽带隙半导体，具有良好的压电、热电和光电导性能5。锌具有各种优良的性能，广泛应用于许多领域。3.ZnS作为紫外探测器的选择依据紫外探测器可以将电辐射信号变换成其他易于接收的信号。微粒激发原子核产生电子，然后由外面收光电子。从其间得到的为得到的变化值。紫外探测器的主要性能参数有效率、应答性、应答时间、电流等。根据性能和设计要求，制作紫外探测器需要带隙半导体材料。材料必须具有带隙大、导热性能好、饱和度高等特点。可用它来造出超高频电路，辐射耐久好的电路、高密度集成的电路，还有大功率电子学器件。ZnS作为一种典型的宽频带隙半导体，在优良的光电性能方面具有最显著的优势。根据硫化锌的宽带隙和光电导率高的特点，可以发现硫化锌是制作紫外探测器的良好材料，可以用于制作紫外探测器。同时具有无毒无害、节能环保、生产工艺简单、体积小、在光电集成电路中的广泛应用等优点，具有很大的应用价值。4.ZnS制备方法ZnS是一种应用广泛的纳米材料，制备方法很多。由于其用途不同，制备方法也不同。制备的锌一般有粉状、块状和薄膜状。锌的优良性能主要取决于颗粒的大小、分布和形貌。因此，如何控制颗粒的大小和分布，以及形貌和表面的修饰是研究的关键。ZnS8的制备方法多种多样。到目前为止,大量的文献报道的合成硫化锌,包括模板方法9,元素直接反应法10、11降水方法,水热合成方法12,微乳液方法13,溶胶-凝胶法14,15,化学气相沉积方法等。这些方法涵盖多个学科,每个都有自己的优点和缺点。根据合成环境的不同，可分为固相法、气相法和液相法。5.ZnS的应用ZnS是其中具有宽带隙的半导体材料之一。ZnS作为过渡金属硫化物，具有许多优良的特性，是一种重要的发光材料和半导体材料。它在荧光粉、发光、传感器、红外电子材料领域有着很好的发挥用途。主要用途有(1)在材料中的应用。ZnS是其中过剩本征半导体之一。它具有电性和热粒子性，是很优秀的基体。然而ZnS没有能计算的性能。(2)在发光材料中的应用。锌是最佳基体之一，流行在离子、显示、材料等领域。此外，它还被用于传感器检测x射线和伽马射线。还可用于制作太阳能器件、纳米激光激光，广泛应用于具有光电识别标志的器件之中。6.紫外探测器的用途紫外探测器能起到警示的作用，还可以与军队进行联系，还能用紫外线进行观察周围的情况，还可以用来制造导弹，可以作为国家防御的非常重要的一部分，所以十分受到了军队的高度重视和审视。紫外光探测器可以用于科学的研究，队科技的进步起到十分重要的作用，还对国家军队的防御起到至关重要的作用，对于飞向天空的梦想也起到很重要的作用，还可以对环境的保护等很多很多的领域起到关键性的作用。不仅如此，它对医学的研究。还有各种各样的生物的研究都起到很重要的作用。在日常生活中，它可以作为uv-a(230~320nm)和uv-b(280~320nm)紫外线测量仪，适用于个人在海滩、山区等紫外线丰富的环境中使用。不仅如此，在普通的农民的领域，紫外探测器还可以广泛应用于气体的燃烧，对汽车的尾气进行观察，还对于火灾的防备，还有周围环境的检测与防备，对于细胞进行癌分析，还对DNA进行观察与研究，具有很大的发展潜力。7.硫化锌紫外探测器的制备近十年来，在带隙半导体中，ZnS由于具有很优秀的性能，如正常温度情况下，ZnS光学性能还不错，成为一种很好的选择。ZnS是一种很有前途的硅衬底集成光电器件的制备材料。总结本文对硫化锌的制备进行了探讨，并对硫化锌的应用领域进行了总结。现在为止我们制备ZnS薄膜的方法有真空蒸发法、化学气相沉积法、磁控溅射法、模板法、溶胶-凝胶法等。

简介：

简介：Theelectroluminescencethinfilmsdopedwitherbium,fabricatedbythermalevaporationwithtwoboats,areanalyzedbyX-raydiffraction(XRD).Therelationshipbetweenelectroluminescencebrightnessandmicrostructureofthethinfilmsisobtained.Theresultsrevealthatthelargegrainsizeinhighindexplaneofdepositedmicrocrystallinefilmhasaneffectonelectroluminescencecharacteristicsofthefilmdevices.

简介：国风塑业股份有限公司公司地址：合肥国家高新技术产业开发区天智路36号邮政编码：230088公司电话：0551—5329009

简介：ZnSnanostructureswithdifferentdimensionsandstructure-relatedpropertieswerereviewedinthispaper.Thecrystallizationofnanostructuresfrom0D,1Dto3D,aswellastheheterogonouscounterparts,wassummarizedintheaspectofzincblende,wurtzitestructure,andtheircombinations.Furthermore,thestructure-relatedenergybandsandthecorrespondingphotoelectricpropertiesofZnSnanostructureswerealsofocused,inwhichwemadeabriefsummaryoftheco-relationsbetweenphotoluminescenceandcrystallography,especiallythedefectrelatedluminescencepropertiesofZnSnanocrystal.

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简介：Chargedcentersexistinthephosphorlayerofthecommonthinfilmelectroluminescentdevices.Inthisarticle,electronscatteringprocessduetothesecentersisstudiedthroughphaseshiftanalysis.Thescatteringratesindifferentcasesareobtainedandcomparedwithotherimportantscatteringprocesses.ElectrontransportprocessedunderdifferentchargedcentrersconditionsaresimulatedbymeansofMonteCarlomethod.Thequantitativeresultsabouttheinfluenceofchargedcentersonelectronenergyareobtained.

简介：我们制作胶体的CdSe/ZnS量点(QD)并且poly的电影(9-vinylcarbazole)(PVK)在二个电极之间夹了的混血儿。电镀物品光(EL)的电压和温度依赖被测量。胶体的QD的限制量的空效果清楚地被观察。在QDEL探索机制，混合电影与胶体的QD的不同集中被制作。电子和洞被建议独立分别地在QD和PVK被搬运。

简介：利用微乳液法制备出ZnS∶Cu纳米微粒.透射电子显微镜(TEM)和动态光散射(DLS)测试结果表明,所得微粒粒径为2～8nm.XRD结果表明,ZnS∶Cu纳米微粒为立方晶型结构,与体材料ZnS的晶型结构一致;在紫外吸收光谱中,ZnS∶Cu纳米微粒吸收峰蓝移.发射光谱表明ZnS∶Cu纳米微粒产生一个位于482nm的绿色发射带.

简介：One-dimensional(1D)nanomaterialsandnanostructureshavereceivedmuchattentionduetotheirpotentialinterestforunderstandingfundamentalphysicalconceptsandforapplicationsinconstructingnanoscaleelectricandoptoelectronicdevices.Zincsulfide(ZnS)isanimportantsemiconductorcompoundofII-VIgroup,andthesynthesisof1DZnSnanomaterialsandnanostructureshasbeenofgrowinginterestowingtotheirpromisingapplicationinnanoscaleoptoelectronicdevices.Thispaperreviewstherecentprogresson1DZnSnanomaterialsandnanostructures,includingnanowires,nanowirearrays,nanorods,nanobeltsornanoribbons,nanocables,andhierarchicalnanostructuresetc.Thisarticlebeginswithasurveyofvariousmethodsthathavebeendevelopedforgenerating1Dnanomaterialsandnanostructures,andthenmainlyfocusesonstructures,synthesis,characterization,formationmechanismsandopticalpropertytuning,andluminescencemechanismsof1DZnSnanomaterialsandnanostructures.Finally,thisreviewconcludeswithpersonalviewstowardsfutureresearchon1DZnSnanomaterialsandnanostructures.

简介：

简介：ZnS:有到3.2nm的从1.9nm的粒子尺寸的Mn2+nanocrystals(NC)经由化学降水方法被综合与不同[S2]/[Zn2+]比率。为Mn排放的尺寸依赖者腐烂展出双指数的行为。并且在毫秒时间领域，二一生值能两个都与尺寸被弄短增加，它被归因于提高了在主机和Mn2+杂质之间的相互作用。一个分子的结构模型被建议解释二个一生部件的趋势，它被相关到S空缺的数字(对)在Mn2+附近的缺点。

简介：通过溶剂热法制备了不同锰离子掺杂量的硫化锌粉体转光剂，并利用SEM、XRD和荧光分光光度计对其形貌、组分、结构及发光性能进行了研究。结果显示，锰离子的掺入影响了硫化锌粉体的粒径，出现晶粒细化的现象。以紫外光作为激发光源，当锰的初始浓度不高于20％时，样品的发光峰通过高斯分峰可分为2个，分别位于465~475nm和570~585nm处；当锰的初始浓度高于20％时，硫化锌的发光峰消失，只出现锰的发光峰（580nm左右），即得到了预期的红色发光。

简介：在甲醛溶液中,以Zn(Ac)2和TAA为源材料,通过微波辐射加热合成了ZnS半导体纳米粒子,并用XRD、TEM、紫外反射光谱进行了表征.

简介：通过控制温度和湿度,用垂直沉积法快速制备出了不同厚度的高质量二氧化硅和聚苯乙烯胶体晶体薄膜。用透射光谱和反射光谱对制备的样品的光学特性进行了表征,并与理论计算结果进行了对比分析;用衍射光谱中的布拉格衍射峰两侧的波纹测量了薄膜厚度,并对薄膜厚度对其光学特性的影响进行了分析,为用厚度调制胶体晶体薄膜光学特性和实际应用创造了条件。

简介：因为stabilizer是被看到的，新奇水溶性的做Mn的CdTe/ZnS核心壳量的合成点使用一个建议超声的助理方法和3-mercaptopropionic酸(MPA)。获得高光的紧张，包括pH价值，反应温度，倒流时间和空气，preparative以后处理被调查了。为做Mn的CdTe/ZnS的优秀荧光，最佳的条件是pH11，倒流温度100慣?慰慲敭整獲漠?敫潴??戠瑯?湩瘠捡潵愠摮愠畱潥獵猠汯瑵潩吗？

简介：ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料。制备出了直径为2.9nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点。从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410meV。这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关。研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的（Huang-Rhys）因子及平均声子能量。结果表明在50~373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的。

简介：描述表面在nanocrystals熄灭孤立的离子中心的一个模型基于在做的离子和熄灭中心的nanocrystalline表面之间的精力转移被建议。熄灭的率在nanocrystal取决于离子的位置，在非选择的刺激下面的因此腐烂曲线通常是非指数的。与这个模型一起计算的腐烂曲线在对T-4(1)的好同意>(6)在ZnS的A(1)排放:Mn2+nanocrystals。