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  • 简介:<正>恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.近日宣布推出SiGe:C低噪声放大器(LNA),进一步提高了GPS信号的线性度、噪声系数以及GPS(包括GLONASS和伽利略卫星定位系统)的接收效果,同时继续保持恩智浦在此类产品市场上的体积最小。BGU700xLNA产品仅需两个外部元件,节省50%的PCB面积和10%的器件成本。

  • 标签: 低噪声放大器 SiGe:C LNA 噪声系数 恩智浦 线性度
  • 简介:SiGe(硅锗合金)BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

  • 标签: 硅锗合金 BICMOS工艺 异质结双极晶体管 BBGate工艺 BAGate工艺 BDGate工艺
  • 简介:TomoreindepthunderstandthedopingeffectsofoxygenonSiGealloys,boththemicro-structureandpropertiesofO-dopedSiGe(including:bulk,(001)surface,and(110)surface)arecalculatedbyDFT+Umethodinthepresentwork.Thecalculatedresultsareasfollows.(i)The(110)surfaceisthemainexposingsurfaceofSiGe,inwhichOimpuritypreferstooccupythesurfacevacancysites.(ii)ForOinterstitialdopingonSiGe(110)surface,theexistencesofenergystatescausedbyOdopinginthebandgapnotonlyenhancetheinfraredlightabsorption,butalsoimprovethebehaviorsofphoto-generatedcarriers.(iii)ThefindingaboutdecreasedsurfaceworkfunctionofO-dopedSiGe(110)surfacecanconfirmpreviousexperimentalobservations.(iv)Inallcases,Odoingmainlyinducestheelectronicstructuresnearthebandgaptovary,butisnotdirectlyinvolvedinthesevariations.Therefore,thesefindingsinthepresentworknotonlycanprovidefurtherexplanationandanalysisforthecorrespondingunderlyingmechanismforsomeoftheexperimentalfindingsreportedintheliterature,butalsoconducetothedevelopmentofμc-SiGe-basedsolarcellsinthefuture.

  • 标签: SIGE 计算结果 电子结构 掺杂 O型 锗硅合金
  • 简介:SiGe半导体公司现已进一步扩展其Wi—Fi芯片系列,在产品中加入专为降低便携式消费类电子产品尺寸及功耗而设计的无线射频(RF)前端方案。全新的RangeCharger器件包括SE2550LRF前端模块及SE2523L功率放大器,主要面向802.11b/g无线局域网(WLAN)系统。SE2550L在一个微型芯片级封装内集成了收发器和天线之间所需的所有RF功能,其侧高仅0.6mm。

  • 标签: Wi—Fi 前端 芯片 功率放大器 RF 天线
  • 简介:TheDCcharacteristicsofSiGeHBTirradiatedatdifferentelectrondosehavebeenstudiedinacomparisonwiththoseofSiBJT.Generally,IbandIb-Ib0increase,Ic,Ic-Ic0andits+/-transitionVbeaswellasDCcurrentgainβdecreaseswithincreasingdose;increaseofIb-Ib0withincreasingdoseforSiBJTismuchlargerthanthatforSiGeHBT;βincreaseswithVbeorIb,butdecreasesatIb<0.25mAwithIb,andcongregatesathigherdose;andadamagefactord(β)ismuchlessatthesamedoseforSiGeHBTthanforSiBJT.SiGeHBThasmuchbetteranti-radiationperformancethanSiBJT.SomeanomalousphenomenaforincreaseofIc,Ic-Ic0,Ib-Ib0andβatlowdosehavebeenfound.Someelectrontrapshavebeenmeasured.Themechanismofchangesofcharacteristicsisdiscussed.

  • 标签: 微波器件 砷化镓 硅-锗 HBT 直流电 半导体器件
  • 简介:Maxim推出完全集成、850~1550MHzSiGe无源混频器MAX2051。该器件专为多载波电缆前端下行视频、电缆调制解调器终端系统(CMTS)、视频点播和DOCSIS兼容的边沿QAM调制以及无线基础设施等应用而设计,在较宽的50~1000MHzIF频带内具有优异的线性度和杂散抑制性能。当配置为下变频器时,该单个IC提供35dBm的IIP3、

  • 标签: MAXIM 高线性度 混频器 电缆调制解调器终端系统 SIGE 无源
  • 简介:摘要目的分析本地常见变应原分布特征,为合理防治变应性鼻炎提供依据。方法利用间接酶联免疫冷光分析技术,对2018年7月至2019年9月间在武汉大学人民医院进行变应原特异性免疫球蛋白E(sIgE)筛查的1 190例变应性鼻炎患者进行血清学检测,其中,男性708例,女性482例。按年龄将受试患者分为0~6岁、7~17岁、18~50岁、51~80岁组。采用SPSS 23.0分析受试者年龄、性别以及季节等因素对变应原分布特征的影响。结果最常见的变应原是粉尘螨阳性率为86.89%(1 034/1 190)。受试者中变应原组合数量以2种最为常见(46.47%,553/1 190)。男性和女性人群最常见的变应原均为粉尘螨(男性86.86%,615/708;女性86.93%,419/482)。但男性猫毛、德国蟑螂、牛奶检测的阳性率高于女性(P<0.05)。尘螨类变应原均在7~17岁组中阳性率最高,花粉类变应原在18~50岁组及51~80岁组中阳性率高于其他年龄组, 差异有统计学意义(P<0.05)。春季尘螨类变应原阳性率要高于夏季,猫毛阳性率在秋季最低,牧草阳性率在春季最高,而豚草阳性率在秋季最高。鸡蛋白、牛奶、蟹阳性率也存在季节差异,差异有统计学意义(P<0.05)。结论武汉地区变应性鼻炎患者最常见变应原为粉尘螨,且尘螨类变应原在不同年龄组及不同季节均存在明显差异。花粉类及食物类变应原阳性率存在季节差异,提示吸入性及食物性变应原对武汉地区变应性鼻炎患者诊疗及预防过敏具有重要价值。

  • 标签: 鼻炎, 变应性 变应原 免疫球蛋白E 酶联免疫吸附测定
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

  • 标签: 微波集成电路 SiGe异质结双极晶体管(HBT) 器件参数 带宽
  • 简介:Anultra-highspeed1:2demultiplexerforopticalfibercommunicationsystemsisdesignedutilizingtheIHP0.25μmSiGeBiCMOStechnology.Thelatchofthedemultiplexercorecircuitisresearched.Basedonthecurrentmeasurementcondition,ahigh-gainandwide-bandwidthclockbufferisdesignedtodrivelargeload.Transmissionlinetheoryforultra-highspeedcircuitsisusedtodesignmatchingnetworktosolvethematchingproblemamongtheinput,outputandinternalsignals.Thetransientanalysisshowsthatthisdemultiplexercandemultiplexone100Gb/sinputintotwo50Gb/soutputs.Thechipareaofitis0.7mm×0.47mm,theinputandoutputdataarebothat400mVP-PPCMLstandardvoltagelevel,andthepowerconsumptionoftheICis900mWatthepowersupplyof-4V.

  • 标签: 集成电路 Gb 晶体管 BICMOS技术 信号分离器 超高速电路
  • 简介:C2C的模式在中国完成了培养用户网络购物习惯的使命,而最终要盈利却不得不绕道B2C。4月17日,易趣网副总裁常琳的晚餐时间是和易趣新平台上的个人大卖家们一起度过的。席间,那些自eBay易趣时代就栖身此处的大卖家们不断地向常琳提出各种吸引卖家进驻的建议。

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  • 简介:Anultrahighvacuumchemicalvapordeposition(UHV/CVD)systemisintroduced.SiGealloysandSiGe/Simultiplequantumwells(MQWs)havebeengrownbycold-wallUHV/CVDusingdisilane(Si2H6)andgermane(GeH4)asthereactantgasesonSi(100)substrates.ThegrowthrateandGecontentsinSiGealloysarestudiedatdifferenttemperatureanddifferentgasflow.ThegrowthrateofSiGealloyisdecreasedwiththeincreaseofGeH4flowathightemperature.X-raydiffractionmeasurementshowsthatSiGe/SiMQWshavegoodcrystallinity,sharpinterfaceanduniformity.Nodislocationisfoundintheobservationoftransmissionelectronmicroscopy(TEM)ofSiGe/SiMQWs.TheaveragedeviationofthethicknessandthefractionofGeinsingleSiGealloysampleare3.31%and2.01%,respectively.

  • 标签: GESI 量子阱 UHV/CVD 透射电子显微镜
  • 简介:摘要目的通过对皮肤过敏性疾病患者特异性IgE(sIgE)及总IgE的检测,了解赣榆地区变应原与皮肤过敏疾病的关系,为临床预防和治疗提供依据方法采用德国Mediwiss公司免疫印迹过敏原定量检测系统,对我县皮防所门诊部102例皮肤过敏患者进行总IgE及sIgE的检测结果102例患者中总IgE阳性率82.35%,sIgE阳性率63.73%。吸入组以户尘粉尘螨阳性率最高(36.92%),食入组阳性率最高的是鱼虾蟹(21.54%),且患者对两种或两种以上过敏原过敏占比48.04%远高于单纯对一种过敏原过敏(15.69%)结论免疫印迹技术检测IgE及sIgE的结果,可以辅助临床预防、诊断和治疗皮肤过敏性疾病

  • 标签: 皮肤 过敏性疾病 过敏原 IgE
  • 简介:HerbertSchildt是个闲不住的人,在《Java艺术》出版之后,马上又与WendyRinaldi(也是一个知名计算机图书作者)合作编写了《C++艺术》(TheArtofC++),将自己的C++编程知识和技术以“艺术”的形式展示给整天面对“枯燥”代码的C++程序员。目前大家还买不到这本书,从McGraw-HillOsborne网站得来的消息,该书将于2004年5月正式出版,定价是$39,99。

  • 标签: 《C++艺术》 编程 应用程序 图书介绍
  • 简介:当我怀着无限的恐惧看着高三向我走来的时候,我真的是服了。虽说我尽量两步化作三步而且甚至把中国妇女的传统步态都抬出来,但这并不影响它为缩短距离而做出的巨大牺牲——三步并作一步。这不禁让我想到了爱因斯坦是否也曾为考试而深深惶恐过才发现了相对论。

  • 标签: 征服 传统 恐惧 发现 中国妇女 使命