简介:采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。
简介:本文对日立化成工业公司新开发的IC封装用基板材料(MCL-E-679GT)的主要特性、技术构成、研发思路、运用相关材料等加以介绍、分析。
简介:介绍了刚-挠结合型印制电路板封装技术的原理、做法和在空间技术中应用的重要意义。
简介:介绍了刚-挠性结合裂印制电路板封装技术的原理、做法去和在空间技术中应用的重要意久。
简介:随着电子芯片向着高密度、高频率和小体积化方向发展,IC封装的结构尺寸及其互连线系统在信号完整性、损耗等多方面影响着整个电路系统的可靠性。因此,对IC封装及其互连线电特性的分析显得尤为重要。文章以四列直插芯片封装外壳模型为设计实例,利用AnsoftQ3D软件提取了该封装模型的寄生电阻、电容和电感(RCL),并结合Multisim软件对封装互连线上的信号完整性进行了简单的Ⅱ端口等效电路分析。从中认识到,随着频率的升高,由于寄生参数特别是寄生电感的存在,IC信号的性能会随之降低。IC封装设计者应使用协同设计的方法和理念,在有效提高封装电特性的同时降低封装成本及研发周期。
简介:摘要:伴随时间的不断推移,各个行业全部加快发展的速度与脚步,各个领域对所应用的产品也提出诸多要求,例如:军事领域、航天领域等,要求电子产品向着微型化的方向所发展和前进,从而满足多领域发展中所提出的要求,为此相关工作人员对柔性集成电路封装基板展开研究。实现线路尺寸缩小、检测精度达到微米级目标,从而满足不同领域对柔性集成电路封装基板所提出来的要求。柔性集成电路封装基板上面的痕类缺陷,如果没有应用科学的方法及时检出的话,很有可能会缩短其具体使用时间,甚至还会导致产品发生报废问题。因此,本篇文章主要对面向柔性集成电路封装基板的痕类缺陷检测进行认真分析,希望能够为相关工作人员起到一些帮助。