简介:AComputationalStudyofGasPhaseChemistryinCarbonNanotubeSynthessbyPECVD;AfieldpointbasedapproachforsensorconditioninginMO-CVDreactors;AMethodforReal-TimeControlofThinFilmCompositionUsingOESandXPS;Amechanism-basedmodelofchemicalvapordepositionofepitaxialSi{sub}(1-x)Ge{sub}xflirts
简介:[篇名]1.55-umsilicon-basedreflection-typewaveguide-integratedthermo-opticswitch,[篇名]120×90ElementThermoelectricInfraredFocalPlaneArraywithPreciselyPatternedAu-blackAbsorber,[篇名]4H-SiCEpitaxialGrowthfcrHigh-PowerDevices,[篇名]A90nmgenerationcopperdualdamascenetechnologywithALDTaNbarrier,[篇名]Acomparativemicrotribologicalinvestigationofdiamond-likecarbonfilmsforapplicationsinmicrosystems,[篇名]Acomparisonofmicrocrystailinesiliconpreparedbyplasma-enhancedchemicalvapordepositionandhot-wirechemicalvapordeposition:electronicanddeviceproperties.
简介:目的探讨呼吸运动对中央气道径线值的影响及其临床意义.方法2016年3—7月郑州大学第一附属医院放射介入科招募60名健康成人志愿者进行前瞻性研究.其中男32例,女28例,年龄25~54(34.0±9.1)岁.志愿者均行胸部多层螺旋CT(MSCT)检查,于深吸气末、深呼气末分别扫描全肺,薄层图像结合多平面重建技术(MPR),使用特殊纵隔窗(窗宽500HU,窗位-100HU)在吸气末、呼气末时测量中央气道横截面积,计算塌陷指数,测量左主支气管-右主支气管夹角(隆突角,∠C)、右上叶-中间支气管夹角(∠RI)、右中叶-右下叶支气管夹角(∠RMI)及左上叶-左下叶支气管夹角(∠LUI),并观察吸气末、呼气末时中央气道的形态改变.结果深呼气末,中央气道横截面积均少于吸气末相,差异均有统计学意义(P值均〈0.01).气管塌陷指数为19.7%±8.6%;右主支气管、中间支气管、右上叶支气管、右中叶支气管和右下叶支气管塌陷指数分别为21.4%±9.6%、14.7%±6.2%、15.5%±5.7%、10.1%±3.6%、24.5%±9.1%;左主支气管、左上叶支气管、左下叶支气管塌陷指数分别为24.0%±9.4%、15.1%±5.0%、27.6%±10.7%.左侧中央气道中,各级支气管塌陷指数比较,差异有统计学意义(F=32.696,P〈0.05);其中左主支气管、左下叶支气管的塌陷指数较大,与左上叶支气管塌陷指数比较,差异均有统计学意义(P值均〈0.05).右侧中央气道中,各级支气管塌陷指数比较,差异有统计学意义(F=38.154,P〈0.05);其中右主支气管、右下叶支气管的塌陷指数较大,分别与右上叶支气管、中间支气管、右中叶支气管塌陷指数比较,差异均有统计学意义(P值均〈0.05).呼气末与吸气末时比较,∠C增大,∠RI、∠RMI、∠LUI均减小,差异均有统计学意义(P值均〈0.01),其中∠LUI吸气-呼气差值最大.深吸气末时,中央气道的轴位横断面多为类圆形或卵圆形.深�