简介：摘要：本文聚焦于高纯碳化硅（SiC）粉料的制备工艺优化及其性能研究。鉴于SiC材料在半导体、陶瓷、航空航天等高科技领域的广泛应用，其粉料的纯度与性能对最终产品的性能具有决定性影响。通过对比多种制备工艺，选择了化学气相沉积法（CVD）和改进的自蔓延合成法作为重点研究对象，针对反应条件、原料预处理、后续处理等多个环节进行了详细的工艺优化。此外，还深入分析了不同工艺参数对SiC粉料性能的影响机制，为进一步优化提供了理论依据。

简介：【摘要】本文旨在探索从硅源到高纯碳化硅（SiC）粉料的绿色合成路径，并分析不同合成方法对环境的影响。研究了改进的自蔓延合成法和化学气相沉积法（CVD法）等绿色合成技术，通过优化工艺参数和选择环保原料，实现了SiC粉料的高纯度制备。同时，本文还介绍了新型绿色合成技术如生物质基合成法和光电化学合成法。在环境影响分析部分，合成方法的能源消耗、碳排放及废物处理情况，指出了绿色合成路径在减少有害物质排放、提高资源利用效率方面的优势。

简介：【摘要】本文深入研究了高纯碳化硅粉料从原料选择到成品控制的全流程质量控制方法。首先，探讨了原料选择与预处理对产品质量的基础影响，强调了高纯度原料及有效预处理的重要性。随后，详细分析了生产工艺流程中的混合、高温合成、冷却与后处理等各关键步骤，提出了优化参数和质量控制措施。本文的研究为提升碳化硅粉料生产质量、推动半导体材料产业发展提供了有力支持。

简介：阐述了碳化硅的结构,粉体和制品的制作方法,探讨了碳化硅作为一种新型材料的应用现状和发展前景.

简介：

简介：为了满足炼钢碳化硅类脱氧剂中碳化硅的分析，在参照国家标准方法的基础上，通过烧失率、助熔剂选择、线性化考核及精密度和准确度等条件试验，建立了红外吸收法测定炼钢碳化硅类脱氧剂中的碳化硅的分析方法。方法的回收率大于98％，相对标准偏差为0．5％～0．7％，准确度高，误差小，实用性强。

简介：碳化硅泡沫陶瓷具有气孔率高、热稳定性好等优良性能，被广泛用作金属溶液过滤器、高温气体和离子交换过滤器、催化剂载体等。重点介绍了碳化硅泡沫陶瓷的种类，阐述了碳化硅泡沫陶瓷的制备方法和影响碳化硅泡沫陶瓷产品性能的因素，展望了碳化硅泡沫陶瓷的发展前景。

简介：摘要：本文从四个方面阐述了高压碳化硅芯片封装技术。

简介：摘要：本文深入探讨了大尺寸高纯半绝缘碳化硅（Semi-Insulating SiC, SI-SiC）单晶生长过程中面临的主要挑战，并提出了相应的解决方案。针对杂质控制难题、生长速率与均匀性的矛盾以及晶体扩径与稳定性控制等关键问题，本文详细分析了现有技术的局限性，并介绍了通过优化物理气相输运（PVT）法、高温化学气相沉积（HTCVD）法等传统技术，以及探索新型生长方法如激光辅助化学气相沉积（LACVD）等手段，来提高SI-SiC单晶质量的研究进展。还强调了生长设备在单晶生长过程中的重要性，并讨论了通过设备创新来提升单晶生长稳定性和一致性的策略。实验结果表明，所提出的解决方案有效降低了杂质含量，提高了生长速率与均匀性，并实现了晶体扩径的稳定控制。

简介：

简介：通过对整流设备的测试和分析,制定改造方案。采用新技术,用较小的投资,不但解决了生产中出现的问题,还取得较大的经济效益和节能效果。

简介：摘要首先阐述了碳化硅材料的基本特性，介绍了碳化硅功率器件的种类及特点、典型应用。

简介：

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介： 摘要：为了准确表征纳米碳化硅粉末的粒径和结构，分别采用激光粒度仪、比表面分析仪、扫描电镜和透射电镜对同一批次纳米碳化硅粉末进行测试。结果表明，纳米碳化硅粉末的粒径基本集中在（50~112）nm，使用激光粒度仪测量的团聚颗粒，并不能完全表征单颗粒的粒径。利用表面积和粒径大小的几何相关性，可以表征纳米碳化硅粉末的粒径。使用扫描电镜和透射电镜微束分析技术不仅能够表针粉末形貌及结构，也能够客观表征纳米颗粒的粒径。

简介：摘 要：为改善化学机械抛光加工碳化硅试件过程中存在的表面质量差等问题，将超声振动辅助化学机械抛光加工碳化硅与化学机械抛光进行对比，研究超声振动辅助抛光的效果。

简介：摘要：碳化硅外延技术作为一种关键的半导体材料制备技术，被广泛应用于电子、光电和能源等领域。然而，在该技术的生产过程中，设备漏气问题成为限制设备稳定性和生产效率的重要因素。设备漏气不仅会导致反应气体的变化，还会引入不良杂质，影响产品的质量和性能。本文以氦质谱仪检测操作为例，详细分析碳化硅外延设备检漏技术。

简介：摘要：本文介绍了某反渗透海水淡化中试试验中，仅对原海水进行微絮凝后，直接将纯碳化硅浸没式超滤膜用于海水的预处理。对中试运行期间的多项参数进行了分析，包括跨膜压差（TMP）、产水淤塞指数（SDI）、反洗效果、用地面积等。结果表明碳化硅超滤系统产水SDI可以稳定保持在3.2以下、正常运行时的跨膜压差在-20~7kPa范围内，同时验证了有效的膜清洗方式。本试验证明了了碳化硅超滤单独作为海水淡化预处理工艺的可行性，为用地有限的海水淡化项目提供了一个有效的解决方案。

简介：以硅酸钠为硅源，蔗糖为碳源，硫酸为催化剂，采用溶胶一凝胶法和碳热还原反应合成碳化硅（SiC），并用X射线粉末衍射（XRD）、N2吸附一脱附和场发射扫描电子显微镜（FESEM）等手段对产物进行表征。实验结果表明，碳化硅试样具有典型的介孔材料特征，改变硫酸与蔗糖添加量可以调控和优化产物结构；当反应物配比n（C）：n（Si）：n（S）=3．00：1：0．44时，可制得比表面积为235m^2·g^-1、孔体积为0．46cm^3·g^-1的碳化硅。

简介：摘要：本文深入研究了基于物理气相传输法（Physical Vapor Transport, PVT）的高纯半绝缘碳化硅（Silicon Carbide, SiC）单晶生长工艺的优化。针对当前PVT法在生长过程中存在的纯度提升难、结晶质量不稳定及生产效率不高等问题，先分析了PVT法的基本原理及SiC单晶生长的热力学与动力学机制，随后从原料选择与处理、生长条件优化、生长过程监控与调控以及杂质与缺陷控制等方面提出了一系列优化策略。