简介：场效应晶体管具有输入电阻高、噪声系数低、受温度和辐射影响小等优点，在前置电压放大，阻抗变换电路，振荡电路、高速开关电路等方面应用也越来越广泛。在大屏幕电视机、彩色显示器、电脑的电源及主板、音响，手机、直流电机调速器等电路中都可看到场效应管的身影。而在实际维修中由于场效应管损坏引起的故障并不少见，因此掌握场效应管的原理、特性及测量判断的方法尤显重要。

简介：QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的，主要表现在三个方面：

简介：有机场效应晶体管（OFETs，OrganicFieldeffecttansistors）在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用，引起人们广泛的研究兴趣。本文推导了底部接触电极结构OFETs的解析模型，并且用数值方法研究了OFETs器件参量对OFETs性能的影响，并指出相应的优化途径。

简介：摘要：当前功率MOSFET芯片结构普遍为平面VDMOS及沟槽栅型MOSFET，无论何种结构，在产品的封装、筛选、运输、使用过程中，产品会出现不同的失效情况，本文将对平面VDMOS及槽栅型MOSFET在过流、过压、过功率以及静电失效模式下的参数失效模式及芯片表征现象进行详细描述，并根据产品产生失效的原因提出相应的解决方法。

简介：摘要目的本研究旨在开发一种高灵敏且简便的检测方法，实现对病毒核酸的快速检测。方法建立了一种基于石墨烯场效应晶体管的新型核酸检测方法。通过在石墨烯传感界面锚定化学小分子，然后修饰上DNA四面体探针，实现了对病毒核酸的检测。通过测试传感器件的转移特性曲线，可将探针与目标物杂交结合的生物信号转化为器件的电学信号，并通过晶体管器件的信号放大作用，实现了对目标分子的高灵敏检测。结果靶向新型冠状病毒(2019 novel coronavirus, 2019-nCoV)RNA的ORF1ab序列的DNA四面体探针与目标RNA通过碱基互补配对原则进行杂交结合。测试了唾液中不同浓度条件的2019-nCoV的核酸模拟样本，观察到随着目标核酸的浓度增加，晶体管传感器件的狄拉克点产生规律性的向左偏移。在100 μl的待测液，传感器件的最低检测浓度可达0.05拷贝/μl，且响应时间低至5 min。结论本研究开发了一种基于石墨烯场效应晶体管检测方法，极大地提高了对病毒核酸的检测灵敏度并缩短了检测时间。

简介：

简介：摘要:在现有矩形栅极U形沟道场效应晶体管与深肖特基势垒场效应晶体管的基础上，提出一种高集成双矩形栅极U形沟道双向隧穿场晶体管。新设计利用更高的肖特基势垒来最小化热电子发射电流，并采用矩形主栅极产生强大的带带隧穿电流作为正向电流的传导机制；引入一个矩形辅助栅极，以有效阻止反向偏置漏电流。新设计可在不使用掺杂工艺的情况下，获得更低的亚阈值摆幅、更小的反向漏电流、更高的Ion/Ioff比和更高的集成度，在更小的芯片面积上实现更优越的性能。

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简介：本文通过研究晶体管、场效应管电路符号,揭示了晶体管、场效应管电路符号表示的意义.并引导学生应用这些结论:一方面,准确识别给定的电路符号对应的晶体管、场效应管的种类;另一方面,准确画出给定类型的晶体管、场效应管对应的电路符号.期望本文对学习涉及晶体管、场效应管有关理论知识的学生有所帮助.

简介：采用脉冲激光沉积法，以元素比例为In：Ga：Zn=1：1：1的InGaZnO靶材作为实验靶材，在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm，宽长比为5：1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出，经过退火处理后，器件的各种参数均得到了提高：阈值电压为5．88V，开关比提高到10^5，且关态电流为pA量级，S仅为1．1V／decade，且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：

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简介：1947年12月23日，37岁的美国物理学家肖克莱和他的合作者在著名的贝尔实验室向人们展示了第一个半导体电子增幅器，即最初的晶体管。晶体管的发明成为人类微电子革命的先声。

简介：晶体管的工作状态分为放大、饱合与截止三个区,它们应用在线性放大器中或脉冲数字电路中各自具有不同的特点。本文的目的,是以NPN型管所组成的共射电路为例,来分析放大状态静态工作点的设置与非线性失真的关系,并从非平衡少数截流子在基区的分布入手来阐明开关状态的特点。一、线性放大器的失真与晶体管的开关作用晶体营运用在线性放大器中工作点的设置必须合理,如果工作点偏高可能引起饱合失真,工作点偏低又可能引起截止失真。但是,工作点如果较高而信号幅度却很小,则并不一

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：把闹钟的后盖打开,在电池正极端焊一根电线,在闹钟振铃开关正极上同样也焊一条线,将这两条线的另一端焊在准备好的一个小型插座上,然后把插座固定在闹钟侧面;另外再准备两根长电线,一端接在插头上,另一端接到门枢的按钮开关上。最后把

简介：通过图解分析法和微变等效电路分析法,对晶体管恒流源负载的等效静态电阻和动态电阻进行了详细分析,阐明了它们在不同工作状态下的变化情况,以指导具有晶体管恒流源负载的晶体管工作状态的确定.

简介：文章叙述了放大电路在小信号作用下，晶体管线性化电路模型的形成过程，并指出晶体管线性化处理在工程计算上带来的好处。

简介：本文从长期工作实践中摸索总结出晶体管电路中带有一定普遍现象的两类软故障:即接触不良和元器件(晶体等、电阻、电容)造成软故障的判断、检查与处理方法.