简介:摘 要 : 电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响下游晶圆制造产品质量,所以对其制造过程的金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从制造无金属污染的自动设备的技术指标和设计难点入手,研究了多晶硅表面金属污染的成因,然后分析了控制金属污染的技术,设计了无金属污染自动化设备。最后,为金属杂质含量的控制提供了重要的技术及设备。
简介:摘要:多晶硅是电子及光伏产业广泛使用的重要半导体和光电子材料。西门子现代化方法是多晶硅生产的主要技术,占多晶硅产量的80%以上。在多晶硅生产过程中,三氯硅合成(TCS)、三氯硅、四氯化硅冷氢化(STC)以H2的形式生成不同量的硅。文献表明,氯硅烷含有以STC为主的硅烷、以Si2Cl6为主的硅烷、以Si3Cl8为主的硅烷、少量的硅粉和金属氯化物,其中以Si2Cl6为主的硅含量最高,通过工艺对Si2Cl6进行重组分离气相色谱分析,得出139-142℃沸腾溶液中STC冷氢和TCS计算结果表明,约84.03%的SICL6来自STC冷加氢,其余15.97%的SICL 6来自TCS+H2还原过程。虽然许多学者在分析低多晶硅的组成方面做了大量的工作,但大部分都集中在高附加值的Si2Cl6上,缺乏系统的深入分析。
简介:摘要:电子级多晶硅是推动我国电子类行业以及新能源类行业持续前进的基础构成材料。截至2019年,全球的电子级多晶硅产能已经超过了31000吨,但是我国的电子行业中所采用的这类型基础原料依然需要依赖进口。电子级多晶硅产品对于质量的把控要求是极为严格的,目前,国内采用的生产手段主要有硅烷热分解以及三氯氢硅氢还原方式这两种类型,而全球基本上所有的多晶硅企业都会选择三氯氢硅氢还原的生产工艺来制种电子级多晶硅产品,目前国内也开始逐步与国际市场相互接轨,选择了较为常见的工艺手段生产该类型多晶硅原材料。本文主要是分析了采用三氯氢硅氢还原工艺制作多晶硅的过程中影响多晶硅品质的因素,并且就电子级多晶硅的生产工艺概况进行了探讨,希望能够为提升我国电子级高纯多晶硅生产工艺水平提供参考意见。