简介：在不同的溅射功率和溅射时间下，使用磁控溅射设备制备了系列薄膜Si／Fe（P1W，T1s）和Si/[Fe（P2W，T2s）／NiO（P3w，T3s）]10。利用小角X射线衍射测量了样品的衍射强度分布，并分别计算出了Fe和NiO在不同溅射功率下的沉积速率。实验结果表明，在测量范围内沉积速率与溅射功率之间存在线性关系。

简介：利用脉冲激光沉积装置在钼筒上沉积镧氧膜,通过俄歇能谱仪确定其表面成分并进行定量分析,结合离子刻蚀对薄膜进行剖面分析,实验结果表明,除去薄膜表面少许C,O吸附外,本制备方法污染小,定量分析证明薄膜为富镧的镧氧薄膜。

简介：采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究，分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明，采用PLD法在室温下可以制备出（002）结晶取向和透过率高于75％的ZnO薄膜，但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差，沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

简介：美国威斯康星·麦迪逊大学开发出一项新技术，可用于制造一种新型玻璃，其强度和稳定性比普通玻璃更好。一般情况下，一块玻璃突然冷却，其中分子无法自由运动，从而形成无序结构。而新工艺可让分子进行排列成有序结构。

简介：综述了电沉积技术制备纳米薄膜的研究，介绍了电沉积技术制备纳米膜的基本工艺，讨论了电沉积技术制备纳米薄膜的原理、分类、应用情况，阐述了目前存在的问题，并对今后采用电沉积技术制备纳米薄膜的研究方向提出了一些建议。

简介：本文利用尖端集电原理，在射频平衡磁控溅射过程中通过施加衬底偏压沉积了Cu20薄膜。然后用原子力显微镜和掠入射x射线衍射仪对薄膜样品的形貌和结构进行表征。研究结果表明，不管施加的是正偏压还是负偏压，所制备Cu2O薄膜的形貌和结构相差不大，均呈现出疏松多孔和（111）择优取向的特点。进一步地，从尖端集电的角度对平衡磁控溅射沉积过程中的偏压效应进行了合理解释。

简介：摘要 ：化学气相沉积法（ CVD ）制备石墨烯广泛应用于工业生产中，但转移薄膜的过程会造成石墨烯污染，对石墨烯性能产生影响。基于此，本文先分析了污染物对石墨烯薄膜造成的影响，然后简单介绍了污染物，最后提出了提高石墨烯洁净度的技术。以期不断提高石墨烯洁净度，提高其质量和性能。

简介：纳米金刚石薄膜的沉积实验在自行研制的热丝化学气相沉积系统上完成。基体为金刚石微粉研磨和酸蚀后的硬质合金片，反应气体为CH4和H2混合气，V（CH4）：V（H2）=1％-4％，基体温度800-1000℃，沉积时气压为0．8～2．0kPa。SEM观察表明，影响金刚石膜的表面形貌及粗糙度的关键参量是基体温度、反应气压及含炭气体的浓度，这些参数都会影响到薄膜的纯度、结晶习性和晶面完整性。沉积纳米金刚石薄膜工艺是通过高密度形核以及抑制金刚石膜在沉积过程中的晶粒长大来实现的。

简介：

简介：摘要金刚石具有许多优异的性能，但天然金刚石的价格也比较昂贵。金刚石薄膜的各种性质与天然金刚石几乎相同，具有非常广阔的工业前景。本文采用乙醇和氢气作为工作气源，利用微波等离子体化学气相沉积法，在较低的温度下制备了金刚石薄膜，并研究了乙醇浓度、反应气压对金刚石薄膜生长的影响。

简介：

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅样品，然后用脉冲激光沉积法以PS为衬底生长一层ZnS薄膜．用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别表征了ZnS薄膜的结构、形貌和ZnS／PS复合膜的光致发光性质．XRD结果表明，制备的ZnS薄膜沿G—ZnS（111）方向择优生长，结晶质量良好，但衍射峰的半峰全宽较大；SEM图像显示，ZnS薄膜表面出现一些凹坑，这是衬底PS的表面粗糙所致．室温下的光致发光谱表明，沉积ZnS薄膜后，PS的发光峰蓝移．把ZnS的蓝绿光与PS的橙红光叠加，在可见光区450～700nm形成了一个较宽的光致发光谱带，ZnS／PS复合膜呈现较强的白光发射．

简介：为了满足透明导电薄膜轻便、可折叠、高分辨率及快速响应的需求,在AZO单层透明导电薄膜研究基础上,尝试在柔性PET衬底上制备AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜。先利用光学薄膜设计软件对膜系进行设计优化,再参照此优化值制备研究不同AZO、Ag层对AZO/Ag/AZO薄膜光电性能的影响。通过合理的实验设计与对比,发现在柔性PET衬底上制备的三层AZO薄膜与在硬质衬底上制备的薄膜光电性能相当,且当三层AZO/Ag/AZO薄膜中AZO层厚度在40-45nm,Ag层厚度8nm时,在可见光波段的透过率高达到92%,电阻率低至4.0×10-（-5）Ω·cm,透明导电薄膜的品质因子最高为12.6×10-（-2）Ω-（-1）。得到的AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜具有与常见的ITO薄膜相比拟的性能。

简介：摘要院钻探机具，要带有最优的耐磨特性，以及最优的耐蚀特性；在苛刻的态势下，也应妥善运转。钻探机具固有的表面性能，涵盖了配件的耐磨特性。载能粒子惯常的沉积状态，关涉着摩擦薄膜特有的构架问题。要提升配件原有的耐磨特性，就应提高机具表层硬度，用气相沉积技术，接纳复合架构下的、多层级高结合力的层积思路，制备出硬度较高的表层。这样制备好的润滑薄膜，带有独特构架及特有的性能，能提快原有的钻探速率，供应可用的新技术。

简介：叙述了一种制备金属硫化物薄膜的新的光化学方法,并分析了该方法与传统化学方法制备金属硫化物薄膜之间的差别;根据影响光化学沉积的各种因素,对二元和多元金属硫化物薄膜的制备工艺研究进行了综述;对金属硫化物薄膜的光化学制备方法进行了展望.

简介：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.

简介：以水合氯化钌和乙醇钠为原料，首先制备了乙醇钌的乙醇溶液。通过对乙醇钌的乙醇溶液进行雾化，以2：1的氮氧比为载气，在400℃常压条件下沉积了RuO2薄膜。采用XRD和AFM分别表征了薄膜的结构及表面形貌，证实了Ru02薄膜的晶体结构，晶粒尺寸为21．4nm。通过电化学测试，RuO2薄膜的容量可达0．818F／cm2（549F／g），充放电性能良好。经1000次循环测试，剩余容量仍然可达到初始容量的92．1％，同时发现RuO2薄膜具有较低的阻抗，有利于薄膜电容器以大电流快速充放电。

简介：以ＴｉＣ１４为源物质采用常压化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２薄膜。用紫外光谱测定了膜的透过率，进而计算出折光率、消光系数、光学带隙能等光学参数。结果发现，在不同气流量、沉积温度为１００～２５０℃的条件下制备的ＴｉＯ２膜，其折射率在２．１６～２．８２范围内，消光系数在０．０４×１０－３～６．７０×１０－３范围内，光学带隙能在２．８～３．０８ｅＶ范围内。在光催化作用下，ＴｉＯ２膜用于处理苯酚溶液，苯酚的转化率高达５４．０５％。关键词##4化学气相沉积（ＣＶＤ）;沉积率;折光率;消光系数;光催化更多还原

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