简介：美国海军研究实验室（NRL）已经证明能够生长过渡金属氮化物Nb2N（氮化铌）薄膜。该薄晶体材料具有与氮化镓（GaN）相似的结构，但其电学和物理性质却显着不同。

简介：铌-钒控轧钢的冶金学原理已人所共知。近年来，氮化钛技术在低碳铌及铌钒钢中的应用正在不断发展。

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简介：摘要：

简介：摘 要：本文拟从反应气体流量、射频电源的功率、产品表面温度和产品与喷头之间的距离四个方面单因素探索每个工艺条件对产品钝化膜层质量所产生的影响，从中得出每个因素单方面最适宜生产产品的工艺参数。然后再通过正交实验，设计 4因素 5水平试样，将各个工艺参数的影响综合进行比较，从中得出最适合生产的工艺参数。在 650V高压 VDMOS功率器件的表面制备 4KÅ氮化硅钝化膜的最佳工艺参数组合为：反应气体流量比例为 38:14，射频功率为 350W，硅片表面的温度为 390℃，硅片与喷头的距离为 340mils。经过试验得出结论，供 VDMOS半导体技术工作者参考。

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简介：文章讨论了几种薄膜残余应力测试方法的优缺点，介绍了氮化物薄膜应力沿层深分布趋势的最新研究，偏压和N2分压工艺对薄膜应力的影响及几种调节薄膜残余应力的有效方法．脉冲偏压增大，薄膜残余应力显著增加：N2分压增大，薄膜残余应力显著增加．采用独立变化脉冲偏压或变化N2分压工艺制备的薄膜，其残余应力沿层深分布趋势明显均匀，薄膜残余应力可得到有效调整．

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简介：摘要：氮化硅具有良好的介电特性（介电常数低、损耗低）、高绝缘性，高致密性的氮化硅对杂质离子有很好的阻挡能力。PECVD法工艺复杂，沉积过程的控制因素较多，沉积条件对介质薄膜的结构与性能有直接的影响，氧化硅薄膜通常采用PVD和CVD技术来制备。目前，在PECVD系统中，通过反应，获得了氧化硅薄膜。薄膜的沉积是在具有等离子体热系统中进行的，液体源经固定温度加热后，通过管道系统进入沉积室。该方法具有设备简单，衬底与薄膜结合性好，成膜的均匀性和重复性好等特点。同时，较低的沉积温度有利于实现更小的畸变、更佳的共形沉积和更快的沉积速率。PECVD 制备的氮化硅薄膜具有强度高、硬度高、介电常数大、折射率可调、透射率高、光衰减系数小和化学稳定性好等特点广泛应用。

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简介：为选出合适的辅助离子源进行沉积制备c-BN薄膜,通过对高能和低能辅助镀膜离子源的重要性能进行比较研究之后,在单晶Si基体进行应用制备立方氮化硼薄膜,用红外光谱(FTIR)及光电子能谱(XPS)分析技术,对不同辅助离子源制备沉积的薄膜,进行比较表征,得出结论:低能辅助镀膜离子源,比高能辅助镀膜离子源更适用于制备立方氮化硼薄膜.

简介：文章建立了重量法测定草酸铌中铌量的方法。通过采用正交试验优化了测定的工艺参数，将草酸铌灼烧成五氧化二铌，通过质量的减少测定草酸铌中铌量。该方法的相对标准偏差小于0．4％，通过与不同方法的结果对照，方法的准确度和精密度良好，操作简便快速，易于掌握，完全能够满足生产工艺的需要。

简介：本文介绍Si3N4(代替部分金刚石浓度）配合铁基（以Fe代Co)结合剂氮化金刚石薄膜涂层节块，可大大降低成本，该节块性能良好，有较高使用效果及经济效益。

简介：以V2O5为原料,采用碳热还原法制备氮化钒,通过扫描电镜（SEM）和X射线衍射（XRD）观察与分析还原氮化产物的形貌与组成,分析产物的碳、氮、氧含量,研究原料配碳量、氮化温度和氮化时间等对还原氮化产物的影响。结果表明：还原氮化产物为碳氮化钒的固溶体。原料配碳量是影响反应产物中氮含量的关键因素,配碳比（质量分数）约为21%时还原氮化产物具有最高的氮含量14.76%;氮化温度应控制在1400~1420℃范围内,氮化时间达到4h即可实现氮化完全。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理

简介：摘要：Ti45Nb合金因其具有密度低、杨氏模量低、强度高和优异的耐腐蚀性能和抗自燃特性成为骨科植入物和航空紧固件用的理想材料。但因其组元Ti和Nb的熔点和密度差异大，采用传统VAR直接熔炼的方式易造成严重的Nb元素偏析。

简介：国风塑业股份有限公司公司地址：合肥国家高新技术产业开发区天智路36号邮政编码：230088公司电话：0551—5329009

简介：生长了一种新配比的铒掺杂铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅单晶（25PIN-44PMN-31PT-0.02Er2O3）,并对晶体做了完整的冷加工和极化,得到了沿〈001〉方向极化的晶体样品.在室温下利用椭圆偏振仪测量了晶体的折射率谱,通过最小二乘法拟合得到了晶体的赛尔迈耶尔方程各参数.其中Eo=5.471eV;Ed=22.56eV;k=227nm;So=0.8002×10^14m-2.利用紫外-可见-红外分光光度计获得了晶体透射率谱,晶体紫外吸收边为400nm.同时通过计算得到了样品的禁带宽度为2.94eV.

简介：通过对我国钽铌工业现状及参与国际竞争的优劣势分析,针对加入WTO对于我国钽铌工业的主要影响,提出了我国钽铌工业的发展对策,旨在促成我国钽铌工业在激烈的国际竞争中得到长远发展.