简介:目的探讨低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效.方法采用JAM-II型多功能半导体激光治疗仪(激光物质为GaA1As,激光波长650nm)对22例不同程度的义眼座暴露患者进行激光照射治疗,并将结果与既往采用药物及手术治疗的20例义眼座暴露患者比较.结果激光组22例全部愈合(100%);药物及手术组中轻、中、重度的愈合率分别为83.3%,63.6%和0.经采用X2检验之四格表精确检验法处理,2组间轻度患者的愈合率在统计学上差异无显著性意义(P=0.545),而2组间中度和重度患者的愈合率在统计学上差异有显著性意义(P<0.05).结论低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效优于药物及手术方法.可用于预防及治疗羟基磷灰石义眼座暴露.
简介:随着人们生活水平的不断提高,群众对日常生活,皮肤医学美容质量的要求。也就越来越高。被人们称为皮肤不治之症的太田痣、伊藤痣和鲜红斑痣(俗称黑胎记和红胎记),虽不影响人体生理机能,亦不危及生命。但影响容貌给人们造成严重的心理障碍,甚至对社会活动、就业、求职、婚姻和家庭生活带来不利影响。长期以来,医学工作者几乎采用了各种可以利用的治疗方法和手段,包括:高频、超高频、冷冻、化学剥脱、X线照射、磨削术、植皮、CO2激光、铜离子激光、同位索、贴敷等疗法.试图攻克这些顽症。然而这些方法的治疗原理都必须破坏病变组织,破坏正常皮肤的基底层、真皮层而形成不可避免的疤痕,使人们追求美丽只是一种梦想。
简介:根据半导体激光器的光功率与电流的关系,通过慢启动电路、纹波调零电路、功率稳恒电路等解决了使用中的电源在工作温度范围内其输出功率不稳定的问题.设计的电路稳定度达到4×10-4.