简介:通过金相观察、电化学腐蚀试验、晶间腐蚀试验和静态腐蚀失重试验,发现当热源间距为2mm时,接头在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀特性优于3mm和4mm时的接头。同时,该条件下焊接接头晶间腐蚀敏感性低于其它热源间距的接头。但热源间距对接头的均匀腐蚀速率影响很小。经过固溶淬火加时效处理的焊接接头耐电化学腐蚀性优于焊态接头,晶间腐蚀敏感性低于后者。另外,此热处理方法有助于减缓接头区均匀腐蚀速率。进一步分析表明,热源间距为2mm时的接头中,柱状晶在生长过程中,树枝晶得不到充分的发展,分枝较少,结晶后显微疏松等晶间杂质少,组织比较致密。固溶淬火加人工时效消除了焊缝的氢气孔,减少了侵蚀性阴离子对基体的吸附作用;同时,大量Mg、Si原子重新溶入铝合金基体,晶界杂质原子较焊态减少。
简介:摘要对于空心电抗器内表面的检测大多数都采用工业光纤内窥镜。工业内窥镜为获得大的视场角,一般采用超广角鱼眼镜头,图像畸变大,景深小;工业内窥镜一般采用光学直视系统进行观察,对观察者而言使用不便,即使使用了电视影像传输系统,受传像束分辨率的限制,也很难得到高质量的图像。
简介:为了满足透明导电薄膜轻便、可折叠、高分辨率及快速响应的需求,在AZO单层透明导电薄膜研究基础上,尝试在柔性PET衬底上制备AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜。先利用光学薄膜设计软件对膜系进行设计优化,再参照此优化值制备研究不同AZO、Ag层对AZO/Ag/AZO薄膜光电性能的影响。通过合理的实验设计与对比,发现在柔性PET衬底上制备的三层AZO薄膜与在硬质衬底上制备的薄膜光电性能相当,且当三层AZO/Ag/AZO薄膜中AZO层厚度在40-45nm,Ag层厚度8nm时,在可见光波段的透过率高达到92%,电阻率低至4.0×10-(-5)Ω·cm,透明导电薄膜的品质因子最高为12.6×10-(-2)Ω-(-1)。得到的AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜具有与常见的ITO薄膜相比拟的性能。
简介:摘要近年来,随着我国经济的快速发展以及高新技术产业规模的不断扩大,越来越多的电子类企业得到长足的发展。尤其是上世纪末期,这些电子类企业为获得更多的融资渠道、筹集更多的资金以及提升知名度而迈向股市,大量电子类上市公司的出现昭示在着新市场经济体制下,上市已经成为诸多电子类企业的首选发展途径。但是在发展的背后,不能够掩饰的是电子类上市公司的存货管理出现的问题,比如存货管理模式落后、存货监督力度不佳、大量流动资金滞留在存货物资上,严重地制约着上市公司的经营活动。所以,根据市场动向、产品周期、同行竞争、流动资产周转情况来建立长久的、战略性的存货控制机制是当下电子类上市公司提升存货控制的最佳策略。
简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。
简介:为了实现工业及电力自动化领域Profibus-DP总线信号的光传输,提高Profibus-DP总线通信的抗干扰性,提出一种基于纯数字电路的Profibus-DP总线光电信号转换模块设计方案,并完成系统的硬件设计、制作和调试。该系统采用纯数字电路将光信号和Profibus-DP差分信号统一变换为TTL逻辑电平信号,以TTL电平信号作为两种信号连接的桥梁,并设计巧妙的时序逻辑控制电路进行传输方向的识别和实时切换。实际测试和应用表明,该模块具有低成本、传输速率快、可靠性及抗干扰性强、误码率低等特点,达到了设计要求。
简介:采用溶胶-凝胶法在纯钛基体上制备Zn掺杂纳米TiO2薄膜(Zn-TiO2),研究不同热处理温度下Zn掺杂对纳米TiO2薄膜的物理性能、光阴极保护效果和光电化学性能的影响。研究表明,与未掺杂TiO2薄膜相比,Zn的加入提高了Zn-TiO2薄膜的光电化学响应,在300°C热处理后的薄膜使金属基体的电极电位下降最大,降低了897mV。SEM-EDS分析表明,Zn在掺杂薄膜中的分布不均匀,XRD结果显示Zn掺杂的薄膜比未掺杂的薄膜晶粒更细小。红外光谱结果表明,TiO2晶粒表面有Zn—O键生成。紫外光谱表明,Zn掺杂使Zn-TiO2吸收带边红移,扩大了TiO2的光响应范围。根据Mott-Shottky曲线可知,Zn-TiO2薄膜比纯TiO2薄膜的平带电位更负,载流子量更大。这说明在平带电位、载流子量和空间电荷层宽度的协同作用下,300°C热处理后的Zn-TiO2薄膜表现了最佳的光电化学响应。