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431 个结果
  • 简介:工业半焦经850℃水蒸气活化,浓硝酸处理,等体积浸渍硝酸铜溶液,干燥,煅烧制得新型低温CuO/AC脱硫剂,考查了脱硫剂制备参数-载铜对脱硫活性影响,并对不同载铜脱硫剂进行了TPR,EXAFS,XRD等表征,结果表明,载铜为5-15%(w)时,脱硫剂具有较高脱硫活性;5%载Cu为AC(活性焦)表面发生单层覆盖最大量,低于5%,活性组份CuO在AC表面高度分散,无体相CuO出现,但脱硫剂过低活性组份含量,使得脱硫活性较低;高于5%时,CuO在AC表面发生多层覆盖,且随着载铜继续增加,活性组份矣集和内部微孔堵塞严重,致使脱硫活性出现明显下降。

  • 标签: 脱硫 CuO/AC脱硫剂 截铜量 脱硫活性
  • 简介:从两个方面探讨金属拉伸试验试样有效性,一是要避免试样所具有的被测性能指标的“真值”明显地高于其所代表实际产品所具有的被测性能指标的“真值”,二是要避免试样所具有的被测性能指标的“真值”明显地低于其所代表实际产品所具有的被测性能指标的“真值”。结合核安全审评和监督过程中遇到实际问题,从不同角度解读法规条文。以理论分析为基础,并考虑到现实可操作性,对今后相关核安全审评提出建议。

  • 标签: 金属拉伸试验 试样 有效性 金属材料 民用核设施
  • 简介:1引言任何一种物理应有的属性是可以通过测量或计算、定量描述某一具体物体或现象某种特性。然而,辐射防护基本在实践中常常是不可测量,这也是由来已久事实。为此,1980年国际辐射单位与测量委员会(ICRU)第33号报告提出了“指数量”。此后,在辐射防护领域引起了一系列讨论,特别是对辐射防护测量中使用这个问题。讨论结果引出了ICRU第39号、43号、47号和51号报告。为了对外照射情况下区域监测和个人监测中用剂量当量作一详细规定,在39号报告中引入了实用量。后来ICRU第43号报告(ICRU,1988)和ICRU第47号报告(ICRU,1992)给出了有关这些补充资料。ICRU51

  • 标签: 个人剂量当量 吸收剂量 辐射防护 辐射权重因数 周围剂量当量 定向剂量当量
  • 简介:用NPL防护水平次级标准NE2550剂率仪对国防计量系统和有关厂矿防护水平60Co和187Csγ辐射场进行了照射测量和反平方律检验,并作了照射比对。137Csγ辐射场照射率最大相差+3.6%(2.58×10-6-2.58×10-4Ckg-1h-1),而60Coγ辐射场最大相差分别为+1.4%(2.58×10-4-2.58×10-3Ckg-1h-1)、+9.9%(2.58×10-6-2.58×10-4Ckg-1h-1)和+24.5%(2.58×10-7-2.58×10-6Ckg-1h-1)。60Co和137Csγ辐射场照射率,在一定距离范围内反平方律在±5%以内符合。

  • 标签: 照射量率 CO CS 防护水平 Γ辐射 辐射场
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,对(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在Jahn-Teller畸变,进行了原位高压研究。实验表明在外加压力作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角变化,样品中晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在两种不同畸变模式Q2和Q3,在外加压力作用下变化规律进行了讨论。由于这两种不同畸变模式在受到外力作用时,表现形为不一样,导致了位于a-b基面上Q2畸变模式消失,并且导致Q2畸变模式消失压力点随掺杂浓度增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构影响。结果表明,所研究SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下高温退火将改善化学配比均匀性。

  • 标签: 高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓
  • 简介:考察了锆助剂含量对钴基催化剂结构及费-托合成反应性能影响。结果表明,随着锆含量增加,甲烷生成受到抑制,重质烃选择性提高,重质烃合成操作温度区间加宽,且催化剂仍保持较高活性。TPR,H2-TPD,XRD及EXAFS等表征结果表明,锆助剂单层分散与硅胶表面,而钴以一定尺寸聚集态存在;随着锆含量增加,锆覆盖硅胶表面增加,裸露硅胶表面减小,而钴分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大,钴硅界面减小,有利于重质烃生成。另外,H2-TPD结果还表明,催化剂存在有从钴到锆硅载体氢溢流。

  • 标签: 含量 锆助剂 钴基催化剂 费-托合成 结构
  • 简介:首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫,在最经济烟气脱硫温度窗口(120-250℃)显示出高脱硫活性,考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂预氧化对硫脱活性影响,并对脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明:经250℃煅烧CuO/AC脱硫剂具有最高脱硫活性。200℃煅烧,前驱体Cu(NO3)2未完全分解:高于250℃煅烧,活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶,从而发生烧结,聚集,以上均导致脱硫剂活性下降,尽管不同温度煅烧CuO/AC表现出大脱硫活性差异,但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在,其中Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

  • 标签: CuO/AC 脱硫剂 制备 煅烧温度 脱硫活性 EXAFS
  • 简介:采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术,在室温下对晶粒尺寸为10nm锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42.9GPa和23.0GPa,实验结果表明,在16.3GPaTiO2发生了一次结构相变,由原来锐钛矿结构变为α-PbO2结构(TiO2-Ⅱ),该相变是不可逆。同体材料TiO2高压相变结果比较,由于晶粒尺寸效应,纳米尺寸锐钛矿TiO2相变压力明显高于体材料相变压力。

  • 标签: 钛矿 相变压力 晶粒尺寸
  • 简介:应用激光激发荧光谱实验对经热处理后及高压条件下氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析,实验显示,热处理效应和高压效应均导致薄膜荧光效率降低,前者表现为不可恢复,后者为可恢复即卸压后荧光效率恢复,表明导致荧光光谱效率降低微观机制不同,为氮碳薄膜荧光模型提供了新实验证据。

  • 标签: 氮碳薄膜 激光诱导 荧光效率 热退火
  • 简介:本文利用沉淀法制备了粒度分窄,无明显团聚ZrO2纳米微粒。考察了ZrO2纳米微粒修饰丝光沸石对二甲苯异构化影响。实验结果表明,经修饰后丝光沸石催化剂能有效地抑制副反应发生,提高二甲苯异构化选择性,超微粒子修饰丝光沸石催化活性和选择性明显优地体相材料修饰样品。

  • 标签: ZrO2 纳米微粒 丝光沸石 二甲苯 异构化 催化剂
  • 简介:采用溶胶-凝胶法制备CoMoO4催化剂,经K助化后分别在空气中于400-800℃下进行焙烧,得到氧化态样品,然后经硫化制得硫化态K-Co-Mo催化剂,对氧化态样品乙醇分解性能及硫化态样品CO加氢合成低碳醇反应性能进行了测试,运用X射线衍射(XRD)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)对样品进行结构表征,乙醇分解性能测试表明,催化剂表面酸性较弱,且随着焙烧温度升高变化不大,合成醇性能测试结果则显示,催化剂焙烧温度升高后,其合成醇产率逐步降低,但醇选择性基本不变,经400℃焙烧样品,具有最好催化活性。结构分析结果表明,氧化态样品中存在多种K-Mo-O物种,且随着焙烧温度提高,钾铝之间作用增强,样品更难以被完全硫化。

  • 标签: K-CO-MO催化剂 溶胶-凝胶法 低碳醇合成 焙烧温度
  • 简介:利用XRD、TPR和EXAFS等手段考察了焙烧温度对Cu/MnO2/ZrO2催化剂性能影响,结果表明,随着焙烧温度增加,铜配位环境发生变化,铜和锰之间相互作用增强,有效地防止铜组分在还原及反应过程中聚集长大,从而使催化剂活性显著增加,当催化剂经过高温焙烧,催化剂活性由于ZrO2结晶和铜聚集而降低。

  • 标签: Cu/MnO2/ZrO2催化剂 焙烧温度 活性测试
  • 简介:同步辐射X射线(白光)微束激发晶态物质和非晶态物质时,其中晶态物质衍射线将严重影响元素X射线能谱分析,其最有效解决办法是采用同步辐射单色光激发样品,或在样品与Si(Li)探测器之间入一准直器以消除衍射作用影响

  • 标签: 晶态物质 同步辐照 X射线荧光分析