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9 个结果
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲的生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲晶格应变是达到高质量SiGe外延的主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:福岛核事故后,核工业界及核安全监管当局对严重事故更加重视,严重事故管理指南(SAMG)的制订已经成为国内核安全监管要求.核电厂制定了应急运行规程(EOP)用以防止核电厂事故升级为严重事故,在SAMG研制时,如何从EOP合理地过渡到SAMG成为必须解决的问题.本文详细分析了EOP与SAMG的接口准则和影响因素,并结合国内核电厂SAMG研制现状,对EOP与SAMG接口方案进行了分析和建议,可为其他核电厂SAMG的研制工作提供参考.

  • 标签: 严重事故管理指南 堆芯出口温度 EOP与SAMG接口
  • 简介:利用同步辐射对合成金刚石晶体中面状缺陷进行了形貌学研究。在晶体中观察到多个错和一个由两个错三角形组成的错四面体。计算了错及错四面体各个边界的方向指数,确定了各个错的面指数。根据错的消像规律.确定了各个错的位移矢量。除一个错为Frank型简单层错外。其余错皆为既具有Frank位移,又具有Shockley位移的复合型错。分析了错的形成机理。错尺寸火小在0.68-1.15mm之间,是前人在合成及天然金刚石中从未见到的。

  • 标签: 合成金刚石晶体 层错 同步辐射 方向指数 位移 面状缺陷
  • 简介:本文采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001)外延的极图和倒易空间mapping,研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延中片状六角相与立方相之间的取向关系为:(111)//(0001)、<112>//<1010>。由于(111)Ga面的外延速度远高于{111}N面,导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的(111)Ga面和(111)Ga面上形成,而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延中立方相微孪晶的含量明显低于六角相,表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。

  • 标签: 立方相 GAN 外延层 X射线四圆衍射分析 氮化镓 外延生长
  • 简介:堆芯物理试验目的是验证堆芯设计的准确性、验证换料安全分析报告的正确性。国内有些电厂物理试验项目的试验点偏少,不但造成上述验证的不充分,而且增加了后续燃料循环堆芯设计的不确定性;更不能及时发现问题,对程序模型进行改进。物理试验测量值超过设计准则或安全准则,必须经过审查和评价,获得安全监管当局许可后,才能继续运行。

  • 标签: 物理试验 临界硼浓度 试验点 最低要求
  • 简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子

  • 标签: 同步辐射 X射线驻波实验技术 半导体超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 超薄锗厚子层
  • 简介:完成了上海同步辐射装置医学应用光束线和实验站的物理设计,并开始了有关技术设计及其难点的初步考虑。采用一个磁场强度为1.8T、周期数为10的多极扭摆器为冠状动脉心血管造提供所需的强X光束;利用一块Laue弯晶Si(111)单色器可得到比所需大三倍、能量分别在碘吸收边上下的二束单色X光束;造影过程将通过病人座椅的扫描运动和一个双列线形探测器来实现。

  • 标签: 上海同步辐射装置 医学应用光束线 实验站 物理设计 心血压造影术 Laue弯晶单色器