简介：用密度泛函方法「Ｂ３ＬＹＰ／６－３１１Ｇ（ｄ）」研究了ＳｉＰ２分子的各种可能异构体的结构、能量和红外光谱。结果表明：Ｓｉ２Ｐ２分子有５个稳定的异构体，能量最低的异构体为具有Ｐ－Ｐ桥键湖蝶形结构，其次为具有Ｓｉ－Ｓｉ桥键的菱形结构，而具有Ｓｉ－Ｓｉ中心键的直线结构能量高，并进一步将Ｓｉ２Ｐ２和Ｃ２Ｎ２分子结构和能量上的差异进行了比较和分析。

简介：用纳米结构粉末做喂料进行喷涂，缩短了颗粒熔化时间，在有限的飞行时间内，颗粒熔化效果更好，从而制备的涂层孔隙率更小，表面更平整。用ZrO2纳米结构喂料制备了等离子喷涂层，研究了功率、粒度、氧化钇含量等工艺参数条件下涂层的微观组织、孔隙率、相组成及抗热震性能。经X衍射分析表明，原始粉末由m-ZrO2,t-ZrO2,c-ZrO2构成，单斜相的含量为11％，主要由四方相和立方相构成。

简介：我们揭示并且解释thermopowerS/T的可伸缩的行为展出了由典型重费米子(HF)金属YbRh2在在温度T的磁场B的申请下面的Si2。我们证明一样的可伸缩被不同HF混合物例如表明?-YbAlB4和强烈相关的分层的钴氧化物[BiBa0.66K0.36O2]CoO2。用YbRh2是的Si2一个例子，，我们证明S/T的可伸缩的行为在antiferromagnetic阶段转变被违背剩余抵抗力0和状态的密度，N，经验在阶段转变跳，引起thermopower做二跳并且改变它的符号。我们的说明基于深刻地影响0和N的单个粒子的光谱变平。描绘S/T行为的主要特征，我们构造TBYbRh2Si2。我们为HF混合物的计算S/T在对试验性的事实的好同意并且支持我们的观察。

简介：水晶的Au5Si2/Si异质接面nanowires(Au5Si2/SiNWs)被热蒸发的SiO粉末在一个低真空系统在厚黄金涂的硅底层上获得。生产Au5Si2/Si异质接面的结构分析被采用一台传播电子显微镜(TEM)和一个选择区域执行电的衍射计。化学作文被纳入TEM的一个精力散的X光分光镜学习。一个二拍子的圆舞生长模型被建议描述Au5Si2/SiNWs的形成。在第一步期间，水晶的SiNWs经由在相对高的温度把帮助氧化物的生长过程与vapour-liquid-solid模型相结合的生长机制被形成。在第二步，preformedSiNWs的温度减少和减少片断与残余Au反应由一个solid-liquid-solid过程形成单个水晶的Au5Si2nanowires。现在的工作应该基于nanowires为未来合成和高质量的金silicidenanowires和微电子设备的研究是有用的。

简介：运用G98W程序,采用Lan12dz基组,对茂金属配合物[2,5-(Me3Si)2MeC5H2FeI(CO)2]进行从头算研究,探讨了配合物结构单元的稳定性、分子轨道能量、原子净电荷布居规律,以及一些前线分子轨道的组成特征等.结果表明,标题配合物在能量上可作为结构单元而稳定存在.该结构单元为茂金属配合物的合成、分子组装分析和催化活性研究提供理论依据.

简介：Thenotionofmultibandsuperconductivitywithdominanttwo-gapfeatureshasbeenrecentlyappliedtotheunconventionalsuperconductorCeCu2Si2forchallengingthepreviouslyacceptedconceptofnodald-wavepairing.Intheproposedstudy,therealisticmultibandFermisurfacetopologyofCeCu2Si2wasobtainedthroughfirst-principlescalculations,andanalysiswasconductedwithaneffectivetwo-bandhybridizationmodelincludingdetailedbandstructure.WithintheT-matrixapproximation,theobtainedcalculationresultsshowthatdifferentpairingcandidates,includingfullygappeds-wave,loop-nodals-wave,andd-wavepairings,couldyieldqualitativelydistinctfeaturescharacterizedbyimpurity-inducedboundstates.Thesefeaturescanbeverifiedthroughhigh-resolutionscanningtunnelingmicroscopyorspectroscopyandprovidecorroborativejustificationthatwouldbebeneficialfortheongoingresearchregardingthesuperconductinggapsymmetryofCeCu2Si2atambientpressure.

简介：

简介：利用Gaussian-94计算程序中的B3LYP方法,在6-311+G(2d)6d基组下,对Si5,Si5H3,Si5H6,Si5Li3和Si5Na3原子簇的几何结构进行优化和频率计算.结果表明,Si5原子簇中最稳定的具有D3h对称性的结构中,位于同一平面上的3个Si原子确实具有剩余的成键能力,可以与3个H,Li,Na原子和6个H原子形成稳定的化合物.研究还发现,虽然H,Li和Na都属同一主族,但它们与Si5原子簇中Si原子的键连方式却不同,而且它们的加入,对Si5原子簇的'三角双锥'结构也有不同的影响.

简介：WehavesynthesizedandinvestigatedphysicalpropertiesoftwonewquaternarycompoundsGd2CoAl4T2(T=Si,Ge)singlecrystals,whichareisostructuraltoTb2NiAl4Ge2andEr2CoAl4Ge2.Themostimportantstructuralfeatureofthesematerialsistheanti-CaF2-typeCoAl4T2slabs.Thesematerialsshowmetallicbehaviorbelow300Kandthereisalong-rangeantiferromagnetic(AFM)transitionappearingat20and27KforGdCoAl4Ge2andGd2CoAl4Si2,respectively.ResistivityandheatcapacitymeasurementsalsoconfirmthesebulkAFMtransitions.Furtheranalysisindicatesthatthislong-rangeantiferromagnetismshouldresultfromthemagneticinteractionbetweenlocalmomentsofGd^3+ions.

简介：为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响，采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰，并对ZnS及ZnS／SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异，发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS／SiO2纳米复合材料的光发射性质，分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明，SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS／SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17．5倍，但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1．1倍，这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释，且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。

简介：做Si的Ge(2)sb(2)Te(5)电影被dc劈啪作响magnetronco与Ge2Sb2Te5和Si目标准备了。在在两结晶化温度和阶段转变温度fromface-centred-cubic(fcc)的增加的Te(5)电影结果分阶段执行到的Ge(2)sb(2)的Si的增加六角形(十六进制)阶段。Ge2Sb2Te5电影的抵抗力显示出重要增加，Si做。当在这部电影做Si的11.8at.%时，在退火的460度C以后的抵抗力与undopedGe2Sb2Te5电影相比从64～99终止从1～11m终止(.)厘米和动态抵抗增加增加。这对写阶段变化随机存取记忆的当前的减小很有用。

简介：通过Cu纳米颗粒掺杂制备了Li[（Ni0.6Co0.2Mn0.2）1-xCux]O2三元正极材料,并通过调节Cu的掺杂量,讨论了Cu的掺入对Li[（Ni0.6Co0.2Mn0.2）1-xCux]O2三元正极材料晶体结构、表面形貌、电化学性能和循环性能等一系列性能的影响,铜掺杂量为x=0.01时,在0.2C倍率下的首次放电比容量达到了219.1mAh/g,经过50次充放电循环之后,剩余比容量为115.4mAh/g。最终结果为Li[（Ni0.6Co0.2Mn0.2）1-xCux]O2中Cu的掺入量为x=0.01时,所得正极材料的电化学性能和循环性能最为优异。

简介：TB812.52002010504胶片分析系统形成色偏原因分析及校正方法=Analysisonreasonsofcolorcastforminginafilmanalyzingsystemandcalibrationmethod[刊,中]/王雪晶,郝志航(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光电工程.—2000,27(6).—17-20

简介：O644.162000031974卟啉与吩噻嗪分子间和分子内的光致相互作用=Pho-toinducedintermolecularandintramolecularinteractionsbetweenphenothiazineandporphyrin[刊,中]/贺学忠(清华大学生物科学与技术系.北京(100084)),周亚琳,张曼华,沈涛(中科院感光化学研究所.北京(100101))//高等学校化学学报.—1999,20

简介：TB842003053774耐水性丝网印刷感光高分子性能研究=Researchonpropertiesofwaterresistantphotosensitivepolymerforscreenprinting[刊,中]/黄毓礼(北京化工大学材料科学与工程学院.北京(100029)),王淑芳…//高分子材料科学与工

简介：~~

简介：目前，国内没有关于半钢发热剂的国家标准检测方法，只能根据组分范围分别检测各个组分，不仅耗时而且使用的大量化学试剂对环境造成污染。故研究了X-射线荧光光谱法快速测定半钢发热剂中Si，P，S的方法。采用粉末压片制样，研究其制样条件，包括磨样时间、压样时间和压力对测定结果的影响。采用其它方法定值提供的检测样品，作为x-射线荧光光谱法内控标准样品，采用经验系数法进行基体校正，通过解谱拟合建立校准曲线，校准曲线建立后仪器建立漂移校正程序。实验结果精密度好，各元素的相对标准偏差在0．15％-1．3％。准确度满足生产需求，实验方法可用于快速检测半钢发热剂化学组分。

简介：用单辊甩带法制备了不含高生物毒性元素的Ti60Zr10Ta15Si15非晶薄带,并在高于其晶化开始温度的不同温度下对该非晶薄带进行了真空退火,研究了该非晶薄带在磷酸盐缓冲溶液（PBS）中的电化学腐蚀行为及热处理对其显微组织及其电化学行为的影响。结果表明,用单辊甩带法制备的Ti60Zr10Ta15Si15金属薄带为完全的非晶态结构,其玻璃转变温度和晶化开始温度分别为759K和833K,经过878K真空热处理后,薄带发生了部分晶化,在非晶的基底上析出了Ti相;经过938K热处理后,薄带发生了完全晶化,晶化相主要由Ti、Si3Ta5和SiZr以及TiSi组成。动电位极化测试表明,该非晶合金在PBS溶液中可表现出较为优异的耐蚀性能,部分晶化可进一步提高该合金的耐蚀性能,而完全晶化的合金抗腐蚀性能明显下降。

简介：利用蒙特卡洛方法分析了不同束流密度0.8MeV电子辐照下介电材料导电性能的变化趋势,同时开展了0.8MeV电子辐照下聚酰亚胺(Kapton)材料导电性能实验研究.理论和实验结果表明,在0.8MeV电子辐照后,Kapton材料导电性能在不同吸收剂量率下变化较大,电导率最大可上升5个量级,电阻由1014Ω变为1012Ω,下降2个量级.

简介：PitformationandsurfacemorphologicalevolutioninSi(001)homoepitaxyareinvestigatedbyusingscanningtunnelingmicroscopy.Anti-phaseboundaryisfoundtogiverisetoinitialgenerationofpitsboundbybunchedDBsteps.Theterracesbreakupandarereducedtoacriticalnucleussizewithpitformation.Duetoanisotropickinetics,adownhillbiasdiffusioncurrent,whichislargeralongthedimerrowsthroughthecentreareaoftheterracethanthroughtheareaclosetotheedge,leadstotheprevalenceofpitsboundby{101}facets.Subsequentannealingresultsinashapetransitionfrom{101}-facetedpitstomulti-facetedpits.