简介：采用大面积半绝缘型GaN（semi—insultingGaN，SI—GaN）晶体制备了电流型GaN辐射探测器，研究了探测器伏安（I—V）特性、7射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。结果表明，晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触，探测器在600V偏压下暗电流低于400pA，电荷收集效率高于40％，探测器脉冲响应时间在ns量级。

简介：从双缝干涉的简单理论出发,将光栅分解为许多组双缝,利用人们熟知的干涉条纹间距公式导出Talbot成像位置,结论与Talbot效应公式一致。并由实验证实,在（2m1）d2/λ（m为正整数）的位置得到的为横向平移d/2的周期像,并非原周期性物的负反差像。

简介：证明了相协样本下密度函数的核估计在有限个不同点上的联合渐近分布为多维正态分布．

简介：数值模拟研究了钾离子电流对心脏系统中的螺旋波的影响,通过适当减小GK1可以有效抑制心脏中的螺旋波。抑制的物理机制为适当减小GK1可以抑制各种离子电流的激发,导致螺旋波无法自我维持。

简介：通过编写程序,模拟因塞曼效应而形成的谱线。程序采用交互模式编写,即可以通过输入磁场大小,能级的角量子数、自旋量子数以及总角动量量子数,运行程序后输出谱线图,展示谱线分布情况。

简介：在分析SDRAM器件辐射失效现象的基础上,研制了具备读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究.结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器件的数据保持时间不断减小,功耗电流不断增大以及读写功能失效.实验样品MT48LC8M32B2的功能失效主要由外围控制电路造成,而非存储单元翻转.数据保持时间虽然随着辐照剂量的累积不断减小,但不是造成该器件功能失效的直接原因.

简介：根据光的衍射理论,研究了靶面激光参数与传输距离的关系,得出了激光远距离上行传输情况下,靶面平均功率密度的外推计算方法,给出了具体的计算步骤,并对该方法进行了不确定度分析.结合具体的实验条件和实验测量结果,利用该方法计算了激光远距离传输情况下靶面平均功率密度.最后,根据特定的大气湍流结构模型,分析了大气传输修正系数与传输距离及发射仰角的关系.结果表明,大气传输修正系数与激光传输距离无关,与激光的发射仰角有关.但当测量路径上的大气相干长度大于8cm,且外推路径的发射仰角大于35°时,大气传输修正系数接近于1,此时,远距离传输情况下的激光参数可以采用几何外推方法计算.

简介：在舰载系统和机载系统，当子母惯导之间存在杆臂长度时，在传递对准中通常先消除杆臂效应误差再进行对准，以提高对准精度。在弹载环境中人们往往忽视杆臂效应，受制于弹体空间的限制，弹载惯组中的加速度计通常根据系统体积最小的原则寻找剩余空间布置，此时三个加速度计测量的是弹体三个不同点的加速度，不但存在外杆臂还存在内杆臂，导致惯组总体的杆臂误差。通过深入分析内外杆臂的形成机理，提出对弹载惯组也应进行杆臂效应误差补偿，对补偿算法进行了仿真和实验研究。系统半物理仿真表明补偿后在某些弹道条件下可以显著提高弹体攻击精度，其攻击目标误差由120m缩小为26m。

简介：利用温度场计算结果,计算了激光辐照下金属铁氧化膜厚度的增长及氧化放热;利用多层膜反射理论,结合氧化膜厚度,分析了氧化膜导致的激光吸收增强效应.结果表明,波长为1.035μm激光在功率密度为2kW·cm-2辐照期间,氧化放热对温度场的贡献很小,对工程应用来说可以忽略,而氧化膜带来的吸收增强效应影响较大,不能忽略.

简介：测试了在高能电子辐照和高工作电压共同作用下，星用高压电缆的静电放电信号。同时，利用蒙特卡罗方法分析了高能电子沉积位置，并利用有限元法分析了高工作电压下，高压电缆的内部电场分布及变化。

简介：在场致发射电流的作用下,场致爆炸发射阴极表面的微凸起会产生焦耳加热、热传导等热电物理现象,场致发射电流密度与阴极表面微凸起顶部的温度之间相互影响,两者之间的作用关系是高度非线性的.用数值方法研究了在不同外加宏观电场条件下具有不同顶底半径比微凸起的热效应问题.研究结果表明,当微凸起顶底半径比值不同时,微凸起的微观电场增强因子也不同,当微凸起顶部温度达到阴极材料的熔点时,微凸起内部温度分布差异显著;当外加宏观电场相同时,微凸起的顶底半径比越小,爆炸发射延迟时间越短.对于某个顶底半径比确定的微凸起而言,爆炸电子发射延迟时间随外加宏观电场强度的减小而成指数规律增长.

简介：选取2009年1月5日-2012年5月22的人民币兑美元汇率和上证综指的日交易数据为对象，采用BEKK—GARCH模型，并结合LR似然比检验，对中国汇市与股市的波动溢出效应进行建模研究与实证分析．实证结果表明，整体样本存在汇率到上证指数的波动溢出，这种溢出是单向的；第二次汇改前，既不存在汇率到上证指数的波动溢出，也不存在上证指数到汇率的波动溢出；第二次汇改后，既存在汇率到上证指数的波动溢出，也存在上证指数到汇率的微弱的波动溢出．

简介：为了将模拟结果应用于评价动态内压载荷壳体的激光辐照效应,采用理论分析方法研究了模拟中的相似性问题,给出了飞行动态环境的模拟相似性原则、激光参数的模拟相似性原则和试件大小的模拟相似性原则.对飞行环境效应的模拟,要考虑壳壁气动加热和氧化效应;对光斑半径的模拟,若满足／πkt＜r0≤0.5R条件,则壳壁最高温度近似与光斑半径无关,并且对爆裂破坏模式,光斑半径还要满足热裂纹失稳扩展条件;对壳体试件的模拟,采用近几何相似缩比(大小缩比而壁厚不变),缩比率在1/5～1时可以用非线性拟合表征损伤关系.

简介：采用密度泛函B3LYP方法,在6-31＋G（d,p）基组水平上对二苯甲酰甲烷质子转移引起的酮式-烯醇式互变异构反应机理进行了计算研究,获得了零点能、总能量、吉布斯自由能及质子转移过程的反应焓、活化能、活化吉布斯自由能和速率常数等参数.3种非质子溶剂中的优化和频率计算采用Onsager模型进行计算.计算结果表明,不论在气相还是3种溶剂中,二苯甲酰甲烷的烯醇式较酮式稳定,烯醇式向酮式气相转变需要较高的活化能垒,在不同极性的溶剂中,随着溶剂介电常数的增大,异构化反应活化能垒减小,反应速率常数增大.

简介：在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应正交实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到了不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水平,以及运算放大器在瞬时电离辐射环境下的最坏因素组合.

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：阳极杆箍缩二极管产生的X射线焦斑小,达亚mm量级,且焦斑位置稳定,是一种理想的闪光X射线照相加速器二极管.但是,由于其工作阻抗较高(约40～60Ω),导致无法与大电流低阻抗的脉冲功率源匹配.通过预先向二极管中注入等离子体,可以降低二极管最初工作阶段的阻抗,实现与低阻抗驱动源的匹配.预充等离子体的密度直接影响二极管的工作状态,特别是对等离子体鞘层和空间电荷限制流的形成具有较大影响.采用理论分析和数值模拟相结合的方法,对预充等离子体阳极杆箍缩二极管的工作过程和等离子体密度对二极管的电子束箍缩特性进行了分析,结合“剑光一号”加速器水线输出参数(峰值电压为1MV),给出了合适的预充等离子体的密度范围为1015～1016cm-3.

简介：简要介绍了强电磁脉冲环境及效应等方面的研究内容和进展状况,讨论了强电磁效应和评估与一般的电子战、电磁干扰、子系统之间的电磁兼容等之间的共同性和差异,并简要介绍了电磁防御的措施.

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

简介：在“强光一号”加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得到了单片机和电源芯片的扰动时间随剂量率的变化规律,从实验上证实了电源芯片对单片机脉冲γ辐照闩锁效应的抑制作用.