简介：采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分析。获得的存储窗口电压约为2.5V,漏电流密度低于10-8A·cm-2,保持时间达7.5h以上。制备的SrTiO3薄膜表现出较高的介电性和较好的绝缘性。

简介：以羟丙基-β-环糊精为包合材料，通过三因素三水平的Box—Behnken实验设计，建立相应的二项式数学模型优化厚朴酚-羟丙基-β-环糊精包合物的制备工艺条件．最优工艺条件为包合时间75min，包合温度60℃，羟丙基爷环糊精与厚朴酚的投料比6：1（质量比），包合率的预测值与理论值偏差较小．实验结果表明，Box—Behnken实验设计法用于厚朴酚-羟丙基-β-环糊精包合物制备工艺的优化是可行的．

简介：针对硅微振梁式加速度计输出频率随环境温度漂移的问题，提出了抗温漂的硅微结构设计方法及相关工艺，降低了环境温度对输出的影响，在室温条件即可达到一定精度。通过建立“硅-玻璃”和“玻璃-陶瓷”耦合模型，分析了造成硅微振梁式加速度计温度漂移的原因。然后提出了“抗温漂耦合设计”的微结构和“半粘结封装”的封装工艺，降低了耦合模型中的理论温漂。利用加工出的原理样机进行实验，结果显示，采用抗温漂结构设计及封装工艺的原理样机，输出频率的温漂系数为-3.5×10-6/℃，室温下零偏稳定性为72.0μg。实验验证了抗温漂理论的可行性，可以满足室温下高精度硅微振梁式加速度计的设计要求。

简介：为了探究虎眼万年青多糖铁（Ⅲ）复合物（OPIC）的最佳合成方法,我们采用Plackett-Burman设计对虎眼万年青多糖铁复合物制备工艺的主要影响因素进行考察,联用星点设计（centralcompositedesign,CCD）效应面法对显著性因素的水平进行优化,以溶剂加入量、三氯化铁加入量、多糖和柠檬酸钠加入量的比例、温度以及pH值为自变量,以虎眼万年青多糖铁中铁含量为因变量,通过对自变量与因变量的完全二次响应曲面的回归拟合,用效应面法预测最佳工艺.结果表明：温度、pH值和质量比对虎眼万年青多糖铁的合成有显著性意义;二项式方程拟合度高,相关系数r=0.9879.虎眼万年青多糖铁的最佳合成工艺：溶剂的加入量为70mL,三氯化铁的加入量为6mL,温度80℃,质量比为3.5,pH值为8.最终利用PlackettBurman实验设计连用CCD确定了虎眼万年青多糖铁的最佳合成工艺,该方法简便,预测性好,重现性高.