简介：在激光耦合强度、辐照面积和辐照时间对应相同的条件下,对单结GaAs太阳电池分别开展了波段内808nm、波段外1070nm连续激光单独辐照以及两者联合辐照实验,发现三种辐照方式对应的样品损伤程度十分接近。结合等效电路输出的I-V曲线随太阳电池参数的变化、电致发光图像及小光斑激光响应扫描测试结果对损伤机理进行了分析。结果表明：激光辐照导致太阳电池损伤的实质是PN结内缺陷增多。

简介：以Xilinx公司的28nm系统级芯片（system-on-chip,SoC）Zynq-7000为研究对象,开展了α单粒子效应实验和低能质子单粒子效应实验,测得了系统级芯片的α单粒子效应敏感模块、单粒子效应截面及不同模块质子单粒子效应截面随能量变化的关系曲线。采用软件故障注入技术获得了系统级芯片多个功能单元的敏感单元以及故障表现类型,并且通过建立系统芯片软错误故障树,定量计算了系统芯片及其各功能单元的故障率和不可用度,确定了系统和子系统中的敏感模块。

简介：基于拉格朗日方程和稳定运动状态的条件,我们给出了稳定运动时串联双单摆系统参数需要满足的条件。与实验结果比较发现,该条件与实验结果非常吻合。

简介：建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移（linearenergytransfer,LET）的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

简介：采用密度泛函理论中的B3LYP方法研究了石墨烯中的单空位缺陷对铂原子（Pt）催化解离O_2分子的影响.计算发现O_2分子首先通过[2＋1]或[2＋2]环加成作用吸附在以单空位缺陷石墨烯为载体的Pt上（Pt-SV）,并以不同的路径进行解离,吸附能分别为-158.23和-152.45kJ/mol.由于石墨烯片上单空位缺陷的存在,O_2分子更容易吸附在单空位缺陷处的Pt上,并且O_2在Pt-SV上解离的能垒（130.25kJ/mol）也明显比在Pt-pristine上解离的能垒低（76.23kJ/mol）.因此石墨烯上单空位缺陷的存在提高增加了Pt的催化能力.

简介：电路设计是多级线圈炮模型实施的核心和难点。本文首次详细介绍了五级线圈炮模型设计和制作过程中的电路设计，包括历次电路的优化原因和过程。五级线圈炮模型的设计引入升压装置、单向可控硅和光电门。根据最终优化的电路设计，成功制作了简洁而稳固的五级线圈炮模型。另外，通过对五级线圈炮最终模型的不断测试，发现多级线圈炮呈现两个重要特性：首先，多级加速中无论采用何种放电电容和线圈，第一级将会是所有级数中效率最低的；其次，使用的输出电压越高，效率则越低。效率与输出电压间存在某种极为复杂的关系，这一复杂关系有待于进一步探索。

简介：快Z箍缩在强辐射效应、惯性约束聚变、材料特性、天体物理和其他高能量密度物理方面具有重要应用,要满足上述多种需求,迫切需建电流数十兆安、前沿百纳秒,功率百太瓦级的脉冲功率驱动源。本文综述了Marx水线电容储能多级脉冲压缩传统技术路线和直接驱动FLTD型技术路线的快Z箍缩百太瓦级脉冲驱动源的研究现状、发展趋势,分析了两种技术路线的主要制约因素和前景,梳理了研制百太瓦级、电流数十兆安的快Z箍缩驱动源需要解决的主要关键技术和科学问题。

简介：采用沸水浴消解,用硝酸（3＋1）对土壤中样品进行前处理,并用硼氢化钾（0.5g/L）作还原剂,硝酸（1%）作载液进行测定,建立了双道原子荧光光谱法测定土壤中汞的方法。对灯电流、负高压等参数进行优化。结果表明：经多个土壤成分分析标准物质验证,方法的检出限为0.0007mg/kg,相对标准偏差为3.9%,加标回收率为95.4%-101%,方法简单、准确度高,适合于土壤中微量汞的测定。

简介：在冲突分析图模型中,稳定性分析的均衡结果和决策者偏好信息之间存在一个动态反复的交互过程。为此,本文提出了基于GMCR的冲突分析动态交互理论,在偏好信息和均衡结果之间引入决策者的风险认知系统,以动态模拟冲突中决策者的风险认知、偏好信息与均衡解之间的交互关系。然后,构建了基于GMCR的双渠道供应链价格冲突动态交互模型,从冲突分析动态交互视角解释了价格战背后制造商和零售商的博弈行为,并有效预测了风险规避情况下双渠道供应链价格冲突的均衡结果,为供应链管理者提供了一套系统有效的冲突分析工具。

简介：在pH=6.0的六亚甲基四胺缓冲溶液中,Zn（2＋）与二甲酚橙形成红色配合物,以试剂空白为参比,在570nm处褪色,在440nm处生色,实验表明在一定范围内△A=A440-A570与Zn（2＋）浓度呈线性,建立了双波长分光光度法测定青麻果实中Zn（2＋）含量的方法。最佳实验条件下,Zn（2＋）含量在0.1-0.6μg/mL范围内符合Lambert-Bill定律,检出限为1.5×10（-2）μg/mL。结果表明,方法的相对标准偏差小于5%,加标回收率为95.0%-96.0%。方法简便快速。

简介：把光在多层膜中传输的矩阵理论应用于双啁啾镜的设计。理论分析结果表明设计的双啁啾镜可以对波长从600nm到1100nm波段范围的色散进行补偿,每次可以实现-100fs2的色散补偿量,而且双啁啾镜可以有效降低单镜色散补偿中的寄生振荡。用设计制造的双啁啾镜进行了实验测试,用双啁啾镜对畸变脉冲进行色散补偿,实验结果表明：经过两次色散补偿可以将脉冲还原至初始状态,而过量的负色散又将脉冲重新展宽。

简介：为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明：随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.

简介：在加热条件下,发现氯化铵可以使季戊四醇单侧修饰的Anderson型铬钼酸盐发生结构变异,Anderson型多酸母体上的季戊四醇配体由正中心位置异构到非正中心位置（季戊四醇配体的一个烷氧基从取代多酸骨架中的μ3-O桥氧原子异构为取代骨架中的μ2-O桥氧原子）,得到其χ同分异构体（NH4）3{χ-[Cr（OH）3Mo6O（18）（OCH2）3CCH2OH]},并通过电喷雾质谱ESI、红外光谱IR和单晶X射线衍射的方法确定了该化合物的结构.晶体测定及分析结果表明,该化合物属单斜晶系,P21/n空间群,晶胞参数a=1.05368（4）nm,b=2.91172（6）nm,c=1.12470（7）nm,α=90°,β=117.45（6）°,γ=90°,Z=4,V=3.0621（3）nm3.

简介：一种迈克尔逊双透射光干涉测激光波长的方法,该方法巧妙地提高了干涉仪的灵敏度,并将条纹吞吐的现象转化为观察屏上的明暗变化,同时可以灵活改进计数方法,减少实验工作量。该方法思路简单,易于实现,有利于拓展思维。

简介：利用一步水热法合成了一种双配体修饰的Keggin结构铝钨酸盐超分子化合物,通过元素组成分析和TG分析,确定其化学式为[Cu（en）（bipy）（H2O）]2[AlW（12）O（40）]·H3O·H2O.单晶结构分析表明,标题化合物是单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数a=1.94558（11）nm,b=1.24412（7）nm,c=2.56827（15）nm,α=γ=90°,β=92.0010（10）°,V=62.128（6）nm3,Mr=3504.80,Z=4,F（000）=6204,R=0.0559,wR=0.105.在标题化合物中,每个[AlW（12）O（40）]（5-）阴离子与[Cu（en）（bipy）-（H2O）]（2＋）单元通过超分子作用形成一维、二维和三维结构.该化合物表现出良好的电化学性质和对H2O2的电催化性质.固体紫外漫反射吸收光谱表明,化合物的光学带隙达到2.70eV,是一种半导体材料.在紫外光照射下,该化合物对罗明丹B（RhB）的降解率为96.29%.

简介：使用[β-B-BiW9O（33）]（9-）作为基本建筑单元,成功合成了多酸做配体的双核Ce（Ⅳ）配合物（Na6H（10）{Ce（H2O）3（μ2-OH）[Bi2W（21）O（70）（OH）3]}2·40H2O）,通过元素分析、X-射线单晶衍射、XRD、IR和TG表征技术确定了其组成和结构.两核Ce（Ⅳ）离子配合物是通过2个μ2-OH-连接构成的,每个Ce（Ⅳ）离子除了与2个μ2-OH-配位外,还与3个H2O以及[Bi2W（21）O（70）（OH）3]（11-）中4个缺位O原子配位,形成三帽三棱柱.[Bi2W（21）O（70）（OH）3]（11-）多酸阴离子是通过3个W（Ⅵ）连接形成新的多酸阴离子物种,在缺位结构上留有一个空位恰好与Ce（Ⅳ）离子配位.通过对配合物的电化学分析发现,与硝酸铈铵对比,配合物中Ce（Ⅳ/Ⅲ）的阳极峰电势由0.857减小至0.772V,表明多酸阴离子配体有稳定Ce（Ⅳ）的作用.