简介:在本文中,作者研究了一种特殊的Banach空间,即Orlicz函数空间LM的子集A要构成LN-弱序列紧集合的充分必要条件是什么,给出了第一判别充要定理.
简介:基于第一性原理,计算了MgSiP2的能带结构,结果显示压强减小了能带带隙值,部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示:随着压强的增大,价带顶电子态密度的斜率逐渐减小,而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论,分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现:压强所致部分电子有效质量的减小,提高了p型和.型MgSiP2的电导率,但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下,相对于n型MgSiP2,,型MgSiP2的电导率增加幅度更大,补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低,提高了型MgSiP2的功率因子,使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明,通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能,为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。
简介:基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纯MgF2晶体、Co掺杂MgF2晶体、P掺杂MgF2晶体和(Co,P)双掺杂MgF2晶体的电子结构和光学特性.结果表明,掺杂后的MgF2晶体发生了畸变,原子之间的键长也有所变化.(Co,P)双掺杂后,由于非金属原子P态和金属原子d态之间的轨道杂化,在MgF:的导带与价带之间形成了新的杂质能级,这些杂质能级一方面减小了MgF2的带隙宽度,使光吸收曲线红移到可见光区,另一方面有利于光生电子一空穴对的分离,提高了MgF2光催化效率.(Co,P)双掺杂使位于禁带中的杂质能级的态密度明显增加,导致电子从价带跃迁到杂质能级和从杂质能级跃迁到导带的概率增加,从而使其对太阳能的利用率提高.并揭示了(Co,P)双掺杂MgF2在光学元器件方面的潜在应用.