简介:利用室温光致荧光谱(PL)研究金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法中温度参数对InP衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As层和InP层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As层和InP层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2个数量级.
简介:研究了平均非扩张型映射T:‖Tx-Ty‖≤a‖x-y‖+b‖x-Tx‖+c‖x-Ty‖,(x,y∈K,a,b,c≥0,a+b+c≤1)的公共不动点的存在性和唯一性.得到平均非扩张型映射T1和T2满足T1T2=T2T1,则T1T2存在唯一的不动点,并且T1和T2存在唯一的公共不动点.本文结果是近期相关文献结果的推广.
简介:设H是一实Hillber空间,K是H之一非空间凸子集,设(Ti)i=1^N是N个Lipschitz伪压缩映象使得F=∩i=1^NF(Ti)≠Ф,其中F(Ti)={x∈K:Tix=x}并且{αn}n=1∞,{βn}n=1^∞包含[O,1]是满足如下条件的实序列(i)∑n=1^∞(1-αn)^2=+∞;(ii)limn→∞(1-αn)=0;(iii)∑n=1^∞(1-βn)〈+∞;(iv)(1-αn)L^2〈1,arbitaryn≥1;(v)αn(1-βn)^2+αm[βn+L(1-βn)-]^2〈1,其中L≥1是{Ti}i=1^N的公共Lipschitz常数,对于x0∈K,设{xn}n=1^∞是由下列定义的复合隐格式迭代xN=αnxn-1+(1-αn)Tnyn,yn=βnxn+(1-βn)Tnxn,其中Tn=TnmodN,则(i)limn→∞||xn-p||存在,对于所有的p∈F;(ii)limn→∞d(xn,F)存在,其中d(xn,F)=infp∈F||xn-p||;(iii)limn→∞inf||xn-Tnxn||=0.本文的结果推广并且改进H—K.Xu和R.G.Ori在2001年的结果和Osilike在2004年的结果,并且在这篇文章中,主要的证明方法也不同与H—K.Xu和Osilike的方法.
简介:引入一个修正的Mann迭代序列,并在Hilbert空间和Banach空间中证明了此迭代序列强收敛于有限蔟多值Φ-伪压缩映像的唯一公共不动点.
简介:主要得到整函数与其导函数具两个公共小函数时的一个唯一性定理,改进了RubelYang及郑稼华等人的某些结果.