简介:O47296032017ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究=Astudyonstructureandgas-sensitivecharacterofZnO/SnO2bilayerfilm[刊,中]/娄向东(河南师范大学化学系.河南,新乡(453002)),沈荷生,沈瑜生(中国科技大学材料科学与工程系.安徽,合肥(230026))//传感技术学报.-1995,(2).-20-23将SnO2及ZnO粉末压制成靶材,采用溅射法制备了ZnO/SnO2双层薄膜,用XPS,XRD、SEM等手段对制得的薄膜进行分析测试,发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在,双层膜中锌、锡有一定的相互扩散,比较了单层SnO2及ZnO膜与双层膜的气敏特性,结
简介:利用Geant4工具包,采用强迫碰撞方法,模拟氘氚聚变中子与反冲质子法脉冲中子探测系统中的聚乙烯靶作用产生反冲质子的过程,计算了反冲质子在不同厚度Si-PIN半导体探测器灵敏区中的能量沉积谱,并将模拟计算结果与实验结果进行比较,分析给出了探测器灵敏区厚度。结果表明,计算得到的探测器灵敏区厚度与探测器灵敏区真实厚度在3%以内吻合,证明了模拟计算方法的可行性。同时,还计算了不同厚度的铝吸收片条件下,反冲质子在探测器灵敏区内的能量沉积,得到了沉积能量随铝吸收片厚度的变化曲线,可为反冲质子法脉冲中子探测器系统设计提供参考。
简介:半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。
简介:利用高分辨电感耦合等离子体质谱法测定半导体级高纯氢氟酸中的痕量金属杂质,用膜去溶进样系统直接进样检测,无需前处理、快速,避免了在样品前处理时的污染问题。高分辨电感耦合等离子体质谱法可以消除多分子离子干扰,降低检出限,提高定量准确性。方法的检出限为0.09-37.07μg/L,加标回收率为92.3%-116.8%。方法简单,结果可靠,适用于高纯氢氟酸中痕量元素的快速测定。
简介:中国作为人口众多的发展中国家,能源相对贫乏,以煤炭为主要燃料的能源结构使中国环境问题日益严重,生物质能源作为物质性、易储存的可再生能源,已经成为中国未来能源发展的重点关注对象。受生物质发电技术的进步及中国地理环境多样性的影响,近年来新兴的生物质发电项目展现出新的特点,对该产业效率进行评价时需要考虑新的因素,并采用新的方法,评价结果才能客观,作为改进产业的参考依据。收集中国2010年以来建设的生物质发电项目,选择合适30家生物质发电项目作为样本,分别运用BC2模型、AR模型和分地区AR模型对这30家样本进行评价,发现中国生物质能总体上分布不均,地区差异较大,西南地区、中南地区和华东地区等地是我国生物质能的主要分布区,由于外部燃料资源市场和电网环境较好,因而这些区域产业效率普遍水平较高。对于北方地区生物质产业发展来说,市场和产业环境的改善对效率提高更有帮助。
简介:制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。
简介:随着互联网+战略的深入推进,了解不同产业内信息技术能力与产业绩效之间的协调发展情况,对于系统把握我国的信息化发展水平,分类制定有效产业政策具有重要意义。有别于以往采用宏观产业数据,重点评价工业化与信息化融合度,本文主要基于2008~2015年的上市公司的微观数据,采用耦合协调模型,分类测度四大类产业的IT能力与产业绩效的耦合协调度。研究发现:总体上看我国的产业IT能力与产业绩效之间存在中高度耦合关系,但耦合质量不高,耦合协调度处于中低水平,呈现逐渐上升趋势;此外,我国的不同的产业之间的耦合协调度发展趋势存在差异性,本文进一步分析了该差异的存在的原因,并提出政策建议。