简介:利用反应性有机硅整理剂结合电子束辐照加工技术提高纯棉织物的抗皱性能,以整理剂浓度、浸泡时间以及辐照剂量为因素进行正交试验,将织物的折皱回复角作为指标筛选出最佳工艺。结果表明,最佳工艺为:整理剂浓度160g/L,浸泡时间18h,辐射剂量43kGy,在该工艺参数下整理得到的纯棉织物的折皱回复角达到了175.6°,比原样增加了33.13%,接枝率为11.20%,白度下降到原样的88.24%,经纬向强力保留率分别为77.09%和84.27%,经过5次洗涤后织物的折皱回复角下降5.3%,耐洗性能较好。分析辐照前后织物的红外谱图以及扫描电镜图可知,有机硅与纤维素大分子链间发生反应,形成了稳固的交联结构,限制了大分子链的相对滑移,从而提高了纯棉织物的抗皱性能。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。