简介：采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究，分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明，采用PLD法在室温下可以制备出（002）结晶取向和透过率高于75％的ZnO薄膜，但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差，沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

简介：美国威斯康星·麦迪逊大学开发出一项新技术，可用于制造一种新型玻璃，其强度和稳定性比普通玻璃更好。一般情况下，一块玻璃突然冷却，其中分子无法自由运动，从而形成无序结构。而新工艺可让分子进行排列成有序结构。

简介：综述了电沉积技术制备纳米薄膜的研究，介绍了电沉积技术制备纳米膜的基本工艺，讨论了电沉积技术制备纳米薄膜的原理、分类、应用情况，阐述了目前存在的问题，并对今后采用电沉积技术制备纳米薄膜的研究方向提出了一些建议。

简介：等离子体电解沉积是一门新兴的材料表面处理技术。详尽介绍了该技术的工艺机理及其影响因素。用该技术可在有色金属及其合金表面制备陶瓷层，对黑色金属及其合金表面进行快速渗碳、渗氮、碳氮共渗等，从而提高材料的耐磨耐腐蚀等性能。从发展的角度分析了该技术在表面处理行业中的应用优势和市场前景。

简介：类金刚石（DLC）膜是一种含有大量sp^3键的亚稳态非晶碳薄膜。类金刚石膜在化学、电学、热学、光学、生物相容性等方面具有良好性能，是微电子机械、医学、航空、汽车、光学等领域的理想材料，因而引起了人们极大兴趣，具有广阔的应用前景。简单介绍了DLC膜的结构、沉积法及在各个领域的应用与存在的问题。

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：石墨烯研究小组获得了2010诺奖，许多研究者对其进行了研究分析和预测。作为二维材料，石墨烯是一个基于石墨构筑单元结构。文章的量子理论计算显示，悬浮石墨烯的稳定尺寸受到量子隧道效应限制，制备超过100微米以上稳定光滑的单层悬浮石墨烯可能性极小。在衬底上石墨烯可以获得高达30英寸以上的尺寸，但是它会容易发生卷曲和破损以获得再次稳定。多层石墨烯尺寸达到数百微米后，基于同样的原因很难分层获得完美光滑的石墨烯。

简介：采用HSiCl3—NH3—N2（稀释气体）体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积（LPCVD）法沉积出了Si3N4涂层，研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响。结果表明，在没有稀释气体的情况下，随着沉积温度升高，Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加，在850℃附近达到最大值，随着反应温度的进一步升高，涂层沉积速率下降。当存在稀释气体时，在所选温度范围内随着沉积温度的升高，Si3N4涂层的沉积速率一直增大，反应的表观活化能约为222kJ／mol。随着原料中NH3／HSiCl3流量比值的增大，Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加，随后稳定，但稍有下降趋势。在所选稀释气体流量范围内，Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大。

简介：近日，利乐中国发布声明称：利乐佛山工厂决定于7月28日起停止生产，其现有的生产任务将被分配至利乐在中国大陆地区的其它三家包材工厂。

简介：

简介：在传统的二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板的基础上,利用逐级降低电压的方法减薄阻挡层,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪对Pd-Ni合金纳米线的组织形貌、晶体结构和化学状态等进行了表征与测试,结果表明,Pd-Ni纳米线的直径为70nm左右,且纳米线径向表面不够光滑,呈毛刺状,单根纳米线属于多晶结构;Pd-Ni纳米线中Pd：Ni原子比接近为1：1,表明金属Pd、Ni在纳米线中处于简单混合状态。此外,对交流电沉积制备金属纳米线时沉积条件的选择做了简要解析。

简介：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.

简介：采用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN／Si界面处存在非晶层，俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散，拉曼光谱测试表明存在Si-N键，另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因，同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。

简介：以水合氯化钌和乙醇钠为原料，首先制备了乙醇钌的乙醇溶液。通过对乙醇钌的乙醇溶液进行雾化，以2：1的氮氧比为载气，在400℃常压条件下沉积了RuO2薄膜。采用XRD和AFM分别表征了薄膜的结构及表面形貌，证实了Ru02薄膜的晶体结构，晶粒尺寸为21．4nm。通过电化学测试，RuO2薄膜的容量可达0．818F／cm2（549F／g），充放电性能良好。经1000次循环测试，剩余容量仍然可达到初始容量的92．1％，同时发现RuO2薄膜具有较低的阻抗，有利于薄膜电容器以大电流快速充放电。

简介：利用喷射沉积工艺制备Al-3．3Fe-10．7Si合金坯，经挤压制成试样。研究了合金组织、韧性及内耗行为，得出该合金在60-250℃温度范围产生的内耗峰，是由于晶界滑动弛豫引起的，弛豫过程激活能为172．2kJ／mol。在内耗峰位置晶界滑动消耗部分振动能，合金韧性在此处出现极大值。

简介：采用化学浴沉积法在氧化锌种子层上制备了整齐有序且具有c轴取向的氧化锌纳米棒，同时还出现了自由分布的微米棒，其生长速度高于纳米棒，且生长模式符合扩散控制“Ostwald熟化”机制，但纳米棒生长过程的影响因素除扩散过程外还有形核密度、生长界面的反应动力学等。并研究了氧化锌纳米棒的微观结构和光学性质。

简介：以0．8mol·L-1Al（NO3）3·9H2O的乙醇溶液为电解液，用阴极微弧电沉积的方法在HR2钢表面制备出厚度约为69μm的氧化铝陶瓷涂层，通过扫描电子显微镜（SEM）观察了涂层的表面和截面形貌，通过x射线能量色散谱（EDS）及x射线衍射仪（XRD）分析了涂层的成分以及相组成，通过电化学综合测试系统分析了涂层的电化学腐蚀性能，结果表明：涂层表面粗糙多孔，与基体呈犬牙咬合状结合；涂层主要由旷Al2O3和rAl2O3组成；涂层中含有少量的Fe元素，表明膜／基界面附近的基体在微弧放电的作用下也参与了成膜；沉积氧化铝涂层后，样品的腐蚀电流密度降低了1个数量级，耐腐蚀性能得到提高。