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  • 简介:VishayIntertechnology,Inc.日前发布新款采用热增强PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP,将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7.5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ,同时保持低栅极电荷,在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。

  • 标签: 电压范围 SO-8封装 栅极电荷 导通电阻 N沟道 增强型
  • 简介:间歇采样转发是一种新型的干扰式样,可以产生相干假目标串的干扰效果。研究了对V-调频信号的间歇采样干扰方法。在阐述了间歇采样转发干扰的基本原理后,分析了间歇采样转发信号的时频和频域特性,在理论上推导了干扰信号经匹配滤波后输出的信号模型;在此基础上,根据低阶假目标的幅相特性,提出了一种使假目标回波和真实目标回波的反相对消方法,并进一步推导了为实现反相对消对转发时延、转发频率、转发功率的要求。仿真结果表明这种方法能实现目标回波的有效对消。该文研究成果对于间歇采样转发干扰机的原理设计及使用具有指导意义。

  • 标签: 间歇采样 转发干扰 V-调频信号 相干对消
  • 简介:半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

  • 标签: 场环场板 多级场板 击穿电压 碰撞电离 驱动场
  • 简介:<正>Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600V的新款GaN功率晶体

  • 标签: 功率元件 GAN 功率半导体 功率晶体管 半导体厂商 导通电阻
  • 简介:<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

  • 标签: 半导体材料 V元素 NM 物理极限 技术节点 半导体科技
  • 简介:接修一台标识为TB500V9(实质上就是改版DM500S)卫星多媒体接收机,故障现象是开机后电视屏幕没有画面,控制面板上的绿灯常亮,按动遥控也没有任何反应,根据经验判断是机内软件出错导致的故障。用USB转RS232升级板将接收机与电脑连接好,可是运行DreamUPV1.2.2软件后发现无法联机。打开机器外壳,用858热风枪将SDRAM芯片、Flash芯片和SP3243EEA芯片都吹一遍后,故障依旧。

  • 标签: 卫星多媒体 接收机 JTAG FLASH芯片 RAM芯片 修复
  • 简介:英飞凌科技股份公司近日推出旨在提升系统效率同时兼顾易于使用的最新600VCoolMOSTMP6产品系列。该产品系列弥合了专注于提供极致性能的技术(CoolMOSTMCp)与强调易于使用的技术(如C00lMOSnIC6或E6)之间的鸿沟。

  • 标签: 品系 产品 提升系统 股份公司 技术
  • 简介:其实本刊在前两期都有提到过这款摄像机,虽然没有正式测评过,但小编也一直在把玩着,偶尔用它换个角度看看雾霾下的京城,也是别有洞天,就像这寒冷的冬日,常常因为强劲的西北风能够收获蔚蓝的天空一样,让人不再因为需要裹紧大衣而抱怨。索尼”酷拍”HDR—AS30V确实会给我们另一种欣喜和收获,正所谓任尔东西南北风,风景这边独好啥都中。

  • 标签: 数码摄像机 HDR 风景 测评 索尼 佩戴
  • 简介:《浮空研究》(季刊)是中国航空学会浮空分会会刊,是由中国航空学会浮空分会、中国电子科技集团公司第三十八研究所和空军装备研究院侦察情报装备研究所合办的专业学术期刊,2007年创刊。办刊宗旨是了解国内外浮空及其载荷的技术进展和发展趋势,加强生产研制方与应用需求方的沟通以及相关领域的专家、学者和工程设计人员的学术交流,促进我国浮空事业的发展和军方的相关科研认证工作。我们竭诚欢迎各界同仁踊跃投稿,共同交流学术和技术研究成果。

  • 标签: 浮空器 征稿简则 中国电子科技集团公司 中国航空学会 工程设计人员 学术期刊
  • 简介:华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(华润上华)近日宣布其第三代超高压700VBCD系列工艺开放代工平台开发成功。该工艺平台自华润上华第二代硅基700VBCD工艺基础上自主开发而来。通过工艺技术的持续改进,该工艺不仅控制电路部分的设计规则比第二代硅基700VBCD工艺缩小15%,

  • 标签: 工艺开发 CD系列 超高压 第三代 BCD工艺 平台开发
  • 简介:电能的最终利用绝大部分都是通过配电变压的桥梁和纽带作用来实现的,在配电系统中,配电变压占有着非常重要的位置。本文结合现场实际,主要对大型变压显性故障的原因和特征进行了叙述和分析,介绍了现场常见的处理办法,也是一些比较简单的办法。

  • 标签: 配电 变压器 显性 故障
  • 简介:<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

  • 标签: 功率晶体管 OFweek2013 V OptiMOSTM T2 英飞凌
  • 简介:在大型和重要广播电视。发射台郜离不开多工天线变换系统.交换闸本身的技术参数和。质量性能主要决定于生产厂家技术能力,一般都能达到部标要求。把停播率降到最低水平主要与天线控制系统、发射机系统和配电系统等设备的可靠性和稳定性有直接关系.

  • 标签: 天线控制系统 控制器 多功能 变换系统 广播电视
  • 简介:随着电网容量的不断增大,出现了越来越多的变压短路故障,而变压短路故障中绕组短路故障居多。因此,对变压绕组短路故障进行分析与探讨是很有必要的。本文对变压绕组短路故障的常见类别和现象进行简单阐述,对如何检测绕组短路故障以及出现绕组短路故障如何处理提出了几点建议。

  • 标签: 变压器 绕组短路 故障分析
  • 简介:<正>2013年6月17日,增长速度最快的半导体公司SiTime公司(SiTimeCorporation)宣布,推出TempFlatTMMEMS。在TempFlat出现之前,所有MEMS振荡都采用补偿电路来达到所需频率稳定度。而SiTime的TempFlatMEMS是一个革命性的突破,通过消除温度补偿需求,大幅度的促进了性能的提高,尺寸的缩小,功耗和成本的降低。YoleDeveloppement的策划经理和首席分析师LaurentRobin表示:"到2018年,预计MEMS振荡市场将以60%的复合年增长率增长,达到4.67亿

  • 标签: 复合年增长率 频率稳定度 MEMS SiTime 补偿电路 温度补偿
  • 简介:本文基于LTCC多层电路工艺实现了一种小型化的定向耦合。本文详细描述了耦合的设计思路、计算机仿真结果以及实现方法。该耦合不仅具有体积小、可靠性高等优点,而且无需调试、一致性好。

  • 标签: 耦合器 LTCC 计算机仿真
  • 简介:提出了一种舰艇多平台传感空间配准方法。该方法利用多个舰艇平台传感对同一目标连续测量之差及平台导航数据,在地心地固(ECEF)坐标系下实时估计每个舰艇平台的经度、纬度以及方位角的偏差。仿真分析表明,该方法可有效降低或消除多舰艇平台传感环境下系统误差对目标复合跟踪性能的影响,为舰艇协同作战提供高质量目标航迹数据。

  • 标签: 传感器配准 网格锁定 多平台测量模型 地理位置估计