简介：<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功
简介：<正>在未来十年左右的时间里,蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小无可小,从而促使人们寻找替代品来取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作为替代品的问题上,有些研究者正对碳纳米管寄予厚望。近日,斯坦福大学的一个研究团队成功地演示了一个简单的微电子电路,这个电路是由44个完全以丝
简介：针对复杂电磁环境中辐射源正确识别率低的问题,提出采用变权重灰关联分布式传感器信息融合的辐射源识别新方法。利用灰关联分析法进行辐射源识别能克服辐射源参数间的不确定性,其中特征参数的权重获取是灰关联法的难点,给出三种权值确定方法。然后根据分布式传感器信息融合和基于基本概率赋值的准则,进行时域和空域的证据融合,得到辐射源识别结果。仿真结果表明,三种定权法均具有高的辐射源识别率、好的环境适应性和好的识别鲁棒性。
新开发FinFET整合Ⅲ-Ⅴ族与硅材料
硅芯片大限不远:碳纳米管将成下一代材料
变权灰关联分布式传感器信息融合的辐射源识别
