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新开发FinFET整合Ⅲ-Ⅴ族与硅材料

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摘要 <正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功

DOI ojn2m72xjr/1572585

作者郑畅

机构地区不详

出处《半导体信息》 2013年6期

关键词光电元件化合物半导体原子级 FINFET 磷化铟首款

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2013年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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