新开发FinFET整合Ⅲ-Ⅴ族与硅材料

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摘要 <正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功
作者 郑畅
机构地区 不详
出处 《半导体信息》 2013年6期
出版日期 2013年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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