简介:作为一款刚推出不久的品牌.AVERATEC在普通消费者中还有些陌生。在2004年3月10日.微星公司和美国Averatec公司连手共同在国内推出笔记本电脑产品.微星Averatec系列正式投放市场。此次,微星共发布了四款笔记本电脑.我们这次拿到的是其中的一款主力机型——AVERATEC3200。
简介:网络型基础设施产业是一种需要固定网络来传输产品和服务的基础设施产业,包括电信、电力、自来水、煤气和铁路等。这些产业的改革和重组是理论界一直关注的热点问题之一。而起源于欧美的网络性公共基础设施产业的改革也成为全球化趋势。改革的路径有多种,但网络型基础设施产业改革的起点基本都是垄断,除了个别情况之外,主要实施的是国家经营体制。与全球网络型公共基础设施产业的改革一样,我国网络型基础设施产业的改革也逐步推进。尤其是作为垄断性产业代表的电信、电力等更是走在改革的前列。而推进供水、供气等城市公用事业的市场化进程更是体制改革的重要组成部分。
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。