简介：TheproblemforcalculatingnearfieldsofEMradiationsystemsbyusingthefinitedifferencetimedomain(FD-TD)methodarediscussedandtheannularphasedarrayofdipoleantennashasbeensimulatednumericallybyuseoftheFD-TDmethod.Foratestrunthenearfieldandcurrentdistributionofthesingledipoleantennaarecalculated.Thenearfieldsoftheannularphasedarrayofdipoleantennasincentralregionfilledwithdeionizedwaterarecomputedandtheinteractionofnearfieldswithananatomically-basedinhomogeneousmodelofhumantorsoisconsideredaswell.

简介：日前，意法半导体宣布其在28纳米FD—SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂投产该制程技术，这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。

简介：针对HPM对军用电子设备的严重威胁,给出了HPM典型特征参数,重点分析了其对军用电子设备的损伤机理,包括HPM对电子设备的＂前门＂耦合效应、＂后门＂耦合效应,耦合能量的计算及损伤效应的分类,最后对军用电子设备的HPM防护给出了普适的防护措施。

简介：摘要本文采用文献资料法和逻辑分析法，总结了国内外的文献资料，对于体操运动员产生运动损伤的原因及其心理康复治疗的方法进行了较为深入的分析和探索，更详细阐述了运动损伤康复的方法特别是心理康复的手段，对其主要的维度和指标进行了评价，希望运动员及其教练可以从本文中吸取经验，在实际训练中避免出现的相应问题，更好的保护体操运动员的职业生涯。

简介：在研发一套基于0．18μm工艺的全新半导体芯片时，由于芯片工艺的要求我们将标准0．18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN＋SION改为SIN，但却引进了PID（等离子体损伤）的问题。当芯片的关键尺寸减小到0．18μm时，栅氧化层变得更薄，对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变，于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤，因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化，使得PID处于可控范围内，保证了量产的芯片质量。

简介：摘要随着科学技术的不断发展，越来越多的新型材料被制造并且应用在各行各业的发展中。尤其是先进复合材料的出现并且在航天领域中的广泛应用，推动了中国航天事业的进一步发展，同时，航天事业也对复合材料的应用提出了新的要求。在航天器材建造中，所使用的复合材料具有各向异性和非均质性的特点，这种特点使得其对于分层损伤和层间断裂十分敏感，为了减少这种损伤对于航天器材的作用发挥的影响，研究人员开始对于冲击损伤下航空复合材料修复技术进行了研究。

简介：在自动楔焊键合中，要提高键合引线的抗拉强度，最重要的一点就是要减小第一键合点跟部的损伤。文章简述了自动楔焊键合的工艺过程，分析了在自动楔焊过程中造成第一键合点跟部损伤的主要原因：劈刀本身结构会对键合引线造成一定的摩擦损伤，劈刀在键合第一点后垂直上升所产生的应力会对第一键合点根部造成损伤，键合引线在拉弧过程中也会造成键合引线摩擦受损，送线系统的张力也会对第一键合点根部造成一定的损伤。文中还讨论了如何尽量减小摩擦和应力对第一键合点跟部所造成的损伤。

简介：随着我国干线传输网的升级改造,光强度调制——直接检波解调方式中,光纤色散对传输系统的损伤已成为考虑传输系统扩容方案的主要限制因素,本文就色散对传输系统的损伤机理分析目前我们采取的扩容方案,并对超大容量光缆系统技术在我国的应用谈点看法