简介：

简介：近年来IGBT模块技术进步扩展了IGBT应用范围，进入了诸如轨道牵引、HDVC和包括智能电网系统的电能质量等真正的大功率领域。本文着重IGBT技术及其在欧盟UNIFLEX-PM（未来电网通用灵活电能管理先进功率变流器）项目应用情况。

简介：SPMTM（智能功率模块）产品的大量涌现及其带来的成本效益潜力，使我们有理由重新审视低功耗驱动应用中SPM与传统分立功率器件之优、缺点的比较。今天，家用及商用电器之类的高产量电器制造商已经将SPM应用到洗衣机、电冰箱等电器中。这是一个强烈的信号，表明智能功率模块能够满足这些高产量家电制造业的成本和可靠性要求，并具有革新驱动电路产业的潜力。采用高度自动化的环氧模塑接线框构造，并结合使用诸如DBC（直接敷铜）之类的现代绝缘材料技术，已经生产出能处理1A-75A驱动电流的600VDIP（单列直插）和SIP（双列直插）SPM。

简介：随着电力电子技术的发展，在电力电子设备中，广泛应用IGBT模块。IGBT模块是先进的第三代功率模块，集成功率IGBT和智能化IGBT代表了IGBT的发展方向。本文简介IGBT模块，功率集成IGBT（PIM）和智能化IGBT（IPM）的结构和应用实例。

简介：

简介：功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展，其种类日新月异。同时，模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果，详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态，并对其封装结构及主要封装技术，如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：<正>位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司日前宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(directaluminumbonded简称(DAB)技术,已经用于集成功率半导体模块的生产中,例如:马达驱动、DC/DC转换器和功率模块中。该项技术是一项替换直接铜材连接(directcopperbonded)简称(DCB)先进技术,在直接铜材连接技术中铜作为主要的导体被连接到铝或者氮化铝陶瓷上。

简介：介绍了大功率IGBT模块的新概念，以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块，可使体积和重量大约减小50％。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块，也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构，背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FSIGBT芯片，其电流的不均衡率是10％或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。

简介：SKiN技术是一个革命性的技术进步。它通过无绑定线封装技术平台增强了可靠性，减小了热阻并改进了内部寄生电感。有了SKiN技术，包含新宽禁带材料功率器件的封装技术已经出现，并允许它们被用在中高功率领域�

简介：测量IGBT逆变器的输出电流需要电流传感器。按输出功率的不同，目前已有一些熟知的测量方案。在逆变器的印刷电路板(PCB)上放置取样电阻，因系统成本低，电流测量精确而被广泛采用，但运行中取样电阻的功耗限制了这种方法的使用，因而对于较大的功率必须采用其他方法。现在有一种技术，即把电流取样电阻放置到IGBT模块的基板上，使其尽可能地靠近散热器，这种技术可以用于最高达35kW等级的电流测量，但实际上在更大功率的测量时仍采用目前应用的电流传感器法。

简介：在纽伦堡举行的2006年电子功率器件、智能传送、电源质量博览会（PCIM2006）上，英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）推出了全新紧凑型IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块家族，为各种工业传动装置以及风车、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源及供暖系统传动装置，提供优化型功率转换器系统解决方案。基于创新型封装概念的全新PrimePACK^TM模块，充分发挥了英飞凌新一代IGBT4芯片的优势。

简介：IGBT驱动模块对IGBT的功耗和可靠性会产生重要影响，对大功率IGBT驱动模块的技术特点作了详细的分析，列出了设计的关键点，并介绍了大功率IGBT驱动模块的技术发展趋势。

简介：罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的“全SiC”功率模块。据该公司介绍，全SiC功率模块的量产尚属“全球首次”。

简介：

简介：本文叙述一项名为＂用于有源设备中的电子元器件（EfA）＂的合作研究项目的一些研究成果。采用内燃机的冷却线路对功率电子设备进行冷却,内燃机的温度能达到105℃（最恶劣情况能达到125℃）。所以,功率器件必须能经受住高达200℃的高温。挑战性的主要指标是功率循环能力。随着封装工艺的改进,这个目标是能够实现的。采用系统功率循环试验激发各种失效模式,并评估所采取的改进措施的效果。已发现,当采用新的内互连工艺,功率循环寿命能提高100倍之多。

简介：电力电子技术在汽车工业领域充当着越来越重要的角色。当氢动力燃料电池汽车仍然处于研究和开发阶段时，混合电动汽车技术已经成为汽车市场上的主流技术。汽车未来的设计方向正在改变，其最明显的迹象之一能够从北美洲和欧洲市场上为驾车者提供的日益增多的新型混合电力汽车展示模型上看出来。这种趋势也可能混淆功率模块和电机驱动器之间的界限。

简介：<正>飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出RMPA2453型号RF功率放大器模块(PAM),适合频带为2.4～2.5GHz的高性能无线局域网(WLAN)应用。RMPA2453专为802.11b╱g应用而优化,具有领先的2.5%误差向量值(EVM)。此线性功率放大器的低功耗和卓越线性度是采用飞兆半导体专有InGaP异质结双极晶体管(HBT)技术的成果。高性能RMPA2453功率放大器的输入和输出端都提供50Ohm内部匹配,并配备有内设功率感应探测器以及两种省电工作模式。

简介：英飞凌科技股份公司进一步壮大其62mm封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求，这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封装而得以实现。1200V阻断电压模块的典型应用包括：变频器、太阳能逆变器和不间断电源（UPS），1700V阻断电压模块则适用于中压变频器。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作,并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。这种模块是600V/100A三相变频,搭载了罗姆的6个SiC-SBD和6个SiC沟槽MOSFET,经验证工作温度可高达225℃。此外,该模块使用范围可达1200V级。因此,与传统的Si-IGBT模块相比,其损耗大大降低,不仅可实现小型化,而且与以往的母模类型SiC模