简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:近几年,电子产品朝轻,薄,短,小化迅速发展,印制线路板也随着这股潮流朝向高密度封装方向发展。尤其是积层板总数的增加和导通孔以及连接盘的小径化也日益显著。对于积层线路板而言,用来加工层间连接的盲通孔(BVH)的激光方法取决于导通孔和连接盘径。激光器分为CO2激光和UV-Yag激光两种。导通孔径为60μm以上时,则一般用CO2激光加工。由于铜在CO2激光的波长(9.3μm~10.3μm)领域中的吸收比很低,因此"保形法"(在表面铜箔上,蚀刻出需要的加工孔径(开铜窗),再以激光打掉树脂)成为了现在的主流。然而,由于保形法需要蚀刻开铜窗,因此增加了形成图形的工序,而且导通孔的定位取决于下层的定位标记,容易发生错位。随着积层板层数的增加,导通孔和连接盘的小径化发展,越来越需要提高加工速度和定位精度。因此,同时对铜和树脂进行加工的"直接钻孔法"开始被关注。直接钻孔法是根据格柏数据进行导通孔的定位,因此,即使导通孔/连接盘径越趋小型化,也不会发生错位,是一种能够推进多层化,高密度化的先端技术。本文讲述了以直接钻孔法形成高可靠度导通孔时所需的技术和药品。
简介:1997年eupec制造出了它的第一个具备完整保护功能的8kV光直接触发晶闸管。自那时起,eupec售出了10000多只不同尺寸和不同阻断电压的光直接触发晶闸管(LTT)。LTT由于阻断电压高的显著优点和易于实现光触发而被用于高压直流输电(HVDC)。LTT集成了多种保护功能,因此不再需要电触发晶闸管(ETT)的外部保护电路通常所需的昂贵而灵敏的电子元件。LTT用在需要晶闸管串联的高电压应用中。典型的例子有HVDC装置、静态VAR补偿器(SVC)、中压驱动中的变流器和软启动器以及各种脉冲功率应用。为了展示LTT的优异性能,首先需要关注的是系统成本和可靠性。