简介:基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。
简介:测试和保障历来是电信服务的基石,在5G时代尤为重要。5G带来的是令人目眩的高速、巨大的覆盖范围、超高的密度和容量、超高的可靠性和极低的时延。它不是基于4G迈出的一小步,而是一次巨大的飞跃。5G将赋予新的能力,极大改善宽带服务,并通过为全球数以十亿计的设备提供连接,使物联网(IoT)成为可能。5G将不再只是个人通信技术,而是遍及生活中方方面面的通用技术,实现许多我们今天无法想象的新应用。网络运营商已经感受到这种紧迫性,率先开始利用5G拓展市场,尤其在5G时间进度加速之后。5G技术的试运行已经展开,各类创新也在快速推进。我们将在2018年看到5G技术的商业服务正式推出。面对5G技术带来的多层式混合复杂性,服务商必须立即采取行动,否则它们将会严重拖累5G的实施进度和入市时间,而这些都会给服务商带来无法承受的损失。