简介:现在多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是:长晶方向为由下往上,这就使得分凝系数大于1的极少部分金属原子及氧原子集中分布在晶锭底部,大部分分凝系数小于1的金属原子及大部分非金属原子分布在铸锭的顶部,这使得少子寿命呈现低部和顶部低、中间高的分布趋势;同时,由于坩埚及SiN粉末中金属杂质的扩散,多晶硅晶锭四周晶棒靠坩埚面少子寿命偏低。目前国内外关于电池片的少子寿命与电池质量关系的研究报道很多,但是尚没有把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命,以及晶锭不同位置对应电池片质量相关联起来的研究报告。本文通过精细的试验安排、测试分析及总结,把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命及其对应电池片质量相互关联起来,同时找到了电池端电池片质量差异较大的最根本原因,并且通过试验从根本上给出了提高电池端电池片质量稳定性的方向,提高多晶收率的同时提高了电池片平均效益0.2%。
简介:雷诺数Re=214-10703时,通过数值模拟方法对布置有冲孔和无孔的两种矩形小翼涡流发生器的矩形通道进行了传热和流阻特性的研究。计算结果表明:在低雷诺数下,冲孔矩形小翼涡流发生器的传热因子j值与无孔矩形小翼涡流发生器相差不大,而在高雷诺数下,冲孔涡流发生器的传热因子j值略低于无孔涡流发生器,大约低1.03%-3.05%。在相同的雷诺数下,无孔矩形小翼涡流发生器的阻力因子f大于冲孔涡流发生器,而且随着雷诺数的增大二者的差距也越来越大。通过对比综合性能指标可知,两种通道的综合性能指标均随着雷诺数的增加而减小,而且冲孔矩形小翼涡流发生器的综合性能要优于无孔矩形小翼涡流发生器。