简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。
简介:在同步辐射软X光能区(50-2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验,因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗,使得可以用简单的模型来分析实验结果,由实验测得的光电流,计算出硅光电二极管的量子效率,并求得入射同步辐射的光通量。
简介:以超临界CO2为溶胀剂所制备的PET/PS共混物的小角X-射线散射(SAXS)研究表明,PET/PS共混物的结构参数与共混物的组成及热历史密切相关。按Vonk的一维电子密度相关函数法,得到共混物的结构参数。过度层厚随PS组分含量增加而增加,结晶片层厚却随PS含量增加而降低。热处理可提高共混物的结晶性。内比表面积随PS含量增加而增加是PS使PET韧性和抗冲击性能提高的本质原因。
Si缓冲层生长温度对SiGe外延层结构的影响
在同步辐射软X射线能区硅光电二极管的自标定
小角X—射线散射(SAXS)研究利用超临界流体为介质制备的聚合物共混体系的相区尺寸