简介:用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层膜,利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质,样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。
简介:本实验的目的是研究北京同步辐射装置(BSRF)的XRF实验装置对地质样品中的元素、特别是对轻元素的检测能力,并探讨利用目前这套装置检测流体包裹体样品时的若干问题。样品是以国家标准物质GBW07106为基体,加入一定量的NaCl,KCl,混合均匀后压制成的厚样片。测量在BSRF的XRF实验站进行,储存环电流约为40mA。样品与Si(Li)半导体探测器的距离为2cm。同步辐射源的束斑为20×20μm^2。实验在大气条件下进行,采谱时间为200秒。计算了各元素的相对检出限、采样深度、采样量和绝对量检出限(达10^-8-10^-10g);并讨论了现有条件下分析流体包裹体样品时的可测量元素范围、包裹体深度的测量方法及深度对元素XRF强度的影响,实验设备的最佳几何配置等问题。
简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。