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25 个结果
  • 简介:成像板是一种新型的集成式面探测器系统,近年来被广泛用于X光,特别是高强的同步辐射X光实验。为改善BSRF的探测条件和水平,最近BSRF购进了一套日本FujiFilm公司生产的BAS-2500成象板探测系统,提出供给广大用户使用。本文介绍了IP的工作原理、特性及应用,并对BSRF的IP探测系统作一简要介绍。

  • 标签: 成象板 面探测器 X射线 工作原理 应用
  • 简介:详细介绍了软X射线绝对光强测量系统的设计和结构及其标定的情况和结果。测量系统包括电离室、监测(或待标定)探测器及其传动系统两部分,可作为50-2000eV软X射线绝对强度测量的一级标准探测器,并给出了系统的偏差。

  • 标签: 测量系统 软X射线 绝对光强 测量 电离室 标定
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,对(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在的Jahn-Teller畸变,进行了原位的高压研究。实验表明在外加压力的作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角的变化,样品中的晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在的两种不同的畸变模式Q2和Q3,在外加压力的作用下的变化规律进行了讨论。由于这两种不同的畸变模式在受到外力作用时,表现形为不一样,导致了位于a-b基面上的Q2畸变模式的消失,并且导致Q2畸变模式消失的压力点随掺杂浓度的增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:软X射线监测系统的建立,结构特点和性能,有效地解决了气体的吸收和窗膜的透过率等因素的影响。申请获得了美国布鲁克海文国家实验室(BNL)的用光时间,对监测系统的性能进行研究,并给出了该系统的精度及与国际标准的比对结果。

  • 标签: 软X射线 软X射线监测系统 国际标准 电离室 光强度 测量
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

  • 标签: 高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓
  • 简介:本文扼要介绍了光束线真空控制保护系统的设计思想、设计要求、系统的作用和某些改进。此外,系统在设计了上采用了新技术-可编程序控制器(PLC),使控制系统的可靠性和灵活性得到了进一步的提高。研制这个系统的主要目的是,当光束线上出现(由铍窗或波纹管等偶然破裂引起的)灾难性真空事故时,能够有效地保护北京正负电子对撞机中的大型超高真空装置-电子储存环的真空系统不会遭到这种灾难的破坏,使其安全运行。本光束线的真空控制保护系统于1996年投入试运行,于1998年年底通过院级鉴定和验收。

  • 标签: BSRF 3W1光束线 真空控制保护系统 储存环
  • 简介:考察了锆助剂含量对钴基催化剂的结构及费-托合成反应性能的影响。结果表明,随着锆含量的增加,甲烷的生成受到抑制,重质烃选择性提高,重质烃合成的操作温度区间加宽,且催化剂仍保持较高的活性。TPR,H2-TPD,XRD及EXAFS等表征结果表明,锆助剂单层分散与硅胶表面,而钴以一定尺寸的聚集态存在;随着锆含量的增加,锆覆盖的硅胶表面增加,裸露的硅胶表面减小,而钴的分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大,钴硅界面减小,有利于重质烃的生成。另外,H2-TPD结果还表明,催化剂存在有从钴到锆硅载体的氢溢流。

  • 标签: 含量 锆助剂 钴基催化剂 费-托合成 结构
  • 简介:利用XRD、TPR和EXAFS等手段考察了焙烧温度对Cu/MnO2/ZrO2催化剂性能影响,结果表明,随着焙烧温度增加,铜的配位环境发生变化,铜和锰之间相互作用增强,有效地防止铜组分在还原及反应过程中聚集长大,从而使催化剂活性显著增加,当催化剂经过高温焙烧,催化剂活性由于ZrO2结晶和铜的聚集而降低。

  • 标签: Cu/MnO2/ZrO2催化剂 焙烧温度 活性测试
  • 简介:首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫,在最经济的烟气脱硫温度窗口(120-250℃)显示出高的脱硫活性,考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂的预氧化对硫脱活性的影响,并对脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明:经250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂具有最高的脱硫活性。200℃煅烧,前驱体Cu(NO3)2未完全分解:高于250℃煅烧,活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶,从而发生烧结,聚集,以上均导致脱硫剂活性的下降,尽管不同温度煅烧的CuO/AC表现出大的脱硫活性差异,但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在,其中的Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

  • 标签: CuO/AC 脱硫剂 制备 煅烧温度 脱硫活性 EXAFS
  • 简介:采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术,在室温下对晶粒尺寸为10nm的锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42.9GPa和23.0GPa,实验结果表明,在16.3GPaTiO2发生了一次结构相变,由原来的锐钛矿结构变为α-PbO2结构(TiO2-Ⅱ),该相变是不可逆的。同体材料TiO2的高压相变结果比较,由于晶粒尺寸的效应,纳米尺寸的锐钛矿TiO2的相变压力明显高于体材料的相变压力。

  • 标签: 钛矿 相变压力 晶粒尺寸
  • 简介:本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置(BSRF)上的3W1高功率(总功率为2.54W)扭摆磁铁(Wiggler)光束线(包括前端区、3W1A和3W1B)而设计和建造的。主要建造目的是,保护北京正负电子对撞机(BEPC)电子储存环的超高真空系统和其它光束线不要受到在某一条光束线上突然发生的灾难性真空事故的破坏,以及保护无水冷却和冷却水意外中断了的光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来的高功率同步辐射所损坏。此外,在活动水冷挡光罩关闭之前,为了防止快速阀的阀板因过热而被损坏,在快速阀中使用了一种熔点温度为1680℃的钛合金阀板。为了给扭摆磁铁光束线提供一个可靠的真空控制保护系统系统设计是以F1-60MR型可编程序控制器(PLC)为基础的,PLC负责管理系统的状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了系统的设计。

  • 标签: BSRF 扭摆磁铁 设计 同步辐射光束线 真空控制保护系统 可编程序控制器
  • 简介:应用激光激发荧光谱实验对经热处理后及高压条件下的氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析,实验显示,热处理效应和高压效应均导致薄膜荧光效率降低,前者表现为不可恢复,后者为可恢复即卸压后荧光效率的恢复,表明导致荧光光谱效率降低的微观机制不同,为氮碳薄膜荧光模型提供了新的实验证据。

  • 标签: 氮碳薄膜 激光诱导 荧光效率 热退火
  • 简介:本文向用户扼要介绍了光束线3W1A及其实验站的辐射安全联锁系统的设计目的、设计思想、系统的功能作用和操作规则。本系统于1996年9月投入试运行,于1998年年底通过院级鉴定和验收。

  • 标签: BSRF 实验站 辐射安全联锁系统 储存环 3W1A光束线
  • 简介:本文利用沉淀法制备了粒度分窄,无明显团聚的ZrO2纳米微粒。考察了ZrO2纳米微粒修饰丝光沸石对二甲苯异构化的影响。实验结果表明,经修饰后的丝光沸石催化剂能有效地抑制副反应的发生,提高二甲苯异构化的选择性,超微粒子修饰的丝光沸石的催化活性和选择性明显优地体相材料修饰的样品。

  • 标签: ZrO2 纳米微粒 丝光沸石 二甲苯 异构化 催化剂
  • 简介:工业半焦经850℃水蒸气活化,浓硝酸处理,等体积浸渍硝酸铜溶液,干燥,煅烧制得新型低温CuO/AC脱硫剂,考查了脱硫剂制备参数-载铜量对脱硫活性的影响,并对不同载铜量的脱硫剂进行了TPR,EXAFS,XRD等表征,结果表明,载铜量为5-15%(w)时,脱硫剂具有较高的脱硫活性;5%的载Cu量为AC(活性焦)表面发生单层覆盖的最大量,低于5%,活性组份CuO在AC表面高度分散,无体相CuO出现,但脱硫剂过低的活性组份含量,使得脱硫活性较低;高于5%时,CuO在AC表面发生多层覆盖,且随着载铜量的继续增加,活性组份矣集和内部微孔堵塞严重,致使脱硫活性出现明显下降。

  • 标签: 脱硫 CuO/AC脱硫剂 截铜量 脱硫活性