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49 个结果
  • 简介:运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部的完整性并分析了α-BaB2O4晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在(001)面发现了生长扇界亚晶界,而在(100)面(120)面分别观察到了位错、位错组以及针状包裹体。运用白光形貌拍摄到高清晰的旁埃斑。

  • 标签: 偏硼酸钡 α-BaB2O4晶体 缺陷 同步辐射X射线白光 形貌 偏硼酸钡
  • 简介:采用在位高压Raman光谱高压同步辐射能散X射线衍射技术,在室温下对晶粒尺寸为10nm的锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42.9GPa23.0GPa,实验结果表明,在16.3GPaTiO2发生了一次结构相变,由原来的锐钛矿结构变为α-PbO2结构(TiO2-Ⅱ),该相变是不可逆的。同体材料TiO2的高压相变结果比较,由于晶粒尺寸的效应,纳米尺寸的锐钛矿TiO2的相变压力明显高于体材料的相变压力。

  • 标签: 钛矿 相变压力 晶粒尺寸
  • 简介:以超临界CO2为溶胀剂所制备的PET/PS共混物的小角X-射线散射(SAXS)研究表明,PET/PS共混物的结构参数与共混物的组成及热历史密切相关。按Vonk的一维电子密度相关函数法,得到共混物的结构参数。过度层厚随PS组分含量增加而增加,结晶片层厚却随PS含量增加而降低。热处理可提高共混物的结晶性。内比表面积随PS含量增加而增加是PS使PET韧性抗冲击性能提高的本质原因。

  • 标签: 超临界流体 相区尺寸 超临界CO2 PET PS 共混
  • 简介:一年来,通过对浙江越窑古青瓷,河北邢、定、井陉窑的精细白瓷,陕西铜川黄堡窑河南巩县黄冶窑的唐三彩,陕西西岳庙的建筑古陶元素谱的SRXRF无损分析数据进行了多元统计研究,结果表明古陶瓷中的元素谱具有产地年代特征。通过无损分析,可能解决陶瓷考古界某些难以解决的产地归属年代认定问题,并提供科学依据.

  • 标签: 古陶瓷 元素谱 SRXRF 产地 年代特征 无损分析
  • 简介:不同退火温度处理后的纳米非晶态NiBNiP合金催化剂XAFSXRD的结果表明,在300℃温度退火后,纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni晶态Ni3B中间态;纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定的晶态NiNi3P。在500℃温度退火后,NiBNiP样品都晶化为金属Ni,但NiB样品中的Ni原子周围的局域结构与金属Ni箔的几乎相同,而NiP样品由于Ni原于受到元素P的影响,生成的晶态Ni的结构有较大的畸变,结构与金属Ni相差很大。

  • 标签: XAFS方法 纳米非晶态合金 NiB合金 NiP合金 结构 镍硼合金
  • 简介:实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集在孪晶晶界。应力在晶界边缘处得到释放。应力的释放导致享晶其它缺陷的形成。由于缺陷的形成在缺陷的附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出一种孪晶模型来解释实验结果。应力(主要是热应力),化学配比的偏离杂质的非均匀分布是液封直接(LEC)InP单晶生长过程中产生孪晶的主要因素。研究了液封直拉(LEC)InP(111)面上的孪晶。本文中讨论了上面提到的孪晶模型的实验证据如何得到无孪晶液封直接(LEC)InP单晶。

  • 标签: INP 孪晶 晶界 同步辐射 磷化铟 面缺陷
  • 简介:用同步辐射X荧光(SRXRF)分析了土壤岩石标准参考物质、泰兵马俑江西洪州窑古瓷中的元素谱。实验结果表明用扫描方式分析古陶瓷中的元素谱能提高实验数据的重复性,在古陶瓷元素谱的无损分析中,现有标准参考物质可以用于部分元素含量的的标定分析质量控制。

  • 标签: 古陶瓷 元素谱 产地 年代特征 SRXRF分析方法学 同步辐射X荧光
  • 简介:当今离子束分析技术涉及生命科学应用方面最令人瞩目的进展是核子微探针技术的建立发展,北京同步辐射国家实验室的同步辐射X射线荧光微探针系统具有很高的探测灵敏度(相对灵敏度为百万分之一,绝对含量可达l0-l0g),这些都是常规化学分析方法不能做到的,也是传统电子微探针溅射离子显微镜难以解决的问题。本项研究正是使用当今先进的核微探针技术,探测骨矿无机物质的分布流失途径,深入研究骨质疏松症发病机理,为骨质疏松症的预防药物治疗提供高水平的理论依据鉴别手段。

  • 标签: SRXRF 骨质疏松症 骨细胞 切片元素 分布 同步辐射X射线荧光微探针系统
  • 简介:使用部分还原-共沉淀方法制备了平均粒径为3-11nm的球形Fe3O4纳米颗粒,以16:4:1的甲醇-乙醇-水混合溶液作为传压介质均分散介质,利用金刚石对顶砧装置(DAC)研究了球形Fe3O4纳米颗粒的原位常温高压(0-31.8GPa)XRD谱纳米颗粒的压致晶格结构变化。

  • 标签: FE3O4 纳米颗粒制备 原位高压XRD 实验
  • 简介:利用同步辐射掠入射常规X射线衍射,对Si(001)衬底上自组织生长Ge量子点组分应变进行了研究。结果表明量子点为50%应变驰豫的GeSi合金量子点,其Ge组分为0.55。此外在掠入射X射线衍射Si(220)峰的高角旁观察到另外一个峰,对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。

  • 标签: Si(001)衬底 自组织生长 Ge 量子点 组分 应变