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257 个结果
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)存在Jahn-Teller畸变,进行了原位高压研究。实验表明在外加压力作用下,能有效影响到晶格Mn-O键长和Mn-O-Mn键角变化,样品晶格畸变有所减小。并且晶格存在两种不同畸变模式Q2和Q3,在外加压力作用下变化规律进行了讨论。由于这两种不同畸变模式受到外力作用时,表现形为不样,导致了位于a-b基面上Q2畸变模式消失,并且导致Q2畸变模式消失压力点随掺杂浓度增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了0.5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,足够As压下高温退火将改善化学配比均匀性。

  • 标签: 高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓
  • 简介:同步辐射X射线(白光)微束激发晶态物质和非晶态物质时,其中晶态物质衍射线将严重影响元素X射线能谱分析,其最有效解决办法是采用同步辐射单色光激发样品,或在样品与Si(Li)探测器之间入准直器消除衍射作用影响

  • 标签: 晶态物质 同步辐照 X射线荧光分析
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长Si缓冲层生长温度SiGe/Si异质结结构影响。结果表明,研究SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:用同步辐射X荧光微束扫描技术测量了未经处理,腹腔注射CdCl2及注射后用新型络合剂促排三组Wistar大鼠肾切片。结果表明Cd主要分布皮质部分,而髓质部分含量很低。用多元素统计分析探讨了元素间关系;正常鼠肾,元素分布基本上聚类成两大类。其中微量元素Cu,Zn,Mn和Se为类,它们分布有较强共位性,处于平均状态;急性中毒时,Cd与Se距离最近。有较强相互作用。其次是与Ca,此时元素分类不明显,平衡被打乱;中毒后用新药促排Se和Zn强相关并聚为类,其它元素间相关性变弱,元素基本上又趋于分为两类。

  • 标签: 微量元素 多元统计分析 同步辐射微束扫描分析 元素位置分布 肾损伤 急性镉中毒
  • 简介:应用同步辐照光源进行高温高压原位能量色散X射线衍射实验,入射X射线光束定位是关键,北京同步辐射实验高压衍射站引入四刀光阑扫描系统,实现调光定位自动化,简化调光手续,提高实验效率,为高压衍射实验站用户进行实验提供了方便。

  • 标签: X射线衍射 同步辐照 光束定位
  • 简介:小角X射线散射(SAXS)是有效、重要亚微结构分析手段。本文介绍了SAXS基本原理、实验方法和数据处理方法尤其是对于非理想两相体系解析方法及其溶胶-凝胶法制备多孔材料研究应用。

  • 标签: SAXS 溶胶-凝胶法 多孔材料 孔结构隙 小角X射线散射
  • 简介:考察了锆助剂含量钴基催化剂结构及费-托合成反应性能影响。结果表明,随着锆含量增加,甲烷生成受到抑制,重质烃选择性提高,重质烃合成操作温度区间加宽,且催化剂仍保持较高活性。TPR,H2-TPD,XRD及EXAFS等表征结果表明,锆助剂单层分散与硅胶表面,而钴定尺寸聚集态存在;随着锆含量增加,锆覆盖硅胶表面增加,裸露硅胶表面减小,而钴分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大,钴硅界面减小,有利于重质烃生成。另外,H2-TPD结果还表明,催化剂存在有从钴到锆硅载体氢溢流。

  • 标签: 含量 锆助剂 钴基催化剂 费-托合成 结构
  • 简介:首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫,最经济烟气脱硫温度窗口(120-250℃)显示出高脱硫活性,考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂预氧化硫脱活性影响,并脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明:经250℃煅烧CuO/AC脱硫剂具有最高脱硫活性。200℃煅烧,前驱体Cu(NO3)2未完全分解:高于250℃煅烧,活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶,从而发生烧结,聚集,以上均导致脱硫剂活性下降,尽管不同温度煅烧CuO/AC表现出大脱硫活性差异,但吸硫后均生成同反应产物CuSO4,250℃煅烧CuO/AC脱硫剂CuCuO和Cu2O形态存在,其中Cu2O200℃很容易氧化成CuO。

  • 标签: CuO/AC 脱硫剂 制备 煅烧温度 脱硫活性 EXAFS
  • 简介:采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术室温下晶粒尺寸为10nm锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42.9GPa和23.0GPa,实验结果表明,16.3GPaTiO2发生了次结构相变,由原来锐钛矿结构变为α-PbO2结构(TiO2-Ⅱ),该相变是不可逆。同体材料TiO2高压相变结果比较,由于晶粒尺寸效应,纳米尺寸锐钛矿TiO2相变压力明显高于体材料相变压力。

  • 标签: 钛矿 相变压力 晶粒尺寸
  • 简介:实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集孪晶晶界。应力晶界边缘处得到释放。应力释放导致享晶和其它缺陷形成。由于缺陷形成缺陷附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出种孪晶模型解释实验结果。应力(主要是热应力),化学配比偏离和杂质非均匀分布是液封直接(LEC)InP单晶生长过程中产生孪晶主要因素。研究了液封直拉(LEC)InP(111)面上孪晶。本文中讨论了上面提到孪晶模型实验证据和如何得到无孪晶液封直接(LEC)InP单晶。

  • 标签: INP 孪晶 晶界 同步辐射 磷化铟 面缺陷
  • 简介:采用溶胶-凝胶法,制备了不同钴含量钴钼超细粒子氧化物,将其与K2CO3干混后进行硫化。使用X-射线衍射(XRI)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)样品进行结构表征。同时测试硫化态样品CO加氢合成低碳混合醇性能。结构表征结果表明,不含钴氧化态样品,主要以颗粒度较大MoO2物种存在;添加钴后,样品粒子颗粒度大幅度降低,钴钼组分主要以CoMoO3物种形式存在,当钴含量增加时,CoMoO3晶形趋于改善。硫化态样品类似于MoS2物种形式存在,但粒子尺寸较小。同时,体系还存在Co-Mo-S和Co9S8物种。XRD和EXAFS结果表明,适量钴添加,有利于样品硫化。活性测试表明,钴加入,明显促进含量也最高。结合结构表征结果,认为钴是以协同作用方式参与反应。

  • 标签: 超细粒子 溶胶-凝胶法 K-CO-MO催化剂 低碳醇 合成 钴含量
  • 简介:北京同步辐射实验XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS实验方法。通过测量单色X-射线样品表面激发出电子产额随X-射线能量变化,提取吸收边附近XAFS震荡。不同厚度Cu薄膜测量表明,CuK吸收边附近可观察到信噪比很好XAFS震荡。该探测器设计简单,可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法建立,有助于导电薄膜和材料近表面结构研究。

  • 标签: 测量 XAFS谱 全电子产额技术 同步辐射 X-射线吸收精细结构 磁控溅射
  • 简介:应用激光激发荧光谱实验经热处理后及高压条件下氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析,实验显示,热处理效应和高压效应均导致薄膜荧光效率降低,前者表现为不可恢复,后者为可恢复即卸压后荧光效率恢复,表明导致荧光光谱效率降低微观机制不同,为氮碳薄膜荧光模型提供了新实验证据。

  • 标签: 氮碳薄膜 激光诱导 荧光效率 热退火