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22 个结果
  • 简介:测定贵州兴仁、兴义晚二叠世6个高砷无烟煤样品中As含量为33μg·g^-1-3.2%,Sb含量为8.10μg·g^-1-120μg·g^-1。对样品的矿物学研究表明,未发现任何含As或As的独立矿物,As是赋存在煤有机组分中。应用同步辐射X射线吸收精细结构仪测定样品中As的结构发现,赋存在高砷煤有机组分中的As与O配位,除在一个样品中As与3个O配位外,在其余样品中As均与4个O配位。因此,高砷煤中的As不是赋存在硫化物矿物中,而是赋存在砷酸盐或亚砷酸盐相中,且主要是砷酸盐相。

  • 标签: 赋存状态 同步辐射 扩展X射线 结构
  • 简介:测定贵州兴仁、兴义晚二叠世6个高砷无烟煤样品中As含量为94.1μg·g^-1-3.2%,Sb含量为8.1-120μg·g^-1,对样品的矿物学研究表明,未发现任何含As或As的独立矿物,As是赋存在煤有机组分中,应用同步辐射X射线吸收精细结构仪测定样品中As的结构发现,赋存在高砷煤有机组分中的As与O配位,除在1个样品中As与3个O配位外,在其余样品中As均与4个O配位,因此,高砷煤中的As不是赋存在硫化物矿物中,而是赋存在砷酸盐或亚砷酸盐相中,且主要是砷酸盐相。

  • 标签: 高砷煤 赋存状态 同步辐射 扩展X射线 精细结构
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,对(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在的Jahn-Teller畸变,进行了原位的高压研究。实验表明在外加压力的作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角的变化,样品中的晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在的两种不同的畸变模式Q2和Q3,在外加压力的作用下的变化规律进行了讨论。由于这两种不同的畸变模式在受到外力作用时,表现形为不一样,导致了位于a-b基面上的Q2畸变模式的消失,并且导致Q2畸变模式消失的压力点随掺杂浓度的增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

  • 标签: 高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓
  • 简介:考察了锆助剂含量对钴基催化剂的结构及费-托合成反应性能的影响。结果表明,随着锆含量的增加,甲烷的生成受到抑制,重质烃选择性提高,重质烃合成的操作温度区间加宽,且催化剂仍保持较高的活性。TPR,H2-TPD,XRD及EXAFS等表征结果表明,锆助剂单层分散与硅胶表面,而钴以一定尺寸的聚集态存在;随着锆含量的增加,锆覆盖的硅胶表面增加,裸露的硅胶表面减小,而钴的分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大,钴硅界面减小,有利于重质烃的生成。另外,H2-TPD结果还表明,催化剂存在有从钴到锆硅载体的氢溢流。

  • 标签: 含量 锆助剂 钴基催化剂 费-托合成 结构
  • 简介:利用XRD、TPR和EXAFS等手段考察了焙烧温度对Cu/MnO2/ZrO2催化剂性能影响,结果表明,随着焙烧温度增加,铜的配位环境发生变化,铜和锰之间相互作用增强,有效地防止铜组分在还原及反应过程中聚集长大,从而使催化剂活性显著增加,当催化剂经过高温焙烧,催化剂活性由于ZrO2结晶和铜的聚集而降低。

  • 标签: Cu/MnO2/ZrO2催化剂 焙烧温度 活性测试
  • 简介:首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫,在最经济的烟气脱硫温度窗口(120-250℃)显示出高的脱硫活性,考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂的预氧化对硫脱活性的影响,并对脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明:经250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂具有最高的脱硫活性。200℃煅烧,前驱体Cu(NO3)2未完全分解:高于250℃煅烧,活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶,从而发生烧结,聚集,以上均导致脱硫剂活性的下降,尽管不同温度煅烧的CuO/AC表现出大的脱硫活性差异,但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在,其中的Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

  • 标签: CuO/AC 脱硫剂 制备 煅烧温度 脱硫活性 EXAFS
  • 简介:采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术,在室温下对晶粒尺寸为10nm的锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42.9GPa和23.0GPa,实验结果表明,在16.3GPaTiO2发生了一次结构相变,由原来的锐钛矿结构变为α-PbO2结构(TiO2-Ⅱ),该相变是不可逆的。同体材料TiO2的高压相变结果比较,由于晶粒尺寸的效应,纳米尺寸的锐钛矿TiO2的相变压力明显高于体材料的相变压力。

  • 标签: 钛矿 相变压力 晶粒尺寸
  • 简介:应用激光激发荧光谱实验对经热处理后及高压条件下的氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析,实验显示,热处理效应和高压效应均导致薄膜荧光效率降低,前者表现为不可恢复,后者为可恢复即卸压后荧光效率的恢复,表明导致荧光光谱效率降低的微观机制不同,为氮碳薄膜荧光模型提供了新的实验证据。

  • 标签: 氮碳薄膜 激光诱导 荧光效率 热退火
  • 简介:本文利用沉淀法制备了粒度分窄,无明显团聚的ZrO2纳米微粒。考察了ZrO2纳米微粒修饰丝光沸石对二甲苯异构化的影响。实验结果表明,经修饰后的丝光沸石催化剂能有效地抑制副反应的发生,提高二甲苯异构化的选择性,超微粒子修饰的丝光沸石的催化活性和选择性明显优地体相材料修饰的样品。

  • 标签: ZrO2 纳米微粒 丝光沸石 二甲苯 异构化 催化剂
  • 简介:工业半焦经850℃水蒸气活化,浓硝酸处理,等体积浸渍硝酸铜溶液,干燥,煅烧制得新型低温CuO/AC脱硫剂,考查了脱硫剂制备参数-载铜量对脱硫活性的影响,并对不同载铜量的脱硫剂进行了TPR,EXAFS,XRD等表征,结果表明,载铜量为5-15%(w)时,脱硫剂具有较高的脱硫活性;5%的载Cu量为AC(活性焦)表面发生单层覆盖的最大量,低于5%,活性组份CuO在AC表面高度分散,无体相CuO出现,但脱硫剂过低的活性组份含量,使得脱硫活性较低;高于5%时,CuO在AC表面发生多层覆盖,且随着载铜量的继续增加,活性组份矣集和内部微孔堵塞严重,致使脱硫活性出现明显下降。

  • 标签: 脱硫 CuO/AC脱硫剂 截铜量 脱硫活性
  • 简介:采用溶胶-凝胶法制备CoMoO4催化剂,经K助化后分别在空气中于400-800℃下进行焙烧,得到氧化态样品,然后经硫化制得硫化态K-Co-Mo催化剂,对氧化态样品的乙醇分解性能及硫化态样品的CO加氢合成低碳醇的反应性能进行了测试,运用X射线衍射(XRD)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)对样品进行结构表征,乙醇分解性能测试表明,催化剂的表面酸性较弱,且随着焙烧温度的升高变化不大,合成醇性能测试结果则显示,催化剂的焙烧温度升高后,其合成醇的产率逐步降低,但醇选择性基本不变,经400℃焙烧的样品,具有最好的催化活性。结构分析结果表明,氧化态样品中存在多种K-Mo-O物种,且随着焙烧温度的提高,钾铝之间作用增强,样品更难以被完全硫化。

  • 标签: K-CO-MO催化剂 溶胶-凝胶法 低碳醇合成 焙烧温度
  • 简介:同步辐射X射线(白光)微束激发晶态物质和非晶态物质时,其中晶态物质的衍射线将严重影响元素的X射线能谱分析,其最有效的解决办法是采用同步辐射单色光激发样品,或在样品与Si(Li)探测器之间入一准直器以消除衍射作用的影响

  • 标签: 晶态物质 同步辐照 X射线荧光分析
  • 简介:采用溶胶-凝胶法,制备了不同钴含量的钴钼超细粒子氧化物,将其与K2CO3干混后进行硫化。使用X-射线衍射(XRI)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)对样品进行结构表征。同时测试硫化态样品的CO加氢合成低碳混合醇性能。结构表征结果表明,不含钴的氧化态样品,主要以颗粒度较大的MoO2物种存在;添加钴后,样品粒子的颗粒度大幅度降低,钴钼组分主要以CoMoO3物种的形式存在,当钴含量增加时,CoMoO3的晶形趋于改善。硫化态样品中钼以类似于MoS2物种的形式存在,但粒子尺寸较小。同时,体系中还存在Co-Mo-S和Co9S8物种。XRD和EXAFS结果表明,适量钴的添加,有利于样品的硫化。活性测试表明,钴的加入,明显促进的含量也最高。结合结构表征结果,认为钴是以协同作用的方式参与反应。

  • 标签: 超细粒子 溶胶-凝胶法 K-CO-MO催化剂 低碳醇 合成 钴含量