简介：随着电子战装备的广泛应用以及电磁脉冲武器、高功率微波武器的出现，战场空间的电磁环境日趋恶劣，使装备面临着巨大的电磁威胁，其对电子设备的破坏已经引起各国的广泛关注，因此对电子设备进行电磁脉冲保护迫在眉睫。首先分析了电磁脉冲对电子设备的危害；然后对防护效果较好的两种新型吸波材料（纳米材料、石墨烯）以及能量选择表面进行了介绍，分析了各自的优缺点及发展趋势；最后重点围绕等离子体电磁脉冲防护，介绍了其防护原理，并对国内外发展现状进行了总结与展望。

简介：美国宾夕法尼亚州立大学帕克主校区的研究者们开发了一种用于生产以前不相容的材料化合物的新方法，该方法也可以降低许多类型制造的能量成本。称为冷烧结工艺（csP）的低温方法比传统方法使用明显更少的能量，并且可以在15min内将一些材料致密化超过95％的理论密度。

简介：阪村机械制作所是日本最大的生产螺栓、螺母成形设备的工厂，最近与大阪精工和神户制钢所共同开发了β钛合金冷锻技术。使以前用切削方法制造的螺栓等钛合金零件可用冷锻方法进行批量生产。另外，用冷锻技术还可以进行以前很难进行的拉深和凸缘成形，因此还可以应用于形状复杂的汽车和自行车零件的制造。与以前用切削方法制作钛合金螺栓相比，制造成本降低1／2。该公司计划今后逐渐扩大该技术在复杂形状零件方面的应用，并增加种类和尺寸。

简介：通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚（N-异丙基丙烯酰胺）（PVDF—g-PNIPAAm）共聚物，进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学，研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明，在不同凝固浴温度下，PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制，凝固浴温度为30℃时成膜时间最长，40℃时成膜时间最短；不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性，随着凝固浴温度的升高，结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比，PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高，其中，30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构，其中，30℃下所成的膜指状孔最大，孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能，其水通量在30℃附近有显著增加。

简介：冷喷涂防腐是一项革命性技术，借助这项技术可直接、就地在镁合金上生成厚的铝镀膜达到降低或排除常见腐蚀或电池腐蚀。这项技术有望克服原有镁合金防腐技术的缺点，从而有助于将镁用于汽车的外部元件。

简介：

简介：采用高频脉冲电铸工艺制备出了镍钴纳米复合块体材料，利用场发射扫描电镜、能谱和X射线衍射的方法，重点研究了复合块体沉积层的表面形貌、相结构和结晶取向。结果表明．高频率和润湿剂的添加对沉积层的细化有重要影响，高频脉冲电铸能够获得微观组织致密、均匀的复合块体材料。

简介：为同时实现电子信息装备正常电磁环境下工作和强电磁脉冲下电磁防护的双重功能,介绍了一种在电磁场下具有变阻抗特性的智能电磁防护材料,场致电阻材料.该防护材料利用其在强电磁场下发生绝缘体/导体相变的特性,可以实现在强电磁脉冲辐射下防护材料由高阻抗向低阻抗的转变.场致电阻材料用于电磁防护具有电磁能量选择特性,对于低功率的安全电磁波可以高效透射,而对高功率的电磁脉冲则有效屏蔽,从而达到快速感知电磁环境变化并迅速调节电磁性能的要求.介绍了几种场致电阻材料,分析了其在电磁脉冲防护领域中应用的优缺点,并对未来强电磁脉冲防护材料的发展进行了展望。

简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究，分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明，采用PLD法在室温下可以制备出（002）结晶取向和透过率高于75％的ZnO薄膜，但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差，沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

简介：美国休斯敦大学科学家们的研究发现了一种在非超导材料上诱发超导特性的方法，同时还可以增加已知超导材料的效率，对于提高超导体应用可行性是一个突破。

简介：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.

简介：国立信息学研究所科学家成功用光脉冲控制封闭在半导体纳米构造内的电子的自旋状态，这一成果为研制超高速量子计算机打下了基础。这项成果刊登在11月13日出版的英国《自然》杂志上。

简介：

简介：日本北陆先端科学技术大学院大学开发出了耐热温度超过300℃的植物性树脂。植物性树脂目前正逐渐应用于手机、个人电脑外壳，但存在耐热性能低的课题。以聚乳酸为主要成分的一般植物性树脂的耐热温度为60℃左右。因此，在实际应用时大多会通过混合石油系树脂和矿物提高耐热性。

简介：分析了复合导电材料的导电机理,阐述了关于复合型导电高分子材料电阻-温度效应产生机理的研究进展.指出了导电填料的种类、含量以及高分子基体的结构等因素对电阻-温度效应的影响程度.通过对填料和基体进行改性和表面处理能有效提高温度效应的强度、稳定性和重复性.还概述了相关电阻温度效应的计算模型.

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：对镁合金常用表面处理方法和成形技术进行了简单介绍。根据冷喷涂技术的优点，综述了冷喷涂在镁合金表面处理中的应用，并对冷喷涂技术用于制备镁基复合材料和近净成形镁合金部件进行了分析及展望。

简介：用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜（SEM）分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明：随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.

简介：以变形条件对圆环链临界损伤因子的影响为主要研究目标，确立物理试验与数值模拟仿真相互佐证寻求临界损伤因子的基本思路，完成不同温度和应变速率条件下多组试样的热物理模拟拉伸试验，利用采集到的参数完成试验的仿真再现，研究温度／机械载荷作用下刨链的强度和寿命特征。结果表明，最大损伤值总是出现在圆环链的肩部，损伤软化现象对应变速率较为敏感，临界损伤因子不是一个常数，而是在0．15～0．54范围内。