简介：利用水热法成功地实现了掺杂（Ag、Fe、Al、Ce、Ni、Pb）纳米氧化锌（ZnO）粉体的制备,通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等表征方法,系统地分析了掺杂元素种类、掺杂浓度对纳米ZnO的结构、形貌的影响,以及不同测试温度下各种相应纳米ZnO电阻率的变化,X射线衍射谱表明,掺Ag、Fe、Ce、Ni纳米ZnO的结晶度降低;掺Al和Pb纳米ZnO的结晶度变化不大.SEM形貌表征显示,未掺杂的纳米ZnO为片状;掺Ag、Al的纳米ZnO为颗粒状;掺Fe、Ni、Pb的纳米ZnO为六方短柱状.电阻率测试表明,相比未掺杂纳米ZnO,掺Ag、Ce的纳米ZnO电阻率增大,且在一定温度范围内随温度的增加具有较大幅度的变化;掺Fe的纳米ZnO电阻率相对降低.掺杂浓度由1%增加到3%时,掺Ni的纳米ZnO电阻率增大;掺Fe、Al和Pb的纳米ZnO电阻率减小.

简介：采用化学气相沉积（CVD）法,以高纯ZnO和活性C混合粉末为原料,以NH3为掺杂气体,在Si（111）衬底上制备了N掺杂的ZnO纳米线阵列,用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、拉曼光谱对样品进行分析,结果表明,氮气的掺杂过程对生长N掺杂的ZnO纳米线阵列有一定的影响。除此之外,N掺杂的ZnO纳微米p-n结被合成,表现出很明显的整流特性。

简介：使用分子束外延（MBE）技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAsSchottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术（ALD）插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.

简介：摘要分别采用混酸（浓H2SO4和浓HNO3）、浓HNO3、浓NaOH及浓H2SO4／H2O2对碳纳米管（CNTs）在室温下进行表面处理，通过FTIR、SEM、DSC和TGA研究了各改性方法对CNTs／环氧树脂（EP）复合材料热性能和电性能的影响。结果表明，混酸处理使CNTs在EP中的分散性、EP的玻璃化温度和热分解温度都显著提高，其它3种方法也有这种作用，相比较而言，H2SO4／H2O2和HNO3的改性作用稍差，而NaOH的最差。4种处理方法都使复合材料的导电性能、介电常数以及介电损耗显著下降，其中混酸处理使上述性能下降的程度最高，其次为H2SO4／H2O2处理，NaOH处理和HNO3处理对电性能影响较小。

简介：综述了纳机电系统（NEMS）的研究进展；介绍了美国与欧洲在NEMS军用和航空航天领域的研究目标和进展，以及一些典型NEMS器件的应用；讨论了NEMS检测与表征技术以及NEMS制造技术；探讨了NEMS研究发展趋势。

简介：(二○○八年十月二十四日,天津)尊敬的各位领导、各位来宾、各位代表:亲爱的同志们、朋友们:大家好!金秋十月,我们相会于渤海之滨,聚首于天津大学,一起研讨先进材料前沿热点,共同商议功能材料发展大计,这是我国功能材料科技界与产业界的喜事、大事。在这里,请允许我以大会主席的名

简介：据报道，科技部和教育部日前联合新认定了12家创新环境好、创新资源聚集、成果转化和科技企业孵化绩效显著、地方政府高度重视的大学科技园为国家大学科技园。

简介：美国研究人员最新研制一种微型纳米电池，仅12分钟便能一部手机充电完成。据国外媒体报道，目前，美国一项创新电池技术将使人们的手机完全充电仅需12分钟，这将意味着手机充电几个小时的历史将不再出现!更重要的是，美国马里兰大学研究人员表示，这项最新发明将带来人们长期寻求的微型化能量存储元件，电动汽车可能受益于该创新技术。