简介:基于Lindhard-Robinson模型,利用NPRIM和NJOY程序,模拟计算了4种典型辐照场景下,Ti、Ni、Fe、Cr和316L等常用材料的中子辐照损伤参数。计算结果表明,DPA产生速率和He产生速率与辐照场景的中子能谱关系紧密,Fe是比较好的耐中子辐照材料。
简介:概述了现有非晶合金的种类,并从合金的热力学、动力学和结构3个方面阐述了合金的非晶形成机理,同时全面总结和探讨了表征合金非晶形成能力的各种参数,主要包括Inoue经验规律、△H(熔化焓)、△S(熔化熵)、过冷液体温度区间△Tx(△Tx=Tx-Tg)、约化玻璃转变温度Trg(Trg=Tg/Tm)、粘度(η)、αβ1/3、临界冷却速度(Rc)、非晶晶化开始温度(Tx)与合金开始熔化温度(Tm)之比(Tx/Tm)、合金开始熔化温度(Tm)与玻璃转变温度(Tg)或非晶晶化开始温度(Tx)之差△Tm(△Tm=Tm-Tg或△Tm=Tm—Tx)、电子浓度e/a、原子尺寸、重力等。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。
简介:如果您是企业负责人,不知您有没有这个体会——全面及时、准确快速地掌握竞争信息,才能有效提高企业竞争力,在市场竞争中取得主动?
简介:对于一座具有发展欲望的城市来说,创新必须倚重高等教育。而一所好的大学,也应该能够为区域经济的发展提供强劲的科技创新支撑,正如重庆文理学院之于永川。11月12日,2017微纳米材料与先进制造学术会议在重庆文理学院举行,邀请国内外多位院士专家参与,助力永川创新驱动发展。会议期间,中国工程院院士、重庆文理学院名誉校长涂铭旌接受本报专访,介绍了自己的事业和生平,并解读了新