简介：隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点，在磁随机存取存储器（MRAM）、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器件上颇受欢迎，有着广阔的应用前景。重点介绍了隧道磁电阻效应中自旋相关输运特点及原理，阐述了最近几年国内外最新研究进展，最后讨论了隧道磁电阻效应在实际应用中所面临的一些问题。

简介：基于密度泛函理论的第一性原理，结合广义梯度近似，对Mg、Al不同浓度掺杂的ZnO进行能带结构、电子态密度以及光学性质的研究，结果表明，由于Mg原子电子分布和Zn原子的差异，Zn-4s向高能端偏移，而价带基本保持不变，使得禁带宽度增大。由于Al的价电子比Zn多一个，掺杂Al使ZnO成为n型掺杂半导体，导致Zn0的导电性增大。从对二者的光学性质的分析可以看出，掺杂Mg后并没使ZnO的吸收谱的吸收边发生明显的移动，而掺杂Al使ZnO的吸收边向短波方向移动，发生了蓝移现象。

简介：合成出了西布曲明晶体，并确定了晶体为斜方晶系，空间群为Pbcn，晶体结构测定结果表明，西布曲明晶体具有手性反式结构。运用晶体化学和纳米科技的基本原理对西布曲明的纳米化药理进行了分析，通过对该配合物不同纳米尺度微粒的晶胞数、原子数、表面原子数及其比例的计算，分析讨论了微粒纳米尺度变化与化学活性的相关关系，为西布曲明药用原理提供了分析基础。

简介：最新的研究成果-光子交叉相关光谱原理(PCCS-PhotonCrossCorrelationSpectroscopy)，完全避免了光子相关光谱原理(PCS-PhotonCorrelationSpectroscopy)的纳米粒度仪原理上的缺陷，可以直接测量高浓度样品而不需稀释，测量结果完全真实的反应了被测试样品的实际粒度分布状态。文中详细介绍了PCCS的测试原理和应用，采用该原理的仪器，由德国新帕泰克公司制造并向全球推广，型号为NANOPHOX。

简介：美国国家标准与技术研究院的研究人员展示了他们最新研制的一款固态量子冰箱，这款制冷机利用了微型和纳米结构的量子物理学原理，可将一个比自身体积大得多的物体冷却到极其低的温度。项目负责人乔尔·乌洛姆说：“我们利用纳米结构的量子力学来冷却铜块，而铜几乎是这种制冷元件重量的100万倍。这是纳米或微电机装置可用来操纵宏观世界的一个罕见例子。”

简介：通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能，设计具有特定性能的新材料，甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函，使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后，依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。

简介：国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”，9月28日在北京通过了科技部与北京市组织的项目验收。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售，标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破，在该领域自主创新和产业化上又迈出了可喜的一步。