简介：据报道，继京东方液晶面板6代线在合肥实现量产后，目前合肥液晶面板8．5代线项目正式获国家发改委批复核准，该项目计划在2012年底实现量产。

简介：中国科学院重庆绿色智能技术研究院近日成功研制了用于微电子光刻的“2～12英寸UVLED平行光曝光模组”及用于PCB、液晶面板和触摸屏等光刻装备的“5kW、8kW、10kW汞灯替代UVLED光源模组”系列产品。

简介：据报道，继2009年10月启动的广州LGD8．5代液晶面板线后，广东第二条高世代液晶面板线落定。11月17日，总投资达245亿元的深圳市第8．542薄膜晶体管液晶显示器件（TFT—LCD）生产线项目正式启动。该项目运作主体为新成立的深圳市华星光电技术有限公司，TCL集团与深圳市深超科技投资有限公司各占50％股份。项目将于2010年1月动工，2011年底试产，预计年产液晶电视模组1400万块。

简介：据报道，京东方科技集团（BOE）将加速开拓日本市场。该公司董事长王东升曾表示，最快将于2013年向日本提供分辨率高达高清（HD）面板4倍的“4K”高精细面板。京东方已于2011年11月设立了日本法人。京东方将以高精细面板为契机，加快开拓以大电子厂商为主要对象的日本市场。

简介：11月3日，LGDisplay（简称LGD）公司与广州经济技术开发区在韩国首尔正式以书面形式签订了在中国广州建设第8．5代液晶面板生产线的投资合同。

简介：在众多的新型太阳电池中，钙钛矿太阳电池以空前的发展速度脱颖而出，其理论转化效率可达50％，是目前商业化太阳电池的2倍。钙钛矿太阳电池制备工艺简单，主要包括溶液法和双源共蒸发，以此制备了电子传输层为多孔态、介孔态、平面态的钙钛矿太阳电池。从电池结构出发，介绍了结构中各功能层的主要作用，重点阐述了电子传输层薄膜的形态变化和钙钛矿吸收层薄膜的制备方法。最后介绍了钙钛矿太阳电池面l临的问题，并对其未来发展方向进行了展望。

简介：由于氢化钛能快速分解且产生大比体积的氢，所以大部分的铝发泡剂是氢化钛。但氢化钛不仅价格昂贵，而且操作起来十分危险。马德里的一所工学院的研究小组已经制备出成本极低的使铝发泡的碳酸钙发泡剂。使用这种碳酸钙发泡剂，泡沫铝的生产工艺可连续进行。

简介：美国能源部洛斯阿拉莫斯国家实验室的研究人员用大晶粒尺寸钙钛矿材料制造出的平板太阳能电池效率接近18％；成为最高效率钙钛矿基光能转换装置家族的一员。这种电池个体之间的差别很小，使装置具有无滞后光伏响应特性，而这一直是妨碍钙钛矿装置稳定运行重要的瓶颈。“性能的提高归因于大块缺陷的减少以及在大晶粒钙钛矿材料中载流子可动性增加。”负责该研究的科学家AdityaMohite说，“我们的观察结果证实晶体的质量与高质量半导体，例如硅和砷化镓不相上下。”

简介：湖南大学利用纳米技术和材料成功研制出微乳法生产纳米碳酸钙新工艺。纳米技术是世界争相发展的科技热点，但目前纳米技术和材料可以实现产业化的仅有为数不多的几个品种，纳米碳酸钙是其中最有代表性的品种，它可广泛应用于橡胶、涂料、塑料等产业以及其它轻工业如化妆品、牙膏等行业。

简介：据媒体报道，由第三军医大学大坪医院野战外科研究所皮肤科主任伍津津教授研究的人造皮肤——复方壳多糖组织工程皮肤，日前已开始在中国医学科学院皮肤病研究所、四川大学华西医院等7家医院和研究所进行临床试验，预计1年后即可为病人进行皮肤移植。

简介：科学界用短短5年的时间将钙钛矿太阳能电池的效率从最初的3％提升到至今的20．1％。并且钙钛矿太阳能电池的相关研究工作被期刊Science评为2013年度国际十大科技进展之一，该评价足够彰显出钙钛矿太阳能电池极富有科学研究价值和实际运用前景。综合国内外钙钛矿太阳能电池部分典型研究工作从钙钛矿太阳能电池的结构与工作原理、光吸收层的特性与合成方法、不同空穴传输材料的使用、对电极材料几个方面做出系统性总结，同时也对钙钛矿太阳能电池的未来发展方向做简要展望。

简介：利用十八伯胺改性钙基蒙脱土（MMT）制备出有机MMT。研究了十八伯胺用量、乙酸加入量和改性时间对改性的影响，采用活化指数、接触角对蒙脱土的有机改性效果进行评价，借助红外光谱（FT-IR）和X射线衍射（XRI））对MMT改性前后的结构进行了分析。结果表明，当十八伯胺用量为4％、乙酸用量为8％（质量分数）、改性时间为4h时，蒙脱土的改性效果相对最好。红外光谱和XRD显示，伯胺已进入到蒙脱土层间，使蒙脱土层间距从0．979nm增至1．676nm。

简介：采用硬脂酸与硅烷偶联剂表面处理、PMMA水解接枝处理等方法对CaCO3进行表面改性，考察改性纳米钙对PVC／CaCO3复合材料力学性能的影响。

简介：以低钙粉煤灰为硅铝原料，NaOH和钠水玻璃为激发剂，粉煤灰和NaOH混合后加水玻璃并在50℃、60℃、70℃、80℃和90＊（2的烘箱内养护6h、12h和18h制备地质聚合物。探讨了高温短期养护对地质聚合物力学性能的影响，并对在80℃下养护18h的地质聚合物进行了XRD和TG分析，表明形成了具有耐高温性能的低钙粉煤灰地质聚合物。在较低温度下只有经较长时间养护才能获得较高抗压强度的地质聚合物；而在较高温度下可以在较短时间内获得较高抗压强度。

简介：以La（NO3）3·nH2O、Pr（NO3）3·6H2O、Ni（NO3）3·6H2O为原料，丙氨酸为分散剂，采用低温燃烧法合成了（x=0．1～0．9）系列钙钛矿型复合氧化物。用TGDSC、XRD、TPR、SEM等表征手段对样品进行表征。结果表明，La0.5Pr0.5NiO3在650℃开始形成稳定的钙钛矿结构，焙烧800℃时，表面晶粒均匀；随着Pr的取代度增大，Pr离子未能完全进入LaNiO3晶格中A位，以氧化物的形式存在于钙钛矿晶体表面，同时La1-xPrxNiO3表面存在两种不同活性的氧物种，缺陷氧结构数量随着取代度的增大而增大。

简介：钙钛矿材料由于其独特的吸收光性能以及高转换效率成为备受关注的太阳能电池材料。太阳能电池的原型设计使用不同有机和无机材料的分层结构，因此层之间的界面（特别是在电子被提取的点）对整体效率和稳定性至关重要。

简介：近日，郑州大学材料物理教育部重点实验室的史志锋副教授等人与吉林大学合作，在新型钙钛矿基发光器件方面取得新进展，他们创新性地设计并制备了一种全无机异质结构的钙钛矿LED，其发光效率和稳定性大大优于已有的钙钛矿基发光器件报道。

简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。

简介：用溶胶-凝胶法制备了系列掺杂（La0.8Ln0.2）2/3Ca1/3MnO3（Ln=La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu）纳米级晶体。对比在La被其它镧系元素部分替代后，引起的A位离子平均半径的改变和磁矩变化对电输运及磁阻性能的影响，实验分析表明，各个样品在同样大小磁场下的磁电阻存在较大的差别，样品的磁电阻随原子序数的增加而明显变大，由镧系收缩引起晶格畸变所产生的本征磁电阻占主导地位，随着外加磁场的增加，不同掺杂样品间的峰值电阻差异被弱化；各掺杂样品间的转变温度差与掺杂离子半径差和磁矩差密切相关，且离子半径的差异对转变温度的改变贡献更大。