简介:制备出高质量纳米晶是金属氧化物纳米晶的基础研究和技术运用的首要问题.在有机溶剂中,利用一步法能够合成出较高结晶度的立方相Ga2O3纳米晶,对该样品的微观形貌和光学性能进行了表征.研究表明,利用一步法获得的纳米晶具有单分散性,晶格条纹明显,平均直径为6nm.在光学性能方面,立方相Ga2O3纳米晶在紫外区域有较宽的吸收.此外,通过提高合成温度能够从紫外到蓝光范围内调节荧光光谱.
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。