简介：来自德国尤里希研究所和瑞士保罗谢勒研究所的科学家们与全球合作伙伴共同研发出了硅芯片用锗-锡（GeSn）半导体激光器。该半导体完全由主族IV元素组成，因此GeSn激光器可以直接用于硅芯片。这一半导体可以让电脑芯片通过光进行数据传输。与使用铜线进行数据传输的方法相比，这种新方法传输速度更快，能量消耗更低。

简介：中科院西安光学精密机械研究所透露，依托该所科研成果孵化成立的西安中科梅曼激光科技有限公司结合市场需要，在原有研发基础上实现了激光器关键技术创新突破，成功推出千瓦级光纤输出半导体激光器。

简介：过去十年问，韩国的投资稳步增长，尤其是存储市场方面三星和现代频具实力。自从2002年开始，300mm硅片的生产能力迅速增长，目前预计2011年300mm硅片生产能力增

简介：

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简介：据美国《世界日报》报道，美国斯坦福大学化学系教授戴宏杰领导研究团队，发现石墨纳米带（Graphenenanoribbon）可作为半导体晶体材料，在未来可能整合于高表现计算机芯片，增加芯片速度与效能、降低耗热量，取代现今大部分由硅做成的芯片。

简介：硅是推动人类文明大步前进的现代计算机技术的核心，硅也可能在未来的计算机技术等方面起到关键作用，所以硅的研究历来是国际重大研究领域。半导体表／界面是未来关键器件中复合结构的基础，Si（111）-7×7重构表面相又是半导体重构表面的代表，因此Si（111）-7×7重构表面相及其相变动力学现象的研究，一直是一个国际重大课题。

简介：日前，《全球半导体技术路线图》报告显示，全球主要的半导体厂商正在规划“后硅晶体管”时代的蓝图。预计，到2015年，全球半导体产业将从当前的“硅技术”向“纳米技术”过渡。该报告是由欧洲、日本、韩国、中国台湾和美国的主要半导体厂商联合发布的，主要致力于寻求未来的半导体制造技术。

简介：文章简要介绍了半导体β—FeSi2的基本性质及制备方法，讲述了β-FeSi2在太阳能电池、红外探测器和热电转换方面的应用，并对目前存在的问题及未来的研究动向做了简要的讨论。

简介：俄国立研究型技术大学（NUSTMISIS）莫斯科钢铁冶金学院与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学和日本国立材料科学研究所的科学家一起，制成厚度为一个分子的氮化硼新型半导体材料。

简介：近日,中科晶电忻州半导体产业基地砷化镓项目正式开业运营。忻州中科晶电信息材料有限公司布局的砷化镓晶体及晶片制造加工项目投资2.5亿元,以研发、生产、销售砷化镓衬底材料为主,建设有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化镓衬底材料大规模生产线,规划年产砷化镓单晶片折合4英寸200万片。

简介：日本的产业技术综合研究所（产综研）于2008年4月1日成立了“纳米电子元件研究中心”。目的是推进半导体元件的微细化，以及开发取代CMOS晶体管微细化的、基于新原理的技术。

简介：随着2010年经济的反弹，能源的价格和需求开始高涨，环境保护越来越受到重视。因此，减少能源消耗和提高能源效率比以往更加重要，这在半导体工业中尤为突出，把半导体工业看成日后全球能源危急救世主的人数与认为半导体工业是个需要消耗大量能源的人数差不多一样多。本文讨论了由Texas设备（TI）公司承担的继续降低设施能源消耗所开展的活动。

简介：美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

简介：据媒体报道，日前，中科院福建物质结构研究所王元生研究员领导的课题组在半导体异质结液相可控合成方面取得重要进展。相关研究成果发表在国际著名刊物ACSNano上。

简介：照明是一个能耗很高的领域，有人曾预测，如果在全国范围内推广使用12亿只节能灯，其节电效果相当于新建一个三峡电站。2009年11月25日中国政府宣布，到2020年将使单位国内生产总值二氧化碳排放量较2005年下降40％-45％，意味着中国将在节能减排上作出更大的努力。作为新能源的代表，半导体照明是提升传统产业结构、带动相关产业发展的领头军之一。

简介：据报道，受到日本地震影响，半导体硅晶圆供给缺口将逐渐在2011年6月份半导体业者库存见底之际，产生明显的缺料危机，再加上日本拟关闭核电厂，接下来的电力短缺恐将进一步影响上游硅晶圆的供料吃紧。据半导体业者表示，以往在每季底才开始谈下季半导体硅晶圆价格，今年在恐缺货、

简介：美国摩根技术陶瓷公司以99．8％的氧化铝为原料开发出高纯度、耐腐蚀的氧化铝半导体，可用于制造的半导体芯片。其使氧化铝半导化的基本原理是通过严格控制供应，消除游离在晶界二氧化硅。产品良好的抗热震性及高纯度氧化铝能使它能够承受高温及温度的周期性变化。公司计划运用这一技术来开发一些半导体组件。

简介：分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FeSi2相的形成的影响，结果表明，影响β-FeSi2相形成的决定性因素是热处理的温度和时间，此外薄膜的沉积方法和薄膜厚度对β-FeSi2相也有重要的影响。

简介：近日，德国汉高技术公司开发成功针对叠层SIP（系统及封装）商业应用设计的半导体级环氧树脂铸模复合材料，该材料专用于各种叠层铸模阵列封装的过模塑。